ОБ УСЛОВИЯХ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ЩЕЛИ, НАВОДИМОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКОЙ В ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ГРАФЕНА

摘要

Для описания плотности состояний полупроводниковой подложки использована модель, отвечающая параболическому электронному спектру. В аналитической форме получены критерии возникновения щели/щелей в плотности состояний эпитаксиального графена и ее/их характеристики (ширина, расположение по отношению к запрещенной зоне подложки). Предложен способ экспериментальной проверки полученных результатов.