机译:GaN的电子结构计算:DFT计算的ZnO固溶溶液
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科;
東京大学大学院工学系研究科;
東京大学大学院工学系研究科;
GaN:ZnO固溶体の光触媒活性の説明は化学量論モデルのみでは不十分である; ドナー準位; アクセプター準位の現れる条件; 価電子帯有効電子数という考え方の有用性;
机译:用DFT计算GaN:ZnO固溶体的电子结构
机译:通过透射型电子显微镜配合和第一原理计算的固态界面与固体电解质和电极活性材料的固态界面原子结构及锂离子的转移机理
机译:缺陷石墨烯芯片结构和电子状态密度泛函理论(DFT)计算方法-
机译:(AL_2O_3)_(1-x)(SIO_2)_ X / GAN接口全国电子结构计算的考虑
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