Рождение гетероструктур

摘要

Санкт-петербургский Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе, лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур, которой заведует академик Ж. И. Алферов, Здесь на установках молекулярно-пучковой эпитаксии выращиваются кристаллы с заданными свойствами. Основная цельтакого рода установок--создание полупроводниковых гетероструктур, когда требуется очень тщательно контролировать толщины -- с точностьюдо одного атомного слоя, это несколько ангстрем (А), ангстрем -- 10~(-10) метра (или 10Ч микрона), -- а также физические и электрические свойства кристаллических слоев полупроводника на атомном уровне. Контролируя потоки напыляемых атомов и молекул, здесь меняют свойства полупроводника. Вот что рассказал специальному корреспонденту журнала Наука и жизнь старший научный сотрудник лаборатории, кандидат физико-математических наук А. ЖУКОВ.