第6世代IGBTモジュール“NXシリーズ”の耐圧1,700V級への展開

摘要

近年，地球温暖化や省エネルギー化対策の需要の高まりによって環境負荷を低減する技術として，パワーエレクトロニクス製品の需要は高くなっている。三菱電機のIGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールはモータを高効率に駆動させるための電力制御用の半導体デバイスとして，産業用途，電鉄用途，家電などの民生用途を中心に風力発電，太陽光発電，ハイブリッド自動車等の様々な環境技術に応用されている。今回，汎用インバータ，ACサーボといった産業用途向けに展開している“NXシリーズ”に低損失のCSTBT （Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor：当社独自キャリア蓄積型トレンチゲート）構造の第6世代IGBTを搭載した耐圧1，700V級の製品を新規ラインアップする。