物理プロセス設計研究分野

摘要

本研究分野では，「化合物半導体ナノ構造の創製とその光物性,光スピン機能性の開拓」に関する研究活動を行っている。2003年の研究活動としては，以下のようなものがある。分子線エピタキシー（MBE）法や超高真空スパッター法により，II-VI族半導体や磁性半導体の量子井戸や自己組織化量子ドット，磁性薄膜との複合微細構造を作製している。 また電子線リソグラフィー法を用いて，10nmオーダーの半導体量子ナノ構造を作製している。 その結果,特色ある磁性量子井戸やナノスケールの磁性半導体量子ドット,磁性金属と磁性半導体のハイブリッド構造の作製が可能になった。