グラフェンをサフアイア基板上に作製する技術を開発：次世代の高速デバイス量産に期待

摘要

日立製作所は、炭素材料のグラフェンをサファイア基板上に作製する技術を開発した。　グラフェンは室温の電子移動度がシリコンの10倍以上速く、高速電子デバイスへの応用が期待されている。しかし、シリコン基板や炭化シリコン基板上に実験的な手法で作製することは可能だったが、電子デバイスに適した基板である絶縁体のサファイア基板上に作製する技術は確立されていなかった。