摘要:由于它的突出的电子性质,黑磷(BP ) 为下一代的 optoelectronic 设备被看作有希望的材料。在这个工作,设备基于 BP/MXene (Zr n+1 C n T 2,T= O, F,哦, n = 1, 2 ) 货车 der Waals (vdW ) heterostructures 经由第一原则的计算被设计。Zr n +1 C n 有适当工作功能的 T 2 作文在垂直方向导致与 BP 的欧姆的接触的形成。低 Schottky 障碍在 BP/Zr 2 CF 2, BP/Zr 2公司 2 H 2, BP/Zr 3 C 2 F 2,和 BP/Zr 3 C 2 O 2 H 2 bilayers ,并且 BP/Zr 3 C 2 O 2甚至展出欧姆的接触行为。BP/Zr 2 公司 2 是有 type-II 乐队排列的半导体的 heterostructure,它便于电子洞对的分离。BP/Zr 2 公司 2 能有效地经由一个垂直电场被调节,并且 BP 被预言在 0.4 V/ 电场从施主经历转变到领受人。在这个工作检验的 BP/MXene heterostructures 的万用的电子性质在电子学为应用加亮他们的有希望的潜力。