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【24h】

TCAD形状シミュレーションを活用した半導体のプロセス設計手法

机译:半导体工艺设计方法利用TCAD形状模拟

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摘要

半導体デバイスの微細化に伴い,加工寸法のばらつきによる電気特性のばらつきが歩留りと品質に大きく影響するようになってきた。そのため,開発段階から加工寸法のばらつきを予測し,適切なプロセス設計を行うことで高歩留りで高品質製品を製造できる量産ラインを作り込むことが課題となっている。東芝は,この課題を解決するため,TCAD(Technology CAD)形状シミュレーション技術を活用することで加工寸法と製造プロセスの関係をモデル化し,製造プロセスによって生じる加工寸法のばらつきを予測する手法を開発した。これによって,加工寸法のばらつきに影響が大きい危険プロセスを明確化し,開発の早い段階から危険プロセスの工程能力を改善することで量産後のプロセスマージンの不足による歩留りと品質のロスを最小化している。
机译:利用半导体器件的小型化,由于处理尺寸的变化导致的电性能的变化极大地影响了产量和质量。因此,通过预测来自开发阶段的加工尺寸的变化并执行适当的工艺设计,创建一种能够制造高产品具有高产的高产品的批量生产线是一个问题。 TOSHIBA通过使用TCAD(技术CAD)形状仿真技术来解决处理和制造过程之间的关系来解决该问题的方法,并预测制造过程引起的处理尺寸的变化。这阐明了主要受处理尺寸变化影响的危险过程,并通过改善从发育早期阶段改善危险过程边缘的过程来改善批量生产的过程边缘的过程。

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