ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОСАЖДЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК СeO2, ЛЕГИРОВАННЫХ Sm2O3, ПРИГОТОВЛЕННЫХ С ПОМОЩЬЮ МЕТОДОВ ФИЗИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ПАРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА И ОСАЖДЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ ИОННОГО ЛУЧА. СРАВНИТЕЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛЕНКИ И ПОДЛОЖКИ МЕТОДОМ ВДАВЛИВАНИЯ

摘要

Настоящее исследование поликристаллических тонких пленок СеO2 + xSm2O3 (х = 0,10.9—15.9 мол. %), приготовленных с помощью методов физического осаждения из паров с применением электронного луча и осаждения с помощью ионного луча, посвящено влиянию условий осаждения (составах, температуры осаждения T_(dep) и бомбардировки ионами Аr~+, а также структуры и микроструктуры) на (мик-ро)твердость Н, с использованием в качестве параметра дифференциальной твердости H_(dif). Как и в наших предшествующих статьях, это исследование проведено с использованием метода вдавливания, чувствительного к глубине. Основное внимание было обращено на зависимость отклика системы пленка/подложка от глубины вдавливания, начиная от поверхности пленки и вплоть до границы раздела пленка-подложка. Показано, что критическая глубина вдавливания, на которой влияние подложки пренебрежимо мало, наблюдается на некоторых пленках СеO2, легированных Sm2O3, так же как и на нелегированных пленках СеO2, осажденных при T_(dep) = 200°С как в отсутствие ионного луча, так и с применением метода осаждения с помощью ионного луча. Кроме того, на некоторых пленках с хорошей воспроизводимостью наблюдается волнистый характер дифференциальной кривой, вызванный не-однородностями пленки. Доказано, что метод измерения дифференциальной твердости применим для определения критической глубины вдавливания, а также для изучения "микроструктурного" отклика тонких пленок от поверхности пленки вплоть до границы раздела пленка/подложка. Описаны и обсуждаются результаты данного исследования.