...
机译:大气压等离子体增强化学气相沉积沉积IGZO层电阻随机存取记忆装置微波退火的研究
Chung Hua Univ Dept Optoelect &
Mat Engn Hsinchu 30012 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Inst Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Inst Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Inst Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Coll Elect &
Comp Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Cent Univ Dept Business Adm Taoyuan 32001 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Inst Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Inst Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
RRAM; a-IGZO; AP-PECVD; Microwave Annealing;
机译:大气压等离子体增强化学气相沉积沉积IGZO层电阻随机存取记忆装置微波退火的研究
机译:高密度等离子体化学气相沉积沉积SiN保护膜可提高磁阻随机存取存储装置的热稳定性
机译:控制通过等离子增强化学气相沉积(PE-MOCVD)沉积的非晶GeTe薄膜中的碳含量,用于相变随机存取存储器应用
机译:在微流体分配器设备中作为牺牲层的亚大气化学气相沉积(SACVD)O3-TEOS UGS,BPSG,PSG和等离子增强化学气相沉积(PECVD)PSG膜的研究
机译:大气压微波等离子体辅助金刚石化学气相沉积中气相的化学动力学计算。
机译:通过批量原子层沉积处理的基于HfO2的集成式1晶体管1电阻阻性随机存取存储器的材料见解
机译:大气压等离子体化学气相沉积的非晶硅薄膜的高速率沉积。 (第一个报告)。具有旋转电极的大气压等离子体CVD装置的设计与生产。
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。