次世代LSI-300mm·超薄型ウエハ対応プロセステープ材料の現状

摘要

電子デバイスの小型·軽量·ローコスト化のために、半導体ウエハは大口径化·超薄型化が進行しているため、ウエハ研磨プロセス（バックグラインド）、個片化プロセス（ダイシング）にも、従来にない技術が必要となっている。 本稿では、とくにプロセス材料に着目し、ウエハプロセスの変遷について概説する。