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Electron Devices Society, IEE
>2017年第5期
Electron Devices Society, IEE
中文名称:电子设备学会
ISSN:
2168-6734
出版周期:
发文量:281
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1.
A Ferroelectric Thin Film Transistor Based on Annealing-Free HfZrO Film
机译:
基于无退火HfZrO膜的铁电薄膜晶体管
作者:
Yuxing Li
;
Renrong Liang
;
Jiabin Wang
;
Ying Zhang
;
He Tian
;
Houfang Liu
;
Songlin Li
;
Weiquan Mao
;
Yu Pang
;
Yutao Li
;
Yi Yang
;
Tian-Ling Ren
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Logic gates;
Tin;
Thin film transistors;
Capacitance;
Hysteresis;
Electrodes;
Annealing;
2.
Saturability Algorithm of a Sub-Bandgap Laser for Triggering a Photoconductive Switch
机译:
子带隙激光器触发光导开关的饱和度算法
作者:
Xinmei Wang
;
Sudip K. Mazumder
;
Wei Shi
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Absorption;
Substrates;
Lasers;
Photonics;
Gallium arsenide;
Energy states;
Gallium nitride;
3.
Current Kink and Capacitance Frequency Dispersion in Silicon PIN Photodiodes
机译:
硅PIN光电二极管中的电流扭结和电容频率色散
作者:
Xia Guo
;
Yajie Feng
;
Qiaoli Liu
;
Huaqiang Wang
;
Chong Li
;
Zonghai Hu
;
Xiaoying He
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Capacitance;
Photodiodes;
Silicon;
Temperature measurement;
Leakage currents;
Frequency measurement;
Tunneling;
4.
Sub-60-mV/decade Negative Capacitance FinFET With Sub-10-nm Hafnium-Based Ferroelectric Capacitor
机译:
具有低于10nm Ha基铁电电容器的低于60mV /十年的负电容FinFET
作者:
Eunah Ko
;
Hyunjae Lee
;
Youngin Goh
;
Sanghun Jeon
;
Changhwan Shin
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
FinFETs;
Capacitors;
Capacitance;
Switches;
Ferroelectric materials;
Logic gates;
5.
Low Voltage and High-Speed Niobium Heterostructure Resistance Switching Memory Devices Integrating Ferro-Electric Enhanced Aluminum–Hafnium–Chromium–Aluminum Oxide
机译:
集成铁电增强型铝-–-铬-铝氧化物的低压和高速铌异质结构电阻开关存储器件
作者:
Lance Lerum
;
Mohammed Fahem
;
Osama M. Nayfeh
;
C. Dave Rees
;
Kenneth S. Simonsen
;
Ayax D. Ramirez
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Niobium;
Electrodes;
Switches;
Hafnium compounds;
Current measurement;
Sputtering;
Voltage measurement;
6.
High Resolution a-IGZO TFT Pixel Circuit for Compensating Threshold Voltage Shifts and OLED Degradations
机译:
高分辨率a-IGZO TFT像素电路,用于补偿阈值电压漂移和OLED退化
作者:
Daejung Kim
;
Yongchan Kim
;
Suwon Lee
;
Moon Sung Kang
;
Do Hwan Kim
;
Hojin Lee
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Threshold voltage;
Thin film transistors;
Active matrix organic light emitting diodes;
Degradation;
Integrated circuit modeling;
Apertures;
7.
First Demonstration of a Two-Tier Pixelated Avalanche Sensor for Charged Particle Detection
机译:
用于电荷粒子检测的两层像素化雪崩传感器的首次演示
作者:
Lucio Pancheri
;
Andrea Ficorella
;
Paolo Brogi
;
G. Collazuol
;
Gian-Franco Dalla Betta
;
P. S. Marrocchesi
;
Fabio Morsani
;
Lodovico Ratti
;
Aurore Savoy-Navarro
;
Arta Sulaj
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Detectors;
Temperature measurement;
Timing;
Optical sensors;
Image quality;
Bonding;
Semiconductor device measurement;
8.
A Carbon Nanotube Electrode a-IGZO-TFT
机译:
碳纳米管电极a-IGZO-TFT
作者:
Kai Zhu
;
Lei Wen
;
Min Zhang
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Electrodes;
Annealing;
Thin film transistors;
Logic gates;
Resistance;
Contact resistance;
Scanning electron microscopy;
9.
Low Power Phase Change Memory With Vertical Carbon Nanotube Electrode
机译:
具有垂直碳纳米管电极的低功率相变存储器
作者:
Panni Wang
;
Yihan Chen
;
Suwen Li
;
Salahuddin Raju
;
Longyan Wang
;
Lining Zhang
;
Xinnan Lin
;
Zhitang Song
;
Mansun Chan
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Phase change materials;
Electrodes;
Metals;
Programming;
Resistance;
Resistance heating;
Silicides;
10.
Physics-Based Multi-Bias RF Large-Signal GaN HEMT Modeling and Parameter Extraction Flow
机译:
基于物理的多偏置RF大信号GaN HEMT建模和参数提取流程
作者:
Sheikh Aamir Ahsan
;
Sudip Ghosh
;
Sourabh Khandelwal
;
Yogesh Singh Chauhan
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Radio frequency;
Gallium nitride;
HEMTs;
Integrated circuit modeling;
Capacitance;
Data mining;
Logic gates;
11.
Graphenic Carbon: A Novel Material to Improve the Reliability of Metal-Silicon Contacts
机译:
石墨碳:提高金属-硅触点可靠性的新型材料
作者:
Max Stelzer
;
Moritz Jung
;
Franz Kreupl
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Schottky diodes;
Reliability;
Silicon;
Current density;
Surface treatment;
Carbon;
Light emitting diodes;
12.
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process
机译:
通过高容限自终止蚀刻工艺实现p-GaN栅极增强模式HEMT
作者:
Yu Zhou
;
Yaozong Zhong
;
Hongwei Gao
;
Shujun Dai
;
Junlei He
;
Meixin Feng
;
Yanfei Zhao
;
Qian Sun
;
An Dingsun
;
Hui Yang
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Etching;
HEMTs;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Iterative closest point algorithm;
MODFETs;
Logic gates;
13.
Design and Application of Virtual Inductance of Square-Shaped Defected Ground Structure in 0.18- CMOS Technology
机译:
0.18- CMOS技术中方形畸变接地结构虚拟电感的设计与应用
作者:
Nusrat Jahan
;
Siti Amalina Enche Ab Rahim
;
Adel Barakat
;
Takana Kaho
;
Ramesh K. Pokharel
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Inductors;
Substrates;
Voltage-controlled oscillators;
CMOS technology;
Q-factor;
Inductance;
Resonant frequency;
14.
N-Channel Zinc Oxide Nanowire:Perylene Diimide Blend Organic Thin Film Transistors
机译:
N沟道氧化锌纳米线:Per二酰亚胺共混有机薄膜晶体管
作者:
Shin-Pin Chen
;
Yan-Sheng Chen
;
Gen-Wen Hsieh
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Zinc oxide;
Nanowires;
II-VI semiconductor materials;
Thin film transistors;
Films;
Performance evaluation;
15.
Modeling of a Back-Gated Monolayer MoS FET by Extraction of an Accurate Threshold Voltage and Gate-Bias-Dependent Source/Drain Resistance
机译:
通过提取准确的阈值电压和栅极偏置相关的源极/漏极电阻,对背栅单层MoS FET进行建模
作者:
Michael A. Rodder
;
Ananth Dodabalapur
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Logic gates;
Resistance;
MOSFET;
Extrapolation;
Probes;
16.
Selective Fabrication of SiC/Si Heterojunction Diodes by Local Laser Annealing Process for Microwave Circuit Applications
机译:
微波电路应用局部激光退火工艺选择性制备SiC / Si异质结二极管
作者:
Amanpreet Kaur
;
Timothy Hogan
;
Premjeet Chahal
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Silicon;
Silicon carbide;
Semiconductor lasers;
Substrates;
Power lasers;
Semiconductor diodes;
Laser beams;
17.
An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
机译:
UTB III-V-on-Insulator MIS结构的栅极C-V特性分析模型
作者:
Muhammad Mainul Islam
;
Md. Nur Kutubul Alam
;
Md. Shamim Sarker
;
Md. Rafiqul Islam
;
Anisul Haque
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Logic gates;
Analytical models;
Electric potential;
Field effect transistors;
Mathematical model;
Numerical models;
18.
Nonlinear Thermoelectroelastic Analysis of III-N Semiconductor Devices
机译:
III-N型半导体器件的非线性热电弹性分析
作者:
M. G. Ancona
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
Charge carrier processes;
Tensile stress;
Electrostatics;
Strain;
Mathematical model;
Gases;
Lattices;
19.
Dynamic Properties of Flat-Panel X-Ray Image Sensors With Mercury Iodide Photoconductors Undergoing Repeated X-Ray Irradiation
机译:
带有碘化汞光电导体的平板X射线图像传感器在重复X射线辐射下的动态特性
作者:
Jae Chul Park
;
Seung-Eon Ahn
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2017年第5期
关键词:
X-ray imaging;
Photoconducting materials;
Signal to noise ratio;
Image sensors;
Electrodes;
Lighting;
Electron traps;
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