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机译:氮化硅和氮氧化硅中间层对硅上五氧化钽薄膜性能的影响:X射线光电子能谱,X射线反射率和电容电压研究
Chemical-vapor-deposition; Gate dielectrics; Thin-films; Surface stoichiometry; Ta2o5 films; 64-mb drams; Neutron; Reflectometry; Insulator; Devices;
机译:氮化硅和氮氧化硅中间层对硅上五氧化钽薄膜性能的影响:X射线光电子能谱,X射线反射率和电容电压研究
机译:氧化硅和氧化硅-氮化硅叠层结构非常薄的薄膜的X射线反射率研究
机译:低能量(0.25-5 keV)氮注入生长的超薄氮化硅膜的化学结构:角分辨X射线光电子能谱Si 2p研究
机译:用角析硬X射线光电子光谱法测定通过沟槽结构的原子层沉积在硅衬底上形成的氮化硅膜
机译:通过角分辨X射线光电子能谱,零椭偏法和电容电压测量研究氧化物/硅界面的结构和电学性质
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:X射线光电子能谱法研究氢化非晶硅上氢化非晶硅的界面