次世代MRAMのための新材料技術 - く記憶容量1 Gbitの壁を破るためのMRAMの材料開発動向を紹介する〉

摘要

現行の技術では、MRAM (磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）の記録容量は1 Gbitが上限であると言われている。 この壁を破るには①より大きな磁気抵抗効果を示すTMR (トンネル磁気抵抗）素子を開発すること、および、②書込み電流を小さくすること、が必要となる。 本稿では、これらの問題に対する材料開発の立場からの取り組みを中心に紹介する。