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Journal of Semiconductors

Journal of Semiconductors

中文名称：半导体学报

ISSN：1674-4926
出版周期：Monthly

发文量：2183

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共11条结果

1.Improving reverse intersystem crossing of MR-TADF emitters for OLEDs

机译：Improving reverse intersystem crossing of MR-TADF emitters for OLEDs
- 作者：Luo Xufeng;Zhang Lixiu;Zheng YouxuanDing Liming
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
2.Bulk GaN-based SAW resonators with high quality factors for wireless temperature sensor

机译：Bulk GaN-based SAW resonators with high quality factors for wireless temperature sensor
- 作者：Lv Hongrui;Shi Xianglong;Ai YujieLiu ZheLin DefengJia LifangCheng ZheYang JieZhang Yun
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
- surface acoustic wave;
- resonator;
- gallium nitride;
- quality factor;
- temperature sensor;
3.Plasma atomic layer etching of GaN/AlGaN materials and application: An overview

机译：Plasma atomic layer etching of GaN/AlGaN materials and application: An overview
- 作者：Guan Lulu;Li Xingyu;Che DongchenXu KaidongZhuang Shiwei
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
- gallium nitride;
- plasma etching;
- atomic layer etching;
- self-limiting;
- ELECTRICAL-PROPERTIES;
- ALGAN/GAN HEMTS;
- GAN;
- DEVICE;
- AL2O3;
- SI;
- CHLORINE;
- RECESS;
- GAAS;
4.Organic photodetectors with non-fullerene acceptors

机译：Organic photodetectors with non-fullerene acceptors
- 作者：Bai Songxue;Zhang Lixiu;Lin QianqianDing Liming
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
5.Ag-catalyzed GaSb nanowires for flexible near-infrared photodetectors

机译：Ag-catalyzed GaSb nanowires for flexible near-infrared photodetectors
- 作者：Sa Zixu;Liu Fengjing;Liu DongWang MingxuZhang JieYin YanxuePang ZhiyongZhuang XinmingWang PengYang Zaixing
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
- near-infrared photodetector;
- flexible;
- GaSb nanowires;
- CMOS-compatible catalyst;
- III-V;
- MOBILITY;
- GROWTH;
6.(Ba1-xNax)F(Zn1-xMnx)Sb: A novel fluoride-antimonide magnetic semiconductor with decoupled charge and spin doping

机译：(Ba1-xNax)F(Zn1-xMnx)Sb: A novel fluoride-antimonide magnetic semiconductor with decoupled charge and spin doping
- 作者：Zhao Xueqin;Dong Jinou;Fu LichengGu YilunZhang RufeiYang QiaolinXie LingfengTang YinsongNing Fanlong
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
- magnetic semiconductors;
- ferromagnetic interaction;
- carriers;
- spin-glass;
- FERROMAGNETISM;
- (GA;
7.High-power microwaves response characteristics of silicon and GaAs solar cells

机译：High-power microwaves response characteristics of silicon and GaAs solar cells
- 作者：Meng Xiangrui;Chai Changchun;Li FuxingSun YiYang Yintang
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
- solar cells;
- silicon;
- GaAs;
- HPM;
- repetition frequency;
- response characteristics;
- TEMPERATURE;
- SI;
8.Four-channel CWDM transmitter chip based on thin-film lithium niobate platform

机译：Four-channel CWDM transmitter chip based on thin-film lithium niobate platform
- 作者：Chen Kaixuan;Chen Gengxin;Ruan ZiliangFan XuancongZhang JunweiGan RanfengLiu JieDai DaoxinGuo ChangjianLiu Liu
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
- transmitter;
- lithium niobate;
- coarse wavelength-division multiplexing;
- electro-optic modulator;
- TRANSMISSION;
- MODULATORS;
9.Colossal negative magnetoresistance from hopping in insulating ferromagnetic semiconductors

机译：Colossal negative magnetoresistance from hopping in insulating ferromagnetic semiconductors
- 作者：Liu Xinyu;Riney Logan;Guerra JosuePowers WilliamWang JiashuFurdyna Jacek K.Assaf Badih A.
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
10.Clarifying the atomic origin of electron killers in beta-Ga2O3 from the first-principles study of electron capture rates

机译：Clarifying the atomic origin of electron killers in beta-Ga2O3 from the first-principles study of electron capture rates
- 作者：Suo Zhaojun;Wang Linwang;Li ShushenLuo Junwei
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
- wide bandgap semiconductor;
- defects;
- carrier trap;
- electron-phonon coupling;
- first-principles calculation;
11.Hybrid C8-BTBT/InGaAs nanowire heterojunction for artificial photosynaptic transistors

机译：Hybrid C8-BTBT/InGaAs nanowire heterojunction for artificial photosynaptic transistors
- 作者：Nie Yiling;Xie Pengshan;Chen XuJin ChenxingLiu WanrongShi XiaofangXu YunchaoPeng YongyiHo Johnny C. C.Sun JiaYang Junliang
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2022年第11期
- photonic synaptic transistor;
- C8-BTBT;
- InGaAs;
- heterojunction;
- LARGE-SCALE;

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