「シリコンカーバイド」がやって来た-実用化に向け動き出した次世代パワーデバイス材料-

摘要

シリコンカーバイド（SiC、炭化ケイ素）がいよいよ本格実用期奉迎えようとしている。 現在、多種多様な機器に使われている半導体パワーデバイス材はSiが中心だが、いっそうの機能·物性の高度化ニーズに対応するには、性能限界にきているといわれる。シリコンと炭素が1対1で結合した化合物SiCは、耐熱性、熱伝導性、高温動作性、電界強度などでSiの数倍超の性能を有するため、ポストSiの半導体·パワー材料として以前から大きな期待が寄せられていた。 ただ、その結晶成長が難しく、品質的な課題もあって実用化の壁になっていた。