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レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討

机译:利用透镜的光纤阵列耦合对光学RAM存储元件进行高密度集成的初步研究

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摘要

ファイバアレイとの光結合は、光RAM用の集積メモリ素子の実用化において重要である。特に我々は、ファイバアレイピッチ間隔の数分の1程度に素子出力ポートを狭間隔設定することによる、一層の高密度集積の可能性を検討しており、出力ポートを狭間隔化しながらも、通常のピッチ間隔を有するファイバアレイへの光結合方法が課題であった。そこで我々は、ファイバアレイ前段に2枚レンズを挿入し、ビーム間隔を広げることによる、高密度集積素子に対するファイバアレイとの光結合を検討している。今回は予備的検討として、ピッチ間隔300μmの2ビット集積素子に対して、結像倍率が3倍となるよう前段レンズを挿入し、所望のビーム間隔が実際に得られるかを検討した。その結果、3倍のビーム間隔に相当するビーム間隔900μmが得られ、高密度集積化技術としての有用性を確認したので報告する。
机译:与光纤阵列的光耦合在用于光学RAM的集成存储元件的实际应用中很重要。特别是,我们通过将元件输出端口的间隔设置得窄于光纤阵列节距间隔的一小部分来研究更高密度集成的可能性,并且在使输出端口变窄的同时,通常问题是一种将光耦合到节距为的光纤阵列的方法。因此,我们正在通过将两个透镜插入光纤阵列的前面并加宽光束间距,来研究用于高密度集成元件的光纤阵列的光耦合。这次,作为初步研究,我们将前级镜头插入间距为300μm的2位集成元件中,从而使成像放大倍数增加了三倍,并检查了是否可以实际获得所需的光束间距。结果,获得对应于3倍光束间隔的900μm的光束间隔,并确认了其作为高密度集成技术的有用性。

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