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薄液膜下におけるガルパニック腐食の数値解析

机译:薄管电磁下陶薄腐蚀的数值分析

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摘要

電解質溶液の液膜厚みが10~100?mの場合の腐食速度は酸素拡散律速となる?更に液膜厚みが10?m以下となった場合には液膜への酸素溶解速度が律速となる?このような薄液膜下におけるガルパニック腐食の数値解析モデルの開発を行った?このモデルでは,酸素のSaldng-Out効果,及び導電率,酸素溶解度と酸素溶解速度の温度依存性を考慮した?Fe/Znガルバニッタ電極を用いた塩水噴霧試験(SST)とサイクル腐食試験(CCT)を行い,ガルパニック電流の測定を行った?ガルパニック電流は,乾燥湿潤過程において最大値を示した?実測されたガルパニック電流は,数億解析結果と良く一致した.CCTにおける液膜厚みを数億解析により推定した結果,ガルパニック電流が最大とをる液膜厚みは3~10?mであった.
机译:当电解质溶液的液体膜厚度为10至100 / m时的腐蚀速率是氧漫射限制的氧气扩散有限公司。此外,当液体膜厚度变为10μm或更低时,氧溶解速率与液体膜变得均匀。开发在这种薄吡脲膜下甲基腐蚀的数值分析模型?在该模型中,我们考虑了氧气,导电性,氧溶解度和氧溶解速率的SALDNG-OUT效应的温度依赖性。αF/ Zn Galleranitter电极测量电流用盐雾试验(SST)和循环腐蚀试验(CCT)?甲基甘露电流表示干湿过程中的最大值?测量与数亿分析结果很好地同意。 由于在CCT中估计液体膜的厚度,通过数亿分析,基本电流最大值的液体膜厚度为3至10μm。

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