首页> 外文期刊>Электронная Обработка Материалов >РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТНОГО СОСТАВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СЛОЕВ ПРИ МАГНЕТРОННОМ РАСПЫЛЕНИИ МОЗАИЧНЫХ МИШЕНЕЙ
【24h】

РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТНОГО СОСТАВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СЛОЕВ ПРИ МАГНЕТРОННОМ РАСПЫЛЕНИИ МОЗАИЧНЫХ МИШЕНЕЙ

机译:磁控溅射弥散靶标计算薄膜层的元素组成

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Предложена модель процесса магнетронного распыления, которая позволяет прогнозировать элементный состав нанесенных пленок при распылении мозаичных мишеней с произвольным расположением вставок для аксиальных магнетронных распылительных систем (МРС). Модель основана на интегрировании распыленного потока с каждой точки зоны распыления и учитывает коэффициенты распыления и электронно-ионной эмиссии материалов основы и вставок. Кривая распределения плотности тока разряда аппроксимируется с применением третьего центрального момента в распределении типа "сдвоенная гауссиана", что дает возможность использовать реальные параметры зоны распыления и тока разряда магнетрона и с достаточной точностью математически описать распределение плотности ионного тока. Для верификации предложенной модели проведены экспериментальные исследования по нанесению тонкопленочных слоев методом магнетронного распыления Ti/Zr и Ti/Zr/Pb мозаичных мишеней. Анализ результатов моделирования показывает, что погрешность модели не превышает 10%.
机译:提出了一种磁控溅射工艺模型,该模型可以预测在镶嵌靶材溅射过程中使用轴向磁控溅射系统(MPS)的插入物的任意排列来预测沉积膜的元素组成。该模型基于来自喷涂区域中每个点的喷涂流的积分,并考虑了基础材料和嵌件材料的喷涂比和电子离子发射。放电电流密度分布曲线使用“双高斯”分布中的第三中心矩来近似,这使得可以使用溅射区和磁控管放电电流的实际参数,并以足够的精度数学地描述离子电流密度的分布。为了验证所提出的模型,已经进行了通过磁控溅射Ti / Zr和Ti / Zr / Pb镶嵌靶进行薄膜层沉积的实验研究。对仿真结果的分析表明,模型误差不超过10%。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号