首页>
外文期刊>Квантовая электроника: Ежемес. журн.
>Двойной резонанс на неоднородно-уширенных переходах в схеме с общим верхним уровнем при формировании в канале накачки импульсов
【24h】
Двойной резонанс на неоднородно-уширенных переходах в схеме с общим верхним уровнем при формировании в канале накачки импульсов
Теоретически исследован нестационарный двойной резонанс, возбуждаемый по схеме с общим верхним уровнем, в среде, спектральная неоднородность которой обусловлена эффектом Доплера. Рассмотрены случаи, когда в канале накачки формируются Oπ-, 2π- и 4π-импулъсы. Исследование динамики формирования импульсов показало, в частности, что экспоненциальное усиление сигнального импульса возможно при наличии в канале накачки хотя бы одного 2π-импульса. При наличии в канале накачки двух и более 2π-импульсов каждый импульс накачки порождает свой сигнальный импульс, характеристики которого определяются параметрами импульса накачки.
展开▼