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2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
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1.
TID characterization of 0.13µm SONOS cell in 4Mb NOR flash memory
机译:
4Mb NOR闪存中0.13µm SONOS单元的TID表征
作者:
Qiao Fengying
;
Yu Xiao
;
Pan Liyang
;
Ma Haozhi
;
Wu Dong
;
Xu Jun
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
2.
Quantitative investigation of the adhesion failure of Ti-based metal thin films on Si wafers
机译:
硅基钛基金属薄膜粘附失效的定量研究
作者:
Shuting Chen
;
Jie Zhu
;
Anyan Du
;
Younan Hua
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
3.
Outgassing study of thin films used for poly-SiGe based vacuum packaging of MEMS
机译:
MEMS的基于多SiGe的真空包装的薄膜脱气研究
作者:
Wang B.
;
Tanaka S.
;
Guo B.
;
Vereecke G.
;
Severi S.
;
Witvrouw A.
;
Wevers M.
;
De Wolf I.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
4.
Impact of line width on hydrostatic stress and stress-induced voiding in Cu interconnects
机译:
线宽对铜互连中的静水压力和应力诱发的空隙的影响
作者:
Guo H. Y.
;
Chen L.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
5.
Scrubber clean induced device IDDQ fail
机译:
洗涤器清洁引发的设备IDDQ失败
作者:
Chiu Re-Long
;
Higgins Jason
;
Ying Shu-Lan
;
Chang Shih-Tzung
;
Chung Jones
;
Dick Barry
;
Lee Easton
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
6.
Real time identification of contaminants in assembly and test
机译:
实时识别组装和测试中的污染物
作者:
Basilio Christopher
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
7.
The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs
机译:
NBTI和高k栅极P-MOSFET的TDDB之间的联系
作者:
Gao Y.
;
Ang D. S.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
8.
Comparison of three methods to measure the internal pressure of empty MEMS packages
机译:
三种测量空MEMS封装内部压力的方法的比较
作者:
Wang B.
;
Tanaka S.
;
De Coster J.
;
Severi S.
;
Witvrouw A.
;
Wevers M.
;
De Wolf I.
会议名称:
《》
|
2012年
9.
Noble Failure Analysis procedure for trench MOSFET technology devices through detail electrical parameter characterization and unique Fault Isolation technique
机译:
通过详细的电参数表征和独特的故障隔离技术,对沟槽MOSFET技术器件进行高贵故障分析程序
作者:
Yahya Abul Khair
;
Yusof Nik Tajuddin
;
Yusof Yusnani Mohamad
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
10.
Impact of gate oxide thickness variations on hot-carrier degradation
机译:
栅极氧化物厚度变化对热载流子降解的影响
作者:
Tyaginov S. E.
;
Starkov I. A.
;
Triebl O.
;
Karner M.
;
Kernstock Ch.
;
Jungemann C.
;
Enichlmair H.
;
Park J. M.
;
Grasser T.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
11.
A practical TEM sample preparation method for dopant profile delineation in vertical nanowire tunneling FETs
机译:
垂直纳米线隧穿FET中掺杂剂轮廓描绘的实用TEM样品制备方法
作者:
Tang L. J.
;
Zhang Y. J.
;
Trigg Alastair
;
Li X.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
12.
Investigation of electrochemical migration on fine pitch BGA package
机译:
细间距BGA封装的电化学迁移研究
作者:
Chen Yi Heng
;
Hsiao Meiying
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
13.
Diffusion ability of Stress Induced Voiding in advanced BEOL copper process
机译:
先进的BEOL铜工艺中应力诱发空洞的扩散能力
作者:
Huang Clement
;
Liang James W.
;
Juan Alex
;
Su K. C.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
14.
Local current measurements for avalanche breakdown in Silicon p-n junctions
机译:
硅p-n结中雪崩击穿的局部电流测量
作者:
Ding Y.
;
Poenar D. P.
;
Isakov D. V.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
15.
Lock-in IR-OBIRCH assisted with current detection probe head extend its application to high voltage high current failure analysis
机译:
锁定式IR-OBIRCH辅助电流检测探头将其应用扩展到高压大电流故障分析
作者:
Wu Chunlei
;
Tian Li
;
Wu Miao
;
Fan Diwei
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
16.
Die-level leakage current path analysis based on IR-OBIRCH technology
机译:
基于IR-OBIRCH技术的芯片级漏电流路径分析
作者:
Li Jinglong
;
Wen Gaojie
;
Yu Joe
;
Song Grace
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
17.
Phase and microstructure analysis by electron diffraction in semiconductor failure analysis
机译:
半导体失效分析中电子衍射的相和微结构分析
作者:
Liu Binghai
;
Mo Zhiqiang
;
Lei Qiang
;
Seah Soo Sien
;
Ye Chen
;
Li Lee Gek
;
Changqing Chen
;
Oh Chong Khiam
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
18.
Surface potential and electric field mapping of p-well-well junction by secondary electron potential contrast and in-situ nanoprobe biasing
机译:
通过二次电子电势对比和原位纳米探针偏压对p阱/ n阱结的表面电势和电场作图
作者:
Lee Jeng-Han
;
Liu Po-Tsun
;
Wang M. H.
;
Lin Y. T.
;
Huan Y. S.
;
Su David
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
19.
Failure Analysis of damaged dielectric on resistor and capacitor with EMMI and IR-OBIRCH
机译:
用EMMI和IR-OBIRCH分析电阻器和电容器上电介质损坏的故障
作者:
Tian Li
;
Wu Miao
;
Fan Diwei
;
Wu Chunlei
;
Wen Gaojie
;
Wang Dong
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
20.
Alternative FIB cross section and laser ablation methods to improve failure analysis throughput of copper wire moisture related reliability failures
机译:
可选的FIB横截面和激光烧蚀方法,以提高铜线水分相关可靠性故障的故障分析吞吐量
作者:
Kho W. F.
;
Leow J. L.
;
Cheah Y. C.
;
Cheah Y. W.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
21.
Quantitative aspects of optical IC debug using state-of-the-art backside preparation
机译:
使用最新的背面准备进行光学IC调试的定量方面
作者:
Boit C.
;
Glowacki A.
;
Pagano C.
;
Kerst U.
;
Yokoyama Y.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
22.
Fault isolation challenges and opportunities for proximal-probe imaging
机译:
故障隔离挑战和近端探头成像的机会
作者:
Vallett D. P.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
23.
Identification of electrically active non-visual defects in advanced devices
机译:
识别高级设备中的电活动非视觉缺陷
作者:
Bersuker Gennadi
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
24.
The correlation of performance in CdTe photovoltaics with grain boundaries
机译:
CdTe光伏电池中性能与晶界的相关性
作者:
Nowell M. M.
;
Wright S. I.
;
Scarpulla M. A.
;
Compaan A. D.
;
Liuc X.
;
Paudel N. R.
;
Wieland K. A.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
25.
Reliability concerns in copper TSV's: Methods and results
机译:
铜TSV中的可靠性问题:方法和结果
作者:
Croes Kristof
;
Cherman Vladimir O.
;
Li Yunlong
;
Zhao Larry
;
Barbarin Yohan
;
De Messemaeker Joke
;
Civale Yann
;
Velenis Dimitrios
;
Stucchi Michele
;
Kauerauf Thomas
;
Redolfi Augusto
;
Dimcic Biljana
;
Ivankovic Andrej
;
Van der Plas Geert
;
De Wolf Ingrid
;
Beyer
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
26.
Novel electrostatic discharge (ESD) protection solution in GaAs pHEMT technology
机译:
GaAs pHEMT技术中的新型静电放电(ESD)保护解决方案
作者:
Liou Juin J.
;
Cui Qiang
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
27.
Ultrafast submicron thermal characterization of integrated circuits
机译:
集成电路的超快亚微米热表征
作者:
Shakouri Ali
;
Maize Kerry
;
Jackson Philip
;
Wang Xi
;
Vermeersch Bjorn
;
Yazawa Kazuaki
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
28.
Advanced SEM/SPM microscopy
机译:
先进的SEM / SPM显微镜
作者:
Heiderhoff Ralf
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
29.
3D FinFET and other sub-22nm transistors
机译:
3D FinFET和其他22nm以下的晶体管
作者:
Hu Chenming
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
30.
Shifting time waveform induced CMOS latch up in bootstrapping technique applications
机译:
自举技术应用中的时移波形引起的CMOS锁存
作者:
Purwadi
;
Bai Shu-Ming
;
Prabowo Briliant Adhi
;
Tsai Jung-Ruey
;
Sheu Gene
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
31.
Case studies of laser ablation effects on Flash Memory devices
机译:
激光烧蚀对闪存设备影响的案例研究
作者:
Seng Yeoh Lai
;
Chai Yeoh Joon
;
Cheng Chong Kok
;
Li Susan
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
32.
Space Domain Reflectometry for open failure localization
机译:
空域反射法用于开放式故障定位
作者:
Gaudestad Jan
;
Talanov Vladimir
;
Gagliolo Nicolas
;
Orozco Antonio
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
33.
Failure analysis on the standby current due to dislocation in STI structure of flash memory
机译:
闪存STI结构错位导致待机电流故障分析
作者:
Kim Sang In
;
Yang Hyung Mo
;
Yang Hee Seong
;
Ahn Ju Hyeon
;
Kim Seok Sik
;
Shin Yu Gyun
;
Hwang Ki Hyun
;
Rim Ji Woon
;
Lee Woon Kyung
;
Kim Han Soo
;
Whang Sun Kyu
;
Sue Ji Woong
;
Cho Han Ku
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
34.
Correlation of very fast transmission line pulse (VFTLP) and Field-Induced Charged Device Model (CDM) Testing
机译:
超快速传输线脉冲(VFTLP)与场致充电设备模型(CDM)测试的相关性
作者:
Xue Yang
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
35.
Comparison of failure mechanisms of ESD GGNFET subjected to VFTLP robustness and reliability tests
机译:
经受VFTLP健壮性和可靠性测试的ESD GGNFET失效机制的比较
作者:
Lai Weng Hong
;
Koh C. K.
;
Khoo B. S.
;
Chen Y.
;
Chow S. Y.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
36.
Characterization of Si nanowires-based piezoresistive pressure sensor by dynamic cycling test
机译:
基于硅纳米线的压阻式压力传感器的动态循环测试
作者:
Lou Liang
;
Yan Hongkang
;
He Cairan
;
Park Woo-Tae
;
Kwong Dim-Lee
;
Lee Chengkuo
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
37.
Anomalous single bit retention induced by asymmetric STI-corner-thinning for floating gate Flash memories
机译:
浮栅闪存的非对称STI角变薄导致异常的单个位保留
作者:
Lee Ming-Yi
;
Hsiao Wei-Hao
;
Chen Ru-Ping
;
Kuo Li-Kuang
;
Dai Sheng-Qian
;
Ting Rong-Cyuan
;
Chen Chih-Lin
;
Chu Da-Gang
;
Lu Chih-Yuan
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
38.
1/f Noise measurement and its doping dependencies of Si Hall sensors
机译:
Si霍尔传感器的1 / f噪声测量及其掺杂依赖性
作者:
Sun Kai
;
Wang Mingxiang
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
39.
Nanoscale physical analysis of localized breakdown events in HfO2/SiOX dielectric stacks: A correlation study of STM induced BD with C-AFM and TEM
机译:
HfO2 / SiOX介质堆叠中局部击穿事件的纳米物理分析:STM诱导的BD与C-AFM和TEM的相关性研究
作者:
Shubhakar K.
;
Pey K. L.
;
Bosman M.
;
Thamankar R.
;
Kushvaha S. S.
;
Loke Y. C.
;
Wang Z. R.
;
Raghavan N.
;
Wu X.
;
OShea S. J.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
40.
A temperature control solution applied to IC failure analysis at low temperature
机译:
一种适用于低温IC故障分析的温度控制解决方案
作者:
Li Jinglong
;
Liu Jonathon
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
41.
Failure analysis on gate-driven ESD clamp circuit after TLP stresses of different voltage steps in a 16-V CMOS process
机译:
在16V CMOS工艺中不同电压阶跃的TLP应力后,栅极驱动ESD钳位电路的故障分析
作者:
Dai Chia-Tsen
;
Chiu Po-Yen
;
Ker Ming-Dou
;
Tsai Fu-Yi
;
Peng Yan-Hua
;
Tsai Chia-Ku
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
42.
Power MOSFET breakdown voltage study for process control by SIMS
机译:
通过SIMS对功率MOSFET击穿电压进行研究以进行过程控制
作者:
Ong K. K.
;
Zhu L.
;
Huang Y. H.
;
Hua Y. N.
;
Oh S. C.
;
Liu Z. Y.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
43.
TEM dark-field off-axis electron holography strain measurement on embedded-SiGe pMOSFETs and comparison with nano-beam diffraction strain measurement
机译:
嵌入式SiGe pMOSFET上的TEM暗场离轴电子全息应变测量以及与纳米束衍射应变测量的比较
作者:
Zhu J.
;
Zhou Y. K.
;
Toh S. L.
;
Mai Z. H.
;
Lam J.
;
Du A. Y.
;
Hua Y. N.
;
Rajgopal R.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
44.
Advanced fault isolation technique using electro-optical terahertz pulse reflectometry
机译:
使用电光太赫兹脉冲反射法的高级故障隔离技术
作者:
Tay M. Y.
;
Cao L.
;
Venkata M.
;
Tran L.
;
Donna W.
;
Qiu W.
;
Alton J.
;
Taday P. F.
;
Lin M.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
45.
Studies on Lattice vibration, impurity and defects in MIS structures using Hf-based dielectrics on Si and SiGe substrates
机译:
在Si和SiGe衬底上使用基于Hf的电介质研究MIS结构中的晶格振动,杂质和缺陷
作者:
Mukherjee C.
;
Mallik S.
;
Hota M. K.
;
Das T.
;
Maiti C. K.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
46.
Improved failure analysis in 3D electronic packages by MicroCT
机译:
通过MicroCT改进了3D电子封装中的故障分析
作者:
Roth Holger
;
Neubrand Tobias
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
47.
Electrical and charge trapping properties of HfO2/Al2O3 bilayer gate dielectrics on In0.53Ga0.47As substrates
机译:
In0.53Ga0.47As衬底上HfO2 / Al2O3双层栅极电介质的电和电荷俘获特性
作者:
Ghosh A. K.
;
Das T.
;
Mukherjee C.
;
Bandyopadhyay A. S.
;
Dalapati G. K.
;
Chi D.
;
Maiti C. K.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
48.
Laser voltage probing in failure analysis of advanced integrated circuits on SOI
机译:
SOI上高级集成电路故障分析中的激光电压探测
作者:
Ravikumar V. K.
;
Wampler R.
;
Ho M. Y.
;
Christensen J.
;
Phoa S. L.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
49.
Characterization and TCAD simulation of 90 nm technology transistors under continous photoelectric laser stimulation for failure analysis improvement
机译:
连续光电激光激励下90 nm工艺晶体管的特性表征和TCAD仿真,以改进故障分析
作者:
Llido R.
;
Sarafianos A.
;
Gagliano O.
;
Serradeil V.
;
Goubier V.
;
Lisart M.
;
Haller G.
;
Pouget V.
;
Lewis D.
;
Dutertre J. M.
;
Tria A.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
50.
A novel internal field enhanced retention degradation model for localized charge trapping memory device
机译:
用于局部电荷陷阱存储器件的新型内部场增强保留退化模型
作者:
Yu Xiao
;
Pan Liyang
;
Qiao Fengying
;
Shi Guangjian
;
Xu Jun
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
51.
Advanced scan chain failure analysis using laser modulation mapping and continuous wave probing
机译:
使用激光调制映射和连续波探测的高级扫描链故障分析
作者:
Kasapi Steven
;
Lo William
;
Liao Joy
;
Cory Bruce
;
Marks Howard
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
52.
Impact of pre-existing voids on electromigration in copper interconnects
机译:
预先存在的空隙对铜互连中电迁移的影响
作者:
Mario Hendro
;
Lim Meng Keong
;
Gan Chee Lip
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
53.
Dynamic degradation mechanisms of low temperature polycrystalline silicon thin-film transistors
机译:
低温多晶硅薄膜晶体管的动态降解机理
作者:
Wang Mingxiang
;
Wang Huaisheng
;
Zhang Meng
;
Lu Xiaowei
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
54.
Ab initio method for electromigration analysis
机译:
从头算方法进行电迁移分析
作者:
Ceric H.
;
De Orio R. L.
;
Zisser W. H.
;
Selberherr S.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
55.
Copper oxidation study by TEM
机译:
TEM对铜的氧化研究
作者:
Esa Siti Rahmah
;
Yahya Rosiyah
;
Hassan Aziz
;
Omar Ghazali
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
56.
Application of Seebeck Effect Imaging on failure analysis of via defect
机译:
塞贝克效应成像在通孔缺陷分析中的应用
作者:
Nordin Noor Faizah
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
57.
Analysis of data pad open failure
机译:
数据板打开故障分析
作者:
Yang Heejung
;
Lee Jaemin
;
Han Gyuwon
;
Han Seunghoon
;
Oh Duseok
;
Kim Dongsun
;
Kim Hyungtae
;
Ho Wonjoon
;
Jeong Juyoung
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
58.
High reliability gold based solder alloys for micro-electronics packaging for high temperature applications
机译:
用于高温应用的微电子封装的高可靠性金基焊料合金
作者:
Chidambaram Vivek
;
Yeung Ho Beng
;
Shan Gao
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
59.
Failure analysis of latent damage in low temperature poly-silicon TFT for OLED applications
机译:
OLED用低温多晶硅TFT中潜在损坏的失效分析
作者:
Kim Dong-Sun
;
Lim Chun-Bae
;
Jung Seung-Won
;
Oh Du-Seok
;
Kim Hyung-Tae
;
Ho Won-Joon
;
Jung Ju-Young
;
Shim Jong-Pil
;
Kim Tae-Young
;
Suh Kwang S.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
60.
Color guided top down analysis on memory device
机译:
颜色引导的存储设备自上而下的分析
作者:
Yong F. K.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
61.
Improving yield learning by rapid electrical fault inspection and localization
机译:
通过快速的电气故障检查和定位来提高良率学习
作者:
Kim Beomjun
;
Hong Jongtaek
;
Han Yongwoon
;
Kapilevich Izak
;
Block Jeff
;
Lundquist Ted
;
Kim Myung Hwan
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
62.
The Auger chemical state analysis on leadframe surface contamination
机译:
引线框架表面污染的俄歇化学状态分析
作者:
Zakaria Nurhanani
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
63.
Signal propagation analysis by Digital Lock-in Time Resolved Imaging
机译:
通过数字锁定时间分辨成像进行信号传播分析
作者:
Bascoul Guillaume
;
Perdu Philippe
;
Lewis Dean
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
64.
Electrical diagnosis of temperature-dependent global clock failures using probeless isolation and pattern commonality analysis
机译:
使用无探针隔离和模式共性分析对温度相关的全局时钟故障进行电诊断
作者:
Jing Yang
;
Meng Chow Yew
;
Reyes Michael Tagala
;
Yang Johney Ou
;
Salinas Peter F
;
Tan Grace
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
65.
Charge-pumping extraction techniques for hot-carrier induced interface and oxide trap spatial distributions in MOSFETs
机译:
MOSFET中热载流子引起的界面和氧化物陷阱空间分布的电荷泵提取技术
作者:
Starkov I.
;
Enichlmair H.
;
Tyaginov S.
;
Grasser T.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
66.
An effective broken scan chain diagnosis flow combining software and hardware solutions for systematic failures
机译:
结合软件和硬件解决方案的有效故障扫描链诊断流程,可解决系统故障
作者:
Goh S. H.
;
You G. F.
;
Yeoh B. L.
;
Chan Y. H.
;
Tey C. K. Chua
;
Yap C. P.
;
Lim T. Y.
;
Fei T.
;
Herrmann Thomas
;
Ho H. W.
;
He R.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
67.
Sideways FIB TEM sample preparation for improved construction analysis in TEM
机译:
侧向FIB TEM样品制备可改善TEM中的结构分析
作者:
Chong H. B.
;
Van Leer Brandon
;
Narang V.
;
Ho M. Y.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
68.
Study of underfill-to-soldermask delamination in flip-chip packages
机译:
倒装芯片封装中从底部填充到焊剂的分层研究
作者:
Oh Z. Y.
;
Newman R.
;
Ong M. C.
;
Foo F. J.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
69.
Case studies on application of Time Resolved Imaging Emission Microscopy for backside timing analysis
机译:
时间分辨成像发射显微镜在背面定时分析中的应用案例研究
作者:
Uchikado A.
;
Kawanab S.
;
Okubo T.
;
Shimase A.
;
Majima T.
;
Hirai N.
;
Ito Y.
;
Nakamura T.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
70.
Failure analysis on ultra-low k film de-lamination by TOF-SIMS composition analysis
机译:
用TOF-SIMS成分分析法分析超低k膜分层
作者:
Teo Han Wei
;
Chen Shuting
;
Zhu Lei
;
Hua Younan
;
Yuan Zhao Xin
;
Heng Yong Seng
;
Li Chao Yong
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
71.
Failure analysis challenges and solution for thin package
机译:
薄包装的故障分析挑战和解决方案
作者:
Ben V. S.
;
Chan W. K.
;
Idayu A. H. N.
;
Heng H. C.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
72.
Low frequency noise in iron disilicide hetero-junction solar cells
机译:
二硅化铁异质结太阳能电池中的低频噪声
作者:
Bag A.
;
Mukherjee C.
;
Mallik S.
;
Maiti C. K.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
73.
EELS chemical bond characterization of process induced damages in low-k dielectric films
机译:
EELS化学键表征低k介电薄膜中的过程诱导损伤
作者:
Zhou YongKai
;
Zhu Jie
;
Du AnYan
;
Hua YouNan
;
Zhao SiPing
;
Liu Wei
;
Zhang Fan
;
Tan Juan Boon
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
74.
Fault localization using IR lock-in thermography for flashover between the gate rail and the source metal clip
机译:
使用红外锁定热成像技术进行故障定位,以实现栅极导轨和源金属夹之间的闪络
作者:
Lau C. K.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
75.
Failure analysis on plasma charging induced damage due to effect of circuit layout device structure marginality
机译:
电路布局和器件结构边缘性对等离子体充电引起的损坏的失效分析
作者:
Chow Fong Ling
;
Chin Aaron
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
76.
Au/Pt/Ti-Si3N4 interfacial defects analysis of a stressed SiGe HBT by using STEM nanometric characterization
机译:
通过STEM纳米表征分析应力SiGe HBT的Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷
作者:
Alaeddine A.
;
Genevois C.
;
Chevalier L.
;
Daoud K.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
77.
Interface trap distribution for HCI reliability assessment on bend gate structure by 3D TCAD simulation
机译:
通过3D TCAD仿真对弯闸结构进行HCI可靠性评估的界面陷阱分布
作者:
Prabowo Briliant Adhi
;
Amethystna Surya Kris
;
Tsai Jung-Ruey
;
Yang Shao-Ming
;
Sheu Gene
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
78.
Applications of C-AFM technique to identify localized implant related low yield issue
机译:
C-AFM技术在识别局部植入物相关的低产量问题中的应用
作者:
Hong Seah Pei
;
Hua Zheng Xin
;
Chin Aaron
;
Guan Chan Joo
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
79.
C-AFM analysis of advanced IC on SRAM high resistance failure
机译:
先进IC对SRAM高阻故障的C-AFM分析
作者:
Leong Wai Tuck
;
Zhang Hong Bo
;
Hoe Wilson Lee Cheng
;
De Lin Ren
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
80.
Capacitor dendrite failure analysis for lidless CPU testing
机译:
用于无盖CPU测试的电容器枝晶故障分析
作者:
Weidong Huang
;
Changhong Yu
;
Cimi Cui
;
Dolphin Zuo
;
Hongwei Guo
;
Chris Xie
;
Majed Anani
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
81.
New and novel failure analysis technique of COL package device with WBC non conductive epoxy and The failure mechanisms of the electrical shorting of the die back to the lead
机译:
WBC非导电环氧树脂的COL封装装置的新型失效分析技术及芯片短路回引线的失效机理。
作者:
Lau Zhi Jie
;
Foo Huey Shan
;
Yusof Yusnani Mohamad
;
Lee Yee Sinn
;
Law Lik Ting
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
82.
Impact of field enhancement on TDDB lifetimes of Cu/Low-k test structures
机译:
场增强对Cu / Low-k测试结构TDDB寿命的影响
作者:
Ong R. X.
;
Tan T. L.
;
Gan C. L.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
83.
Reliability of circuits under pads for Au and Cu wire bonding
机译:
用于金和铜引线键合的焊盘下方电路的可靠性
作者:
Gambino J. P.
;
Malinowski J.
;
Cote A.
;
Guthrie B.
;
Chapman P.
;
Vize A.
;
Bowe W.
;
Griffin C.
;
Cooney E.
;
Aoki T.
;
Chen Y.
;
Wang D.
;
Jaffe M.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
84.
A simple solution for low-driving-current output buffer failed at the low voltage ESD zapping event
机译:
低驱动电流输出缓冲器的一种简单解决方案在发生低压ESD跳变事件时失败
作者:
Lee Jian-Hsing
;
Shih J. R.
;
Yang Dao-Hong
;
Kuan Hing-Poh
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
85.
Failure analysis on multilayer ceramic capacitor (MLCC) with leakage failure caused by silver (Ag) migration in molded plastic package
机译:
模塑料封装中由于银(Ag)迁移引起漏电故障的多层陶瓷电容器(MLCC)的故障分析
作者:
Ng K. K.
;
Rajaratnam M.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
86.
Thermal analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by Infrared Microscopy
机译:
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的红外光谱热分析
作者:
Zhao Miao
;
Liu Xinyu
;
Yingkui Zheng
;
Wei Ke
;
Mingzeng Peng
;
Yankui Li
;
Guoguo Liu
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
87.
On the fly oxide trap (otfot) concept: A new method for bias temperature instability characterization
机译:
飞氧化物捕集阱(OTFOT)概念:偏置温度不稳定性表征的新方法
作者:
Djezzar B.
;
Tahi H.
;
Benabdelmoumene A.
;
Hadjlarbi F.
;
Chenouf A.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
88.
Innovative methodology for failure rate estimation from quality incidents, for ISO26262 standard requirements
机译:
符合ISO26262标准要求的创新方法,可根据质量事件估算出故障率
作者:
Berges C.
;
Chandon Y.
;
Gubian R.
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
89.
Reliability analysis of CrSi Thin Film Resistors
机译:
CrSi薄膜电阻器的可靠性分析
作者:
Khor C. W.
;
Leung Calvin
;
Le Neel Olivier
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
90.
Developing functional Prototypes by package modification using plasma FIB technology
机译:
通过使用等离子FIB技术进行封装修改来开发功能原型
作者:
Gonzales Michael
;
Cruz Roddy
;
Parley Martin
;
Lau Jonathan
;
DiBattista Michael
;
Routh Bryan
;
Landin Trevan
;
Carleson Peter
;
Huggins Ebb
;
Mani Kenny
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
91.
Reliability properties comparison for epitaxy and non-epitaxy wafers on DRAM devices
机译:
DRAM设备上外延和非外延晶圆的可靠性属性比较
作者:
Chen Yi Heang
;
Chen Chih-Wei
;
Hsiao Meiying
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
92.
TEM sample preparation by single-sided low-energy ion beam etching
机译:
单面低能离子束蚀刻制备TEM样品
作者:
Nan Liew Kaeng
;
Lung Lee Meng
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
93.
Copper wirebond package decapsulation technique using mixed acid chemistry
机译:
混合酸化学铜丝键合封装解封装技术
作者:
Ng Soo Whye
;
Zhang Hong Bo
;
Liew Kaeng Nan
;
Lee Wilson
;
De Lin Ren
会议名称:
《2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
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