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1.
Various layouts of analog CMOS optical position-sensitive detectors
机译:
模拟CMOS光学位置敏感探测器的各种布局
作者:
Davies W. deLimaMonteiro
;
Delft Univ. of Technology
;
Delft
;
Netherlands
;
Gleb V. Vdovin
;
Delft Univ. of Technology
;
Delft
;
Netherlands
;
Pasqualina M. Sarro
;
Delft Univ. of Technology
;
Delft
;
Netherlands.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
2.
Ultrahigh-resolution 14400-pixel trilinear color image sensor
机译:
14400像素超高分辨率三线性彩色图像传感器
作者:
Thomas Carducci
;
Eastman Kodak Co.
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Antonio S. Ciccarelli
;
Eastman Kodak Co.
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Brent Kecskemety
;
Eastman Kodak Co.
;
Rochester
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
3.
Structure and physical properties of Zn1-xMgxSe single crystals
机译:
Zn1-xMgxSe单晶的结构和物理性质
作者:
Yuri A. Zagoruiko
;
Institute for Single Crystals
;
Kharkov
;
Ukraine
;
O.A. Fedorenko
;
Institute for Single Crystals
;
Kharkov
;
Ukraine
;
N.O. Kovalenko
;
Institute for Single Crystals
;
Kharkov
;
Ukraine
;
M.A. Rom
;
Institute for Single Crystals
;
Kharkov
;
Ukraine
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
4.
Noise characteristics of bootstrapped photovoltaic and photoconductivedetectors,
机译:
自举光伏和光电导探测器的噪声特性,
作者:
Janos P. Makai
;
Research Institute for Technical Physics
;
Material Science
;
Budapest
;
Hungary
;
Jozef J. Makai
;
Siemens Telefongyar Ltd.
;
Budapest
;
Hungary
;
Janos Balazs
;
Research Institute for Technical Physics
;
Material Science
;
Budapest
;
Hungary.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
5.
High-performance 480x12x4 linear CMOS IR multiplexer
机译:
高性能480x12x4线性CMOS红外多路复用器
作者:
Charles F. Walmsley
;
Walmsley Microelectronics Ltd.
;
Edinburgh
;
United Kingdom
;
Timothy R. Beystrum
;
Litton Electro-Optical Systems
;
Tempe
;
AZ
;
USA
;
Charles Glasser
;
Litton Electro-Optical Systems
;
Tempe
;
AZ
;
USA
;
Ray Himoto
;
Litton Electro-Optical System
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
6.
Characterization of optical properties of PtSi at 3.392 um from 300 K to 85 K and the relation of morphological effects
机译:
PtSi在30092〜300K范围3.392 um处的光学性质表征及其形态效应的关系。
作者:
Shane OPrey
;
Queens Univ. of Belfast
;
Belfast Northern Ireland
;
United Kingdom
;
Gerald F. Cairns
;
Queens Univ. of Belfast
;
Belfast Northern Ireland
;
United Kingdom
;
Paul Dawson
;
Queens Univ. of Belfast
;
Belfast Northern Ireland
;
United Kingdom.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
7.
Avalanche photodiode array sensor with high-speed CCD delay line readout
机译:
具有高速CCD延迟线读取功能的雪崩光电二极管阵列传感器
作者:
Kevin L. Albright
;
Los Alamos National Lab.
;
Los Alamos
;
NM
;
USA
;
Jeffrey M. Bradley
;
Los Alamos National Lab.
;
Los Alamos
;
NM
;
USA.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
8.
High-speed photocurrent in quantum well infrared photodetectors
机译:
量子阱红外光电探测器中的高速光电流
作者:
Harald Schneider
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Freiburg
;
Germany
;
Peter Koidl
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Freiburg
;
Germany
;
Martin Walther
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Fr
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
9.
Noise characteristics of bootstrapped photovoltaic and photoconductive detectors
机译:
自举式光电探测器的噪声特性
作者:
Author(s): Janos P. Makai Research Institute for Technical Physics and Material Science Budapest Hungary
;
Jozef J. Makai Siemens Telefongyar Ltd. Budapest Hungary
;
Janos Balazs Research Institute for Technical Physics and Material Science Budapest
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
10.
Modeling terahertz radiation from a photoconducting structure
机译:
模拟来自光电导结构的太赫兹辐射
作者:
Kate A. Remley
;
Oregon State Univ.
;
Boulder
;
CO
;
USA
;
Andreas Weisshaar
;
Oregon State Univ.
;
Corvallis
;
OR
;
USA
;
Vijai K. Tripathi
;
Oregon State Univ.
;
Corvallis
;
OR
;
USA
;
Stephen M. Goodnick
;
Arizona State Univ.
;
Tempe
;
AZ
;
USA.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
11.
Self-cleaning effect and compensation mechanisms in Cl-doped high-resistivity cadmium telluride
机译:
掺Cl高电阻碲化镉的自清洁效应及补偿机理
作者:
Vladimir N. Babentsov
;
Univ. Autonoma de Madrid (Spain)
;
Institute of Sem iconductor Physics
;
Kiev-28
;
Ukraine
;
Victoria Corregidor
;
Univ. Autonoma de Madrid
;
Cantoblanco
;
Spain
;
Klaus-Werner Benz
;
Univ. Freiburg
;
Freiburg
;
Germany
;
T.Feltgen
;
Univ. Freibu
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
12.
Materials and designs for high-temperature infrared photon detectors
机译:
高温红外光子探测器的材料和设计
作者:
Christoph H. Grein
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
R.J. Radtke
;
Harvard Univ.
;
Cambridge
;
MA
;
USA
;
Henry Ehrenreich
;
Harvard Univ.
;
Cambridge
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
13.
Influence of interdiffusion on strained GaInSb/InAs material and itsapplication on long-wavelength infrared photodectors,
机译:
互扩散对应变GaInSb / InAs材料的影响及其在长波长红外光电探测器中的应用,
作者:
Alex S. Lee
;
Univ. of Hong Kong
;
Hamilton
;
ON
;
Canada
;
E.H. Li
;
Univ. of Hong Kong
;
Hong Kong
;
Hong Kong.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
14.
MOSES: a modular sensor electronics system for space science and commercial a
机译:
MOSES:用于太空科学和商业应用的模块化传感器电子系统
作者:
Harald Michaelis
;
DLR
;
Berlin-Adlershof
;
Germany
;
Thomas Behnke
;
DLR
;
Berlin-Adlershof
;
Germany
;
Matthias Tschentscher
;
DLR
;
Berlin-Adlershof
;
Germany
;
Stefano Mottola
;
DLR
;
Berlin-Adlershof
;
Germany
;
Gerhard Neukum
;
DLR
;
Berlin
;
Germany.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
15.
Demonstration of terahertz water-vapor spectroscopy with a photomixer transceiver
机译:
用光混合器收发器演示太赫兹水蒸气光谱
作者:
K.A. McIntosh
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Simon Verghese
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
16.
Free-standing amorphous Y-Ba-Cu-O detectors for uncooled IR detection and the effects of doping
机译:
独立式无定形Y-Ba-Cu-O探测器,用于非冷却红外探测和掺杂的影响
作者:
Mahmoud Almasri
;
Southern Methodist Univ.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Donald P. Butler
;
Southern Methodist Univ.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Zeynep Celik-Butler
;
Southern Methodist Univ.
;
Southern Methodist Univer
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
17.
High-speed backside-illuminated time-delay-integration (TDI) CCDs
机译:
高速背照式时间延迟积分(TDI)CCD
作者:
John R. Tower
;
Sarnoff Corp.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Tom M. Sudol
;
Sarnoff Corp.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Vipulkumar Patel
;
Sarnoff Corp.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
P.K. Swain
;
Sarnoff Corp.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Peter A. Levine
;
Sarnoff Corp.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Fu-L
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
18.
Infrared photodetectors fabricated from self-organized quantum dot nanostructures
机译:
由自组织量子点纳米结构制成的红外光电探测器
作者:
Elias Towe
;
Univ. of Virginia
;
Arlington
;
VA
;
USA
;
Dong Pan
;
Univ. of Virginia
;
Charlottesville
;
VA
;
USA
;
Stephen Kennerly
;
U.S. Army Research Lab.
;
Adelphi
;
MD
;
USA.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
19.
Intermixing-induced tunability in infrared-emitting InGaAs/GaAs quantum dots
机译:
红外发射的InGaAs / GaAs量子点中的混合诱导可调谐性
作者:
Rosa Leon
;
Jet Propulsion Lab.
;
Pasadena
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
20.
InAs/Ga1-xInxSb infrared superlattice diodes: correlation between surface morphology and electrical performance
机译:
InAs / Ga1-xInxSb红外超晶格二极管:表面形态与电性能之间的关系
作者:
Frank Fuchs
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Freiburg
;
Germany
;
L.Burkle
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Freiburg
;
Germany
;
W.Pletschen
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Freiburg
;
Ger
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
21.
Influence of interdiffusion on strained GaInSb/InAs material and its application on long-wavelength infrared photodectors
机译:
互扩散对应变GaInSb / InAs材料的影响及其在长波长红外光电探测器中的应用
作者:
Author(s): Alex S. Lee Univ. of Hong Kong Hamilton ON Canada
;
E.H. Li Univ. of Hong Kong Hong Kong Hong Kong.
会议名称:
《Materials and Electronics for High-Speed and Infrared Detectors》
|
1999年
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