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International Journal of Semiconductor Science & Technology
International Journal of Semiconductor Science & Technology
中文名称:国际半导体科学技术杂志
ISSN:
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1.
COMPARATIVE STUDY OF THERMAL NOISE OF Si SURROUNDING GATE MOSFET (SGMOSFET) WITH DIFFERENT GATE OXIDES
机译:
带有不同栅极氧化物的Si环绕栅极MOSFET(SGMOSFET)热噪声的比较研究
作者:
SARADINDU PANDA
;
CHIRADEEP MUKHERJEE
;
B. MAJI
;
A. K. MUKHOPADHYAY
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2018年第2期
关键词:
Compact Noise Modeling;
SG MOSFETs;
Thermal Noise;
Silicon di Oxide;
Silicon Nitride;
Alumina;
2.
DIGITAL PARAMETERS EFFECT OF LHM MODELING
机译:
LHM建模的数字参数效应
作者:
C. CHETTAH
;
C. CHAABI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2018年第2期
关键词:
Metamaterial;
LHM;
FDTD;
NRI;
Perfect Lens;
3.
ACTIVATION ENERGY OF IN_xGA_(1-x)AS THIN FILM PREPARED BY MBE
机译:
MBE制备的IN_xGA_(1-x)薄膜的活化能
作者:
ALAM M K
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2018年第2期
关键词:
Conductivity;
Concentration;
Temperature;
4.
EFFECT OF YTTRIUM DOPING ON THE PROPERTIES OF BISMUTH FERRITE: A REVIEW
机译:
钇掺杂对铋铁矿性能的影响
作者:
SUBHABRATA CHAKRABORTY
;
SOUMYA MUKHERJEE
;
SIDDHARTHA MUKHERJEE
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2018年第2期
关键词:
Bismuth Ferrite;
Multiferroic;
Yttrium Doping;
XRD;
SEM;
FTIR;
Raman Spectroscopy;
5.
ROUTE TO CHAOS AND NONRADIATIVE RECOMBINATION IN LASER DIODE
机译:
激光二极管中的混沌路线和非辐射重组
作者:
SALAH ABDULRHMANN
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2018年第1期
关键词:
Semiconductor Laser;
Nonradiative Recombination;
Optical Feedback;
Periodic Oscillation;
Periode Doupling;
6.
ANALYTICAL MODELING OF TRIPLE GATE MOSFET
机译:
三栅极MOSFET的解析模型
作者:
S NANDI
;
M SARKAR
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2018年第1期
关键词:
Triple Gate;
Conductance;
Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL);
Transconductance;
Voltage-Gain and BOX;
7.
PERFORMANCE OF A NANOSTRUCTURED PbS/Si HETROJUNCTION DETECTOR DEPOSITED BY CBD
机译:
CBD沉积纳米结构PbS / Si异质结探测器的性能
作者:
A LI M. MOUS
;
SELMA M. H. AL-JAWAD
;
SUAD M. KADHIM AL-SHAMMARI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2018年第1期
关键词:
Nano PbS;
Hetrojunction;
Chemical Bath Deposition;
8.
ULTRA LOW-POWER DIGITAL CIRCUITS USING MULTI-THRESHOLD MTCMOS TECHNIQUE
机译:
采用多阈值MTCMOS技术的超低功耗数字电路
作者:
P. SREENIVASULU
;
Y. AMULYA
;
K. SRINIVASA RAO
;
A. VINAYA BABU
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2018年第1期
关键词:
Dual Threshold Voltage;
Low-Power;
MTCMOS;
Sub Threshold Leakage Current;
9.
PERFORMANCE COMPARISON OF ELECTRICAL PARAMETERS BETWEEN GANFINFET AND SI-FINFET NANO DEVICES ANINDYA SHUBRO CHAKROBORTY
机译:
GANFINFET和SI-FINFET纳米器件ANINDYA SHUBRO CHAKROBORTY之间的电参数性能比较
作者:
JAVED HOSSAIN
;
S. M. MOSTAFA AL MAMUN
;
ZAHID HASAN MAHMOOD
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第1期
关键词:
GaNFinFET;
Si-FinFET;
Channel Length;
Electrical Parameters Leakage Current;
10.
DESIGNING A NEW REVERSIBLE ADDER/SUBTRACTOR CIRCUIT FOR LOW POWER ALU APPLICATION
机译:
设计用于低功耗ALU应用的新型可逆加法器/减法器电路
作者:
DISHA A. TIWADE
;
R. ANITHA
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第1期
关键词:
Reversible Gates;
Garbage;
Quantum Cost;
Reversible Computing;
Ternary Logic;
Ternary Reversible Adder/Subtractor;
11.
OPTIMIZATION OF LIFTER OPERATIONS FOR INTER-LINE TRANSFERS IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING FACILITIES
机译:
半导体制造设备中线间传输的提升操作的优化
作者:
JINPYO LEE
;
SEUNGBEOM KIM
;
BYUNGSOO NA
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第1期
关键词:
Inter-Line Transfer;
Material Handling;
Semiconductor;
Optimization;
Simulation;
12.
STUDY OF 600 V-CLASS SUPERJUNCTION METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH TERMINATION OF TRENCH STRUCTURE AND SIPOS
机译:
终止沟槽结构和SIPOs的600 V级超结金属氧化物-半导电晶体管场效应晶体管的研究
作者:
FANG-WEI CHANG
;
JYH-LING LIN
;
YOUNG-HUANG CHOU
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第1期
关键词:
SJ-MOSFETs;
Termination;
SIPOS;
Trench;
pecific On-Resistance;
13.
NON CHEMICAL WATER TREATMENT PROCESS FOR TDS REDUCTION IN COOLING TOWER - SPECIFIC STUDY ON ELECTRICAL CONDUCTIVITY AND TURBIDITY
机译:
冷却塔降低TDS的非化学水处理工艺-电导率和浊度的具体研究。
作者:
K. NAVEENA LATHA
;
P. RAM REDDY
;
D. V. RAVI SHANKAR
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第1期
关键词:
Tangential Water Flow Through Nozzle;
Cavitation Chamber;
TDS;
Hardness;
Convergent Nozzles;
Electrical Conductivity;
Turbidity;
Calcium /Magnesium;
Sulphates;
14.
A NOVEL VISUAL SISO AND MIMO COMPUTER INTERFACE FOR PROCESS PRODUCTION SYSTEM
机译:
用于过程生产系统的新型视觉SISO和MIMO计算机接口
作者:
MANIKANDAN. C
;
NEELAMEGAM. P
;
RAKESH KUMAR. S
;
SAI SIVA SATWIK. K
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第2期
关键词:
Computer;
Closed-Loop Control System;
Computer Interface;
SISO;
MIMO;
15.
A NOVEL TECHNIQUE FOR REDUCING THE FAULT CURRENT AND OVER VOLTAGE IN ELECTRICAL POWER DISTRIBUTED SYSTEM AND ENHANCING THE SECURITY THROUGH AN ACTIVE TYPE SFCL
机译:
降低配电系统故障电流和过电压并通过有源型SFCL增强安全性的新技术
作者:
PRABHAKARA SHARMA. P
;
SUREKA VADDE
;
V. N. MURTHY. M
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第2期
关键词:
SFCL;
MATLAB / SIMULINK;
16.
ESD-RELIABILITY INFLUENCES OF AN HV NLDMOS WITH DIFFERENT EMBEDDED SCR STRUCTURES IN THE DRAIN SIDE
机译:
漏极侧具有不同嵌入式SCR结构的HV NLDMOS的ESD可靠性影响
作者:
SHEN-LI CHEN
;
MIN-HUA LE E
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第2期
关键词:
Electrostatic Discharge (ESD);
Embedded SCR;
Holding Voltage (V_h);
N-Channel Lateral Double-Diffused MOS (nlDMOS);
Latch-Up Effect;
Secondary Breakdown Current (I_(t2));
Trigger Voltage (V_(t1));
17.
ENHANCEMENT OF STATIC FREQUENCY CONVERTER START-UP RELIABILITY FOR PUMPED STORAGE POWER UNITS OF GUANGZHOU PUMPED STORAGE POWER STATION
机译:
广州市抽水蓄能电站水力发电站静态频率转换器启动可靠性的提高
作者:
HUANGWEI
;
WONG WAI LUN
;
CHOW FU KIT EDWARD
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第2期
关键词:
Static Frequency Convenor;
Rotor Initial Position;
Variable Frequency Start-Up Pumped Storage Power Station;
18.
ROUTE-TO-CHAOS AND OPERATION OF LASER DIODE UNDER OPTICAL FEEDBACK WITH LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR
机译:
带有线宽增强因子的光反馈下的路线到混沌和激光二极管的操作
作者:
SALAH ABDULRHMANN
;
A. AL-HOSSAIN
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第2期
关键词:
Laser Diodes;
Linewidth Enhancement Factor;
Optical Feedback;
and Chaos;
19.
COMPUTATIONAL METHODS FOR DISTRIBUTION SYSTEM FOR RELIABILITY METRICS
机译:
可靠性指标分布系统的计算方法
作者:
C. V MOHAN
;
SEETHARAM K
;
H. B. PHANI RAJU
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2019年第2期
关键词:
Distribution System;
Reliability Evaluation;
SAIDI;
SAIFI;
CAIDI;
PCA - Principal Component Analysis;
20.
OPTIMIZATION OF LIFTER OPERATIONS FOR INTER-LINE TRANSFERS IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING FACILITIES
机译:
优化半导体制造设施中线间传输的升降机操作
作者:
JINPYO LEE
;
SEUNGBEOM KIM
;
BYUNGSOO NA
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第1期
关键词:
Inter-Line Transfer;
Material Handling;
Semiconductor;
Optimization;
Simulation;
21.
EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF PHOTOVOLTAIC PERFORMANCE OF SILICON SOLAR CELL BY USING COPPER DOPED TIO_2 THIN FILM
机译:
用铜掺杂TiO_2薄膜实验研究硅太阳能电池的光伏性能
作者:
CH. CHAITANYA
;
SANDEEP YECHURI
;
K. RAMAKRISHNA
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第1期
关键词:
Si solar Cell;
TiO_2 Thin Film;
Cu Doping Efficiency;
22.
THE DESIGN AND FABRICATION OF STEERING CONTROLLED HEADLIGHTS
机译:
转向控制前灯的设计和制作
作者:
RAJU. T
;
KISHORE KUMAR. K
;
JAWAHAR. M
;
JEEVAN REDDY. C
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第1期
关键词:
Customer Satisfaction;
Customer Safety;
Curved Roads;
Cam Plate Link Mechanism BMW;
AudiQ-7;
Benz Safer Drive;
23.
DESIGN AND FABRICATION OF TEST RIG TO DETERMINE HELIUM PERMEABILITY THROUGH FABRIC
机译:
试验台的设计与制造,以通过织物测定氦渗透率
作者:
VISHAL DARJI
;
BHAVENDRA JHA
;
ANKIT KORGAONKAR
;
JOHN REBEIRO
;
BHUSHAN SONAWANE
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第1期
关键词:
Gas Permeability Tester;
Helium Leak Detector;
Fabric Characterization LTA Systems;
24.
DESIGN AND ANALYSIS OF AN INTEGRATED EXHAUST MANIFOLD WITH TURBOCHARGER FOR CONSIDERABLE REDUCTION OF OVER HEATING OF BEARING SYSTEM
机译:
涡轮增压器集成排气歧管的设计与分析,轴承系统大大减少加热
作者:
NIVIN JOY
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第1期
关键词:
Exhaust Manifold;
Turbocharger Bearing;
25.
ANALYSIS OF MECHANICAL STRENGTH FOR NANOSIZED SCANDIA DOPED DISPENSER CATHODES
机译:
纳米套掺杂分配器阴极机械强度分析
作者:
K. DINESH
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第1期
关键词:
Scandate Cathodes;
Mechanical Strength;
Electron Emission Vacuum Electron Device;
26.
DEVELOPMENT OF A DECISION SUPPORT SYSTEM FOR SOLAR PANEL SELECTION USING INTEGRATED ANALYTIC HIERARCHY PROCESS AND GREY RELATIONAL ANALYSIS
机译:
开发使用集成分析层次过程和灰色关系分析的太阳能电池板选择决策支持系统
作者:
SASIKUMAR GNANASEKARAN
;
SIVASANGARI AYYAPPAN
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第1期
关键词:
Solar Panel;
Analytical Hierarchy Process;
Grey Relational Analysis MCDM;
27.
RELIABILITY OF TRANSFORMERS FOR BASE STATIONS IN MOBILE COMMUNICATIONS SYSTEMS
机译:
移动通信系统中基站变压器的可靠性
作者:
LIZETH CASTILLO-VELASCO
;
OSCAR D. FLOREZ C.
;
JULIAN R. CAMARGO L.
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第2期
关键词:
Base Station;
Monte Carlo Simulation;
Reliability Transformers;
28.
EXPERIMENTAL AND FINITE ELEMENT ANALYSIS OF COMPRESSION BEHAVIOUR OF SIC/FA/GRPARTICULATESFILLED AA 7075 ALLOY COMPOSITES
机译:
SiC / FA / GRPARTICALATES填充AA 7075合金复合材料的试验和有限元分析
作者:
CH. L. ASLESHA
;
P. SRINIVAS
;
U. S. RAMAKANTH
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第2期
关键词:
Upset Forging;
Plastic Analysis;
AA7075;
ANSYS Aspect Ratios;
29.
SYNTHESIS AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF SM~(3+) DOPED KMGPO_4 PHOSPHOR FOR WHITE LIGHT-EMITTING DIODES
机译:
用于白色发光二极管的SM〜(3+)掺杂KMGPO_4磷光体的合成和光致发光性能
作者:
SARVJEET SINGH
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第2期
关键词:
Phosphate;
Luminescence;
Sm~(3+);
Orange Emission Solid-state Reaction;
30.
RELIABILITY AND SURVIVAL ANALYSES OF MOBILE OS VIA WEIBULL MODEL
机译:
通过Weibull模型的移动OS的可靠性和生存分析
作者:
JULLIARD RALIHALIZARA
;
JULES HARRIS DANARSON
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第2期
关键词:
Mobile Operating System;
Reliability Analysis Survival Analysis;
31.
TURBIDITY METER FOR DETERMINATION OF WATER TURBIDITY LEVEL BASED ON SEMICONDUCTOR COMPOUND
机译:
基于半导体化合物测定水浊水平的浊度仪
作者:
J. B. SAPAEV
;
A. ARIFJANOV
;
B. SAPAEV
;
B. M. KAMANOV
;
L. SAMIEV
;
SH. H. ISMOILOV
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第2期
关键词:
Land Reclamation Condition of Water;
the Degree of Soil Pollution;
the Instrument to Determine the Degrees of Water Pollution;
Electronic Graph;
the Differences Advantages;
32.
SIMULATION OF HEAT TRANSFER IN A HEAT PIPE WITH AN AIR COOLED FINNED CONDENSER
机译:
带空气冷却翅片冷凝器的热管中传热的仿真
作者:
RAQEEB H. RAJAB
;
HUSSAIN H. AHMAD
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2020年第2期
关键词:
Thermosiphon;
Heat Pipe;
Finned Condenser Computational Fluid Dynamics;
33.
IoT-BASED WATER QUALITY MEASUREMENT SYSTEM FOR FISH FARMING USING LoRa-WAN TECHNOLOGY
机译:
利用洛拉 - 万科技为基于物联网水质测量系统
作者:
IVAN D. ANGEL E.
;
JULIAN R. CAMARGO L
;
CESAR A. PERDOMO CH
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2021年第1期
关键词:
Embedded System;
Fish Farming;
Internet of Things (IoT);
LoRa-WAN;
Monitoring;
34.
OPTIMIZATION OF ROTARY ELECTRODE EDM PROCESS PARAMETERS DURING MACHINING OF Ti-6Al-4V ALLOY
机译:
Ti-6Al-4V合金加工过程中旋光电极EDM工艺参数的优化
作者:
KAMAKSHI SINGH
;
S. S. DHAMI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2021年第1期
关键词:
Ti-6Al-4V Alloy;
Rotary EDM;
Material Removal Rate;
Overcut;
Response Surface Methodology;
ANOVA;
35.
EFFECT OF DEGRADATION ON THE QUALITY AND PERFORMANCE OF ALUMINIUM-DOPED ZINC OXIDE (ZNO) THIN FILMS DEPOSITED ON FLAT GLASS
机译:
降解对掺杂铝掺杂氧化锌(ZnO)薄膜的质量和性能的影响
作者:
GILBERT OSAYEMWENRE
;
FREDDIE INAMBAO
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2021年第1期
关键词:
Aluminium Doped Zinc Oxide (ZnO:Al);
Aluminium Doped Zinc Oxide (AZO);
Transparent Conductive Oxide (TCO);
Surface Roughness;
Morphological Degradation;
RMS Roughness;
36.
FATIGUE LIFE PREDICTION FOR PERFORATED PLATE BASED ON INELASTIC BEHAVIOR
机译:
基于非弹性行为的多孔板疲劳寿命预测
作者:
KORAKOD PANGLILAD
;
BOPIT BUBPHACHOT
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2021年第1期
关键词:
Fatigue testing;
Neuber's law;
SRL method;
Elevated temperature;
Perforated plate;
37.
AN ASSESSMENT OF MODULAR MANUFACTURING APPROACH IN GARMENT INDUSTRY BY USING SIMULATION
机译:
用模拟评估服装工业中模块化制造方法
作者:
DR. B. SUDARSHAN
;
J. SURESH BABU
;
S. VIJAY KUMAR
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2021年第1期
关键词:
Modular Manufacturing;
Plant Simulation;
Expert-Model;
38.
PERFORMANCE ANALYSIS OF 2 STROKE SPARK IGNITION ENGINE BY USING DIRECT FUEL INJECTOR
机译:
用直接燃油喷射器进行2冲程火花点火发动机的性能分析
作者:
KIRAN GOWD M. R
;
D. P .GIRISH
;
HARISH KUMAR R
;
MANJUNATH GOWDA M. R
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2021年第1期
关键词:
Direct Fuel Injector;
Indicated Power;
Specific Fuel Consumption;
39.
SIMULATION AND ANALYSIS OF SPECTRUM SENSING IN COGNITIVE RADIO
作者:
G. MUNI VENKATESH
;
K. SWARNA LATHA
;
Y. NARENDRA REDDYT. VASAIAHP. G. VARNA KUMAR REDDY
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2023年第1期
关键词:
Software Defined Radio;
Cognitive Radio;
Spectrum Allocation;
Cooperative Spectrum Sensing (CSS);
Spectrum Sharing;
Spectrum Management;
Energy Detection;
Double Threshold CSS;
MATLAB SIMULINK;
40.
FOCUS AND SCOPE
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2023年第1期
41.
TRANSSTELLAR JOURNAL PUBLICATIONS AND RESEARCH CONSULTANCY PVT. LTD., (TJPRC)
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2023年第1期
42.
AUTHOR GUIDELINES
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2023年第1期
43.
PERFORMANCE ENHANCEMENT OF LTE NETWORK SYSTEM FUNCTIONALITIES USING MIXED SENSITIVITY CONTROL
作者:
PHILIP-KPAE F.O.
;
NWABUEZE C.A.
;
MBACHU C.B.
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2023年第1期
关键词:
Compensation;
Transmission Control Protocol;
Mixsyn;
PID;
44.
DESIGN OF LIDAR BASED ULTRASONIC ANIMAL REPELLENTSYSTEM
作者:
ANUAPAMA S VARRIER
;
ANITHA P
;
ELIZABETH JOHNSONASWATHY S PAI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2023年第1期
关键词:
Lidar;
Ultrasonic speakers;
Arduino Nano;
ESP 32 Wifi and Camera module;
Servomotor;
45.
PRINCIPLES FOR ACHIEVING ENERGY EFFICIENCY IN DEVELOPING COUNTRIES
作者:
JERUSHA JOSEPH
;
FREDDIE INAMBAO
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2021年第2期
关键词:
Energy Efficiency in Developing Countries;
Energy Savings;
Energy Conservation;
Forms of Energy;
Energy Conversion Efficiencies Energy Management;
46.
CORRELATION ANALYSIS BETWEEN ENERGY EFFICIENCY AND ENERGY MANAGEMENT AT A CEMENT PLANT USING CORRELATIONAL ANALYSIS
作者:
OLUWAFEMI E. IGE
;
FREDDIE L. INAMBAO
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2021年第2期
关键词:
Cement Plant;
Energy Efficiency;
Energy Management;
Correlational Analysis Chi-Square Test;
47.
DEMONSTRATION OF ELECTRICAL TRANSPORT AND PHOTO RESPONSE PROPERTIES OF NANO PBS / N-SI HETERO JUNCTION GROWN BY CHEMICAL BATH DEPOSITION
作者:
ALIM. MOUS
;
SELMA M.H. AL-JAWAD
;
SUAD M. KADHIM AL-SHAMMARI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2021年第2期
关键词:
Nano PbS;
Hetrojunction Chemical Bath Deposition;
48.
SETTLING-TIME ANALYSIS IN TCP EXPEDITED LTE WIRELESS NETWORK USING MIXED SENSITIVITY CONTROL AND PID CONTROL TECHNIQUE
作者:
PHILIP-KPAE F.O.
;
NWABUEZE C.A.
;
MBACHU C.B.
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2023年第1期
关键词:
Transmission Control Protocol;
Mixsyn;
PID;
Settling Time;
Time Domain;
49.
A STUDY ON THE INFLUENCE OF NONRADIATIVE RECOMBINATION LIFETIME ON THE ROUTE TO CHAOS OF SEMICONDUCTOR LASER
作者:
SALAH ABDULRHMANN
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2021年第2期
关键词:
Semiconductor Laser;
Nonradiative Recombination;
Optical Feedback;
Periodic Oscillation Periode Doupling;
50.
APPLICATION OF THE DISPERSIVE FDTD METHOD FOR STUDYING DIFFERENT EFFECTS WHICH LIMIT THE RESOLUTION OF SUB -WAVELENGTH OF LHM SLAB
作者:
C. CHETTAH
;
C. CHAABI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2021年第2期
关键词:
Metamaterial;
LHM;
FDTD;
NRI Perfect Lens;
51.
ROUTE TO CHAOS AND NONRADIATIVE RECOMBINATION IN LASER DIODE
作者:
SALAH ABDULRHMANN
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第1期
关键词:
Semiconductor Laser;
Nonradiative Recombination;
Optical Feedback;
Periodic Oscillation Periode Doupling;
52.
A STUDY ON THERMAL NOISE PERFORMANCE OF VARIOUS SUBSTRATES WITH RESPECT TO DIFFERENT OXIDES
作者:
SARADINDU PANDA
;
CHIRADEEP MUKHERJEE
;
B. MAJIA. K. MUKHOPADHYAY
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2021年第2期
关键词:
Compact Noise Modeling;
SG MOSFETs;
Thermal Noise;
Silicon di Oxide;
Silicon Nitride Alumina;
53.
INVESTIGATION ON MILD CONDITION PREPARATION AND STRUCTURAL, OPTICAL AND THERMAL PROPERTIES OF PVP CAPPED CDS NANOPARTICLES
作者:
N. S. NIRMALA JOTHI
;
G. RAMALINGAM
;
R. GUNASEELANA. R. BABY SUGANTHIP. SAGAYARAJ
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
|
2022年第1期
关键词:
Nanostructure;
Chemical Synthesis;
Electron Microscopy;
Powder Diffraction Optical Properties;
54.
EFFECT OF YTTRIUM DOPING ON THE PROPERTIES OF BISMUTH FERRITE: A REVIEW
作者:
SUBHABRATA CHAKRABORTY
;
SOUMYA MUKHERJEE
;
SIDDHARTHA MUKHERJEE
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第1期
关键词:
Bismuth Ferrite;
Multiferroic;
Yttrium Doping;
XRD;
SEM;
FTI Raman Spectroscopy;
55.
ACTIVATION ENERGY OF IN_xGA_(1-x)AS THIN FILM PREPARED BY MBE
作者:
ALAM M K
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第1期
关键词:
Conductivity;
Concentration Temperature;
56.
ULTRA LOW-POWER DIGITAL CIRCUITS USING MULTI-THRESHOLD MTCMOS TECHNIQUE
作者:
P. SREENIVASULU
;
Y. AMULYA
;
K. SRINIVASA RAOA. VINAYA BABU
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第1期
关键词:
Dual Threshold Voltage;
Low-Power;
MTCMOS Sub Threshold Leakage Current;
57.
DIGITAL PARAMETERS EFFECT OF LHM MODELING
作者:
C. CHETTAH
;
C. CHAABI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第1期
关键词:
Metamaterial;
LHM;
FDTD;
NRI Perfect Lens;
58.
SYNTHESIS AND STUDY OF NONLINEAR OPTICAL PROPERTIES OF A NEW AZO DYE BY Z-SCAN TECHNIQUE
作者:
HUSSAIN A. BADRAN
;
ADIL A. AL-FREGI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第1期
关键词:
Nonlinear Optics;
Nonlinear Refractive Index;
Z-Scan Technique Optical Limiting;
59.
SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF SM-DOPEDZINC OXIDE NANO-CRYSTALLINE POWDERS
作者:
SIVA PRASAD PEDDI
;
BILAL ABDALLAH SADEH
;
Y. ABDELHAYE
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第2期
关键词:
Zinc Oxide;
Samarium Doped;
Nanoparticles;
Synthesis;
Characterization;
60.
THERMAL STUDY OF THE DC BEHAVIOR IN SIO_2/AL_(0.26)GA_(0.74)N/GAN MOS-HEMT
作者:
HAMIDA DJELTI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第2期
关键词:
Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN;
MOS-HEMT;
SiO_2;
Thermal;
Temperature;
Finite element;
61.
INVESTIGATION OF SIZE AND BAND GAP DISTRIBUTIONS OF SI NANOPARTICLES FROM MORPHOLOGY AND OPTICAL PROPERTIES OF POROUS SILICON LAYERS FORMED ON A TEXTURED N~+ P SILICON SOLAR CELL
作者:
G. M. YOUSSEF
;
M. M. EL-NAHASS
;
S. Y. EL-ZAIATM. A. FARAG
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第2期
关键词:
Porous Silicon;
XRD;
SEM;
ARC;
Solar Cell;
PL;
Band Gap;
62.
A PROPOSAL ON HIGH SPEED PIPELINED MULTIPLIER ARCHITECTURE
作者:
PADMANABIN GOPALAKRISHNA
;
GANGAVARAPU KIRAN KUMAR
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第2期
关键词:
Vedic Mathematics;
Urdhva Triyakbhyam Sutra;
Array Multiplier;
Booth Multiplier;
Nibble;
High Speed;
63.
AC AND DC ELECTRICAL PROPERTIES OF TETRAPYRAZINO-PORPHYRAZINE VANADYL (Ⅳ)
作者:
NAZAR A. HUSSIEN
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第2期
关键词:
Tetrapyrazinoporphrazine Vanadyl Complex. Ac and Dc Conductivity;
64.
A STUDY ON STRUCTURAL, MORPHOLOGICAL, AND OPTICAL PROPERTIESOF CDS THIN FILMS DEPOSITED USING CHEMICAL BATH DEPOSITION METHOD
作者:
R. A. SHANMUGAVADIVU
;
J. YUVALOSHINI
;
G. RAVI
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第2期
关键词:
Semiconductor;
Annealing;
X-ray Diffraction (XRD);
Scanning Electron Microscopy (SEM);
65.
AVENUES TO INCREASE THE QUALITY OF CURRENT DRIVE AND IMPROVE THE SHORT-CHANNEL EFFECTS (SCES) OF TRIPLE GATE (TG) MOSFET
作者:
S. NANDI
;
M. SARKAR
期刊名称:
《International Journal of Semiconductor Science & Technology》
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2022年第2期
关键词:
Triple Gate;
Conductance;
Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL);
Transconductance;
Voltage-Gain and BOX;
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