Особенности выращивания кристаллов CsBr : Eu~(2+) из расплава

摘要

Исследованы особенности образования изолированных диполъных центров (ИДЦ) типа "Eu~(2+)-V_(Cs)" ("примесь - катионная вакансия ") и агрегатных центров (АЦ) фотолюминесценции (ФЛ) в кристаллах CsBr.Eu~(2+), обуславливающих ФЛ в спектральной области с максимумами при 435-450 и 490-520 им. Установлено, что центры ФЛ с максимумами при 490-520 нм образуются 8 узкой области концентраций Eu~(2+) (0,01-0,1 % (мол.)) и при температурах, до 180-200 °C. Высказано предположение, что помимо ИДЦ, отвечающих за ФЛ с максимумом при 440 нм, в кристаллах, CsBr:Eu~(2+) могут наблюдаться несколько типов АЦ, в частности, преципитаты типа нанокристаллов соединений CsEuBr_3 и EuBr_2.