首页>外文期刊>电子学、通信>IEEE journal of selected topics in quantum electronics >1998年第4期

IEEE journal of selected topics in quantum electronics

IEEE journal of selected topics in quantum electronics

SCIEICA

中文名称：IEEE量子电子学精选主题期刊

ISSN：1077-260X
出版周期：Bimonthly

发文量：4166

期刊论文

年度选择

2023
- 第1期
- 第3期
- 第5期
- 第6期
2022
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2021
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2020
- 第1期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第2020期
2019
- 第5期
- 第6期
2018
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第5期
2017
- 第1期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2016
- 第1期
- 第2期
- 第4期
- 第5期
2015
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
2014
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2013
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
2012
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2011
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2010
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2009
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2008
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2007
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第2007期
2006
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第2006期
2005
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2004
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2003
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2002
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2001
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
2000
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
1999
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
1998
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
1997
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
1996
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
1995
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期

更多>>

全选（0）

共53条结果

1.Quantum-well intermixing for fabrication of lasers and photonicintegrated circuits

机译：量子阱混合用于制造激光器和光子集成电路
- 作者：Hofstetter D.;Maisenholder B.;Zappe H.P.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
2.Interdiffused quantum wells for lateral carrier confinement in VCSELs

机译：互扩散量子阱用于VCSEL的横向载流子限制
- 作者：Naone R.L.;Floyd P.D.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
3.A theoretical analysis of quantum-wire fabrication by vacancy-enhanced interdiffusion of quantum wells

机译：空穴的空位增强互扩散制造量子线的理论分析
- 作者：Chan K.S.;Wong Y.H.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
4.Dependence of atomic diffusion in GaAs upon experimental design

机译：GaAs中原子扩散对实验设计的依赖性
- 作者：Cohen R.M.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
5.Comprehensive modeling of diffused quantum-well vertical-cavity surface-emitting lasers

机译：扩散量子阱垂直腔面发射激光器的综合建模
- 作者：Man W.M.;Yu S.-F.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
6.Blue shifting of In GaAsP-InP laser diodes using a low-energy ion-implantation technique: comparison between strained and lattice-matched quantum-well structures
- 作者：Paquette M.;Aimez V.;Beauvais J.Beerens J.Poole P.J.Charbonneau S.Roth A.P.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics: A publication of the IEEE Lasers and Electro-optics Society》 | 1998年第4期
7.Comprehensive modeling of diffused quantum-well vertical-cavitysurface-emitting lasers

机译：扩散量子阱垂直腔面发射激光器的综合建模
- 作者：Man W.M.;Yu S.-F.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
8.Dependence of dielectric-cap quantum-well disordering of GaAs-AlGaAs quantum-well structure on the hydrogen content in SiN/sub x/ capping layer

机译：GaAs-AlGaAs量子阱结构的介电帽量子阱无序性与SiN / sub x /覆盖层中氢含量的关系
- 作者：Choi J.;Han S.M.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
9.A study of impurity-free vacancy disordering in GaAs-AlGaAs for improved modeling

机译：GaAs-AlGaAs中无杂质空位无序的研究以改进模型
- 作者：Helmy A.S.;Johnson N.P.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
10.A study of impurity-free vacancy disordering in GaAs-AlGaAs forimproved modeling

机译：GaAs-AlGaAs的无杂质空位无序研究的改进模型
- 作者：Helmy A.S.;Johnson N.P.;Ke M.L.;Bryce A.C.;Aitchison J.S.;Marsh J.H.;Gontijo I.;Buller G.S.;Davidson J.;Dawson P.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
11.Monolithic integration via a universal damage enhanced quantum-wellintermixing technique

机译：通过通用损伤增强量子阱混合技术进行单片集成
- 作者：McDougall S.D.;Kowalski O.P.;Hamilton C.J.;Camacho F.;Bocang Qiu;Maolong Ke;De La Rue R.M.;Bryce A.C.;Marsh J.H.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
12.Photonic integrated circuits fabricated using ion implantation

机译：使用离子注入制造的光子集成电路
- 作者：Charbonneau S.;Koteles E.S.;Poole P.J.;He J.J.;Aers G.C.;Haysom J.;Buchanan M.;Feng Y.;Delage A.;Yang F.;Davies M.;Goldberg R.D.;Piva P.G.;Mitchell I.V.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
13.Effects of interdiffusion-induced strain in Ga/sub 0.51/In/sub 0.49/P-GaAs intermixed quantum wells

机译：Ga / sub 0.51 / In / sub 0.49 / P-GaAs混合量子阱中互扩散引起的应变的影响
- 作者：Micallef J.;Brincat A.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
14.Modulation of the second-order nonlinear tensor components in multiple-quantum-well structures

机译：多量子阱结构中二阶非线性张量分量的调制
- 作者：Aitchison J.S.;Street M.W.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
15.Novel laser structures based on MQW interdiffusion using rapid thermal annealing technique

机译：快速热退火技术基于MQW互扩散的新型激光结构
- 作者：Ai-Qing Jiang;Chang-Zheng Sun
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
16.Theoretical studies of AlGaAs-GaAs multiple-quantum-well opticalcouplers defined by ion-implantation-induced intermixing

机译：离子注入诱导混合定义的AlGaAs-GaAs多量子阱光耦合器的理论研究
- 作者：Kai Ming Lo
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
17.Blueshifting of InGaAsP-InP laser diodes using a low-energy ion-implantation technique: comparison between strained and lattice-matched quantum-well structures

机译：使用低能离子注入技术对InGaAsP-InP激光二极管进行蓝移：应变和晶格匹配的量子阱结构之间的比较
- 作者：Paquette M.;Aimez V.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
18.Modulation of the second-order nonlinear tensor components inmultiple-quantum-well structures

机译：多量子阱结构中二阶非线性张量分量的调制
- 作者：Aitchison J.S.;Street M.W.;Whitbread N.D.;Hutchings D.C.;Marsh J.H.;Kennedy G.T.;Sibbett W.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
19.Ion implantation in AlxGa1-xAs: damagestructures and amorphization mechanisms

机译：AlxGa1-xAs中的离子注入：损伤结构和非晶化机理
- 作者：Lagow B.W.;Turkot B.A.;Robertson I.M.;Coleman J.J.;Roh S.D.;Forbes D.V.;Rehn L.E.;Baldo P.M.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
20.The effect of carrier-induced change on the optical properties of AlGaAs-GaAs intermixed quantum wells

机译：载流子引起的变化对AlGaAs-GaAs混合量子阱的光学性质的影响
- 作者：Chan M.C.Y.;Kwok P.C.K.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
21.Interdiffusion induced modification of surface-acoustic-waveAlGaAs-GaAs quantum-well modulators

机译：互扩散引起的表面声波AlGaAs-GaAs量子阱调制器的修饰
- 作者：Choy W.C.H.;Weiss B.L.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
22.Monolithic integration via a universal damage enhanced quantum-well intermixing technique

机译：通过通用损伤增强量子阱混合技术进行单片集成
- 作者：McDougall S.D.;Kowalski O.P.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
23.Dependence of dielectric-cap quantum-well disordering ofGaAs-AlGaAs quantum-well structure on the hydrogen content in SiNx capping layer

机译：GaAs-AlGaAs量子阱结构的介电帽量子阱无序性与SiNx覆盖层中氢含量的关系
- 作者：Choi J.;Han S.M.;Shah S.I.;Choi S.G.;Woo D.H.;Lee S.;Kim S.H.;Lee J.I.;Kang K.N.;Cho J.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
24.Anodic-oxide-induced intermixing in GaAs-AlGaAs quantum-well andquantum-wire structures

机译：阳极氧化物在GaAs-AlGaAs量子阱和量子线结构中的混合
- 作者：Shu Yuan;Jagadish C.;Yong Kim;Yong Chang;Hark Hoe Tan;Cohen R.M.;Petravic M.;Lap Van Dao;Gal M.;Chan M.C.Y.;Li E.H.;Jeong-Seok O;Zory P.S. Jr.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
25.Quantitative model for the kinetics of compositional intermixing inGaAs-AlGaAs quantum-confined heterostructures

机译：GaAs-AlGaAs量子受限异质结构中组分混合动力学的定量模型
- 作者：Helmy A.S.;Aitchison J.S.;Marsh J.H.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
26.Impurity-induced layer disordering of quantum-wellheterostructures: discovery and prospects

机译：杂质诱导量子阱异质结构的层无序：发现与前景
- 作者：Holonyak N. Jr.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
27.Quantitative model for the kinetics of compositional intermixing in GaAs-AlGaAs quantum-confined heterostructures

机译：GaAs-AlGaAs量子受限异质结构中组分混合动力学的定量模型
- 作者：Helmy A.S.;Aitchison J.S.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
28.Semiconductor lasers using diffused quantum-well structures

机译：使用扩散量子阱结构的半导体激光器
- 作者：Yu S.-F.;Li E.H.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
29.The time evolution of interdiffusion in multiple quantum wells: anew model of impurity-induced compositional intermixing

机译：多量子阱中互扩散的时间演化：杂质诱导的成分互混的新模型
- 作者：Gass R.G.;Jackson H.E.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
30.Redshifting and broadening of quantum-well infrared photodetector'sresponse via impurity-free vacancy disordering

机译：无杂质空位无序现象对量子阱红外光电探测器响应的红移和展宽
- 作者：Sengupta D.;Jandhyala V.;Sangsig Kim;Weich Fang;Malin J.;Apostolakis P.;Kwong-Chi Hseih;Yia-Chung Chang;Shun Lien Chuang;Bandara S.;Gunapala S.;Feng M.;Michielssen E.;Stillman G.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
31.Impurity-induced layer disordering of quantum-well heterostructures: discovery and prospects

机译：杂质诱导的量子阱异质结构层无序：发现与前景
- 作者：Holonyak N. Jr.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
32.Redshifting and broadening of quantum-well infrared photodetector's response via impurity-free vacancy disordering

机译：无杂质空位无序现象导致量子阱红外光电探测器响应的红移和展宽
- 作者：Sengupta D.;Jandhyala V.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
33.Quantum-well intermixing for fabrication of lasers and photonic integrated circuits

机译：量子阱混合用于制造激光器和光子集成电路
- 作者：Hofstetter D.;Maisenholder B.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
34.Effects of interdiffusion-induced strain inGa0.51In0.49P-GaAs intermixed quantum wells

机译：Ga0.51In0.49P-GaAs混合量子阱中互扩散引起的应变的影响
- 作者：Micallef J.;Brincat A.;Wai-Chee Shiu
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
35.A theoretical analysis of quantum-wire fabrication byvacancy-enhanced interdiffusion of quantum wells

机译：空位增强的量子阱互扩散制备量子线的理论分析
- 作者：Chan K.S.;Wong Y.H.;Pun E.Y.B.;Ho H.P.;Chung P.S.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
36.Introduction To The Issue On Interdiffused Quantum-well Materials And Devices

机译：互扩散量子阱材料和器件问题导论
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
37.Dependence of atomic diffusion in GaAs upon experimental design

机译：GaAs中原子扩散对实验设计的依赖性
- 作者：Cohen R.M.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
38.Novel laser structures based on MQW interdiffusion using rapidthermal annealing technique

机译：基于快速热退火技术的基于MQW互扩散的新型激光结构
- 作者：Ai-Qing Jiang;Chang-Zheng Sun;Zhi-Biao Hao;Jian-Hua Wang
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
39.Area selectivity of InGaAsP-InP multiquantum-well intermixing byimpurity-free vacancy diffusion

机译：无杂质空位扩散的InGaAsP-InP多量子阱混合区域选择性
- 作者：Sang Kee Si;Deok Ho Yeo;Hyung Hun Yoon;Sung June Kim
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
- III-V semiconductors;
- annealing;
- diffusion;
- gallium arsenide;
- gallium compounds;
- indium compounds;
- photoluminescence;
- semiconductor quantum wells;
- spectral line shift;
- tuning;
- 0.95 eV;
- 1.08 eV;
- 170 meV;
- 30 s;
- 850 C;
- InGaAsP-InP;
- InGaAsP-InP multiquantum-well intermixing;
40.Blueshifting of InGaAsP-InP laser diodes using a low-energyion-implantation technique: comparison between strained andlattice-matched quantum-well structures

机译：使用低能量注入技术对InGaAsP-InP激光二极管进行蓝移：应变和晶格匹配的量子阱结构之间的比较
- 作者：Paquette M.;Aimez V.;Beauvais J.;Beerens J.;Poole P.J.;Charbonneau S.;Roth A.P.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
41.The time evolution of interdiffusion in multiple quantum wells: a new model of impurity-induced compositional intermixing

机译：多量子阱中互扩散的时间演化：杂质诱导的成分互混的新模型
- 作者：Gass R.G.;Jackson H.E.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
42.Interdiffusion induced modification of surface-acoustic-wave AlGaAs-GaAs quantum-well modulators

机译：互扩散引起的表面声波AlGaAs-GaAs量子阱调制器的修饰
- 作者：Choy W.C.H.;Weiss B.L.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
43.Area selectivity of InGaAsP-InP multiquantum-well intermixing by impurity-free vacancy diffusion

机译：无杂质空位扩散的InGaAsP-InP多量子阱混合区域选择性
- 作者：Sang Kee Si;Deok Ho Yeo
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
44.Focused ion-beam implantation induced thermal quantum-well intermixing for monolithic optoelectronic device integration

机译：聚焦离子束注入诱导的热量子阱混合，用于单片光电器件集成
- 作者：Reithmaier J.P.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
45.Ion implantation in Al/sub x/Ga/sub 1-x/As: damage structures and amorphization mechanisms

机译：Al / sub x / Ga / sub 1-x / As中的离子注入：损伤结构和非晶化机制
- 作者：Lagow B.W.;Turkot B.A.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
46.Semiconductor lasers using diffused quantum-well structures

机译：使用扩散量子阱结构的半导体激光器
- 作者：Yu S.-F.;Li E.H.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
47.Theoretical studies of AlGaAs-GaAs multiple-quantum-well optical couplers defined by ion-implantation-induced intermixing

机译：离子注入诱导混合定义的AlGaAs-GaAs多量子阱光耦合器的理论研究
- 作者：Kai Ming Lo
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
48.Photonic integrated circuits fabricated using ion implantation

机译：使用离子注入制造的光子集成电路
- 作者：Charbonneau S.;Koteles E.S.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
49.Interdiffused quantum wells for lateral carrier confinement inVCSELs

机译：用于VCSEL的横向载流子限制的互扩散量子阱
- 作者：Naone R.L.;Floyd P.D.;Young D.B.;Hegblom E.R.;Strand T.A.;Coldren L.A.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
50.The effect of carrier-induced change on the optical properties ofAlGaAs-GaAs intermixed quantum wells

机译：载流子引起的变化对AlGaAs-GaAs混合量子阱的光学性质的影响
- 作者：Chan M.C.Y.;Kwok P.C.K.;Li E.H.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
51.Focused ion-beam implantation induced thermal quantum-wellintermixing for monolithic optoelectronic device integration

机译：聚焦离子束注入诱导的热量子阱互混，用于单片光电器件集成
- 作者：Reithmaier J.P.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
52.Anodic-oxide-induced intermixing in GaAs-AlGaAs quantum-well and quantum-wire structures

机译：阳极氧化物在GaAs-AlGaAs量子阱和量子线结构中的混合
- 作者：Shu Yuan;Jagadish C.
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期
53.Corrections To 'Lasing Mechanism Of InGaN-GaN-AlGaN MQW Laser Diode Grown On SiC By Low-pressure Metal~organic Vapor Phase Epitaxy'

机译：对“低压金属-有机汽相外延生长在SiC上的InGaN-GaN-AlGaN MQW激光二极管的激发机理”的修正
- 期刊名称：《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 | 1998年第4期

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有出版物经营许可证

客服微信
服务号