ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И СВЕТОТЕХНИКИ И РЕЗУЛЬТАТЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ

摘要

Показана роль локализованных экситонов, формирующихся благодаря протекающим диффузным процессам на поверхностных наноразмерных дефектах в зоне раздела слоев разных полупроводни-ковых материалов и дано обоснование полученным результатам. Приведены результаты измерения времени продольной необратимой релаксаций Т_1 методом фемтосекундного фотонного эха и их рентгеноструктурного анализа.