Методом жидкофазного спекания получены плотные материалы на основе карбида кремния. В качестве спекающей добавки использовали оксиды Аl_2O_3, Y_2O_3 и МgO, соответствующие составу алюмоиттриевого граната и тройной эвтектической точки на линии бинарных разрезов гранат-пшинель. Оксиды нанесены на поверхность порошка SiC методом соосаждения из раствора солей. Максимальная плотность (р_(отн) = 99,5 %) достигнута у LPSSiC-материала, включающего 20 маc. % спекающих добавок при температуре 1800 °С.
展开▼
