レジスト被覆膜材科,その形成方法とそれを用いたパターン形成方法および半導体装置

摘要

この発明は，半導体デバイスなどの微細パターン形成プロセスに用いられる化学増幅型レジストの陸士に形成される被覆膜に関するものである。 半導体デバイス製造にお、て，KrFエキシマレーザ，電子線又はX線を用いた微細パターンの形成には化学増幅機構を利用したレジスト材料が広く剛、られている。 化学増幅型レジストは，露光によって生じた微少量の酸が触媒となり反応を促進するため，レジスト感度を高くすることができるという利点がある。 しかし，実プロセスにおいて，クリーシルーム雰囲気申の塩基性成分がレジスト険表面に吸着することで酸の活性が失われるため，均一なパターンの形成ができないという問題点があった。