Учет особенностей генерационно-рекомбинационных процессов в анализе частотных характеристик модулиции полупроводниковых

摘要

Найден и проанализирован общий ход частотных характеристик модуляции накачкой инжекционных полупроводниковых лазеров с учетом влияния спонтанного излучения, попадающего в рабочую моду резонатора и действующего как шумовая компонента, а также с учетом индуцированных переходов на верхние уровни и зависимостей времен релаксации спонтанных переходов от параметров, определяющих механизм процессов, происходящих при этих переходах.