窒化物系化合物での高耐圧·高周波半導体基板の開発に着手

摘要

経済産業省は07年皮から、ナノテクノロジーを活用して高耐圧·高周波を実現する半導体基板の技術開発に乗り出す。 窒化物系化合物を半導体基板に使い、基板と成膜の新しい成形方法を確立、周波数や電圧が従来比10倍以上の性能を持つ高耐圧·高周波半導体デバイスの開発につなげる。