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1.
Impact of cerium oxide's grain size for dielectric relaxation
机译:
氧化铈晶粒尺寸对介电弛豫的影响
作者:
Chun Zhao
;
Ce Zhou Zhao
;
Werner Matthew
;
Taylor Steve
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
cerium oxide;
dielectric relaxation;
grain size;
high-A dielectric;
2.
Investigation of chromium contamination induced TDDB degradation in MOSFET
机译:
铬污染引起的MOSFET中TDDB降解的研究
作者:
Chih-Jen Hsiao
;
An-Shun Teng
;
Wei-Chuan Chang
;
Yi-Yueh Chen
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
3.
Failure analysis considerations in designing for EOS/ESD robustness
机译:
EOS / ESD稳健性设计中的故障分析注意事项
作者:
Hajjar Jean-Jacques
;
Righter Alan
;
Wolfe Ed
;
Olney Andrew
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
4.
A high latchup - Immune ESD protection SCR-incorporated BJT in deep submicron technology
机译:
高闩锁-免疫ESD保护SCR结合的深亚微米技术BJT
作者:
Chih-Yao Huang
;
Fu-Chien Chiu
;
Ji-Fan Chi
;
Yi-Jou Huang
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
5.
A study of latch-up mechanisms for adjacent pins on multiple power supply circuits
机译:
多个电源电路上相邻引脚的闩锁机制研究
作者:
Liang Sanan
;
Guo Annie
;
Ji Jackie
;
Chen Jason
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
BJT;
Failure Analysis;
Guard Ring;
Latch-up;
SCR;
6.
Application of PVC to significantly improve the success rate in locating trench defect using FIB after electrical failure localization
机译:
PVC在电气故障定位后使用FIB显着提高沟槽缺陷定位成功率的应用
作者:
Zakaria Nurhanani
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
7.
Investigation of Time Domain Reflectometry (TDR) on Power Mosfet semiconductor device
机译:
功率Mosfet半导体器件的时域反射法(TDR)研究
作者:
Ng K.K.
;
Sin C.K.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
TDR;
backside grinding;
characterization;
laser;
mosfet;
wire configuration;
8.
Innovative way of implementing active voltage contrast
机译:
实现有源电压对比的创新方法
作者:
Sabate Andrew C.
;
Ismail Nurashikin
;
Nordin Norazfar
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
9.
New technique of sample preparation for 3DIC micro_bumps observation
机译:
3DIC微凸点观察的样品制备新技术
作者:
Chun-An Huang
;
Han-Yun Long
;
King-Ting Chiang
;
Li Chuang
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
10.
Interconnect reliability assurance for circuits with billions of transistors
机译:
具有数十亿个晶体管的电路的互连可靠性保证
作者:
Turner Timothy E.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Electromigration;
ILD TDDB Semiconductor Reliability;
11.
Failure analysis approach For TrenchMOS devices
机译:
TrenchMOS器件的故障分析方法
作者:
Oh Chong Khiam
;
Yao Yujin
;
Gao Anna
;
Li Yan
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
12.
Thin silicon wafer processing and strength characterization
机译:
薄硅片加工和强度表征
作者:
Gambino Jeffrey P.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
13.
Electrical properties of low-k dielectric in copper interconnect structures
机译:
铜互连结构中低k电介质的电性能
作者:
Mingte Lin
;
Liang J.
;
Juan A.
;
Su K.C.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
14.
Stress evolution on tungsten thin-film of an open through silicon via technology
机译:
通孔硅通孔技术在钨薄膜上的应力演化
作者:
Singulani A.P.
;
Ceric H.
;
Langer E.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
15.
A correlation study of MOL electrical test method with its physical analysis
机译:
MOL电气测试方法与物理分析的相关性研究
作者:
Cahyadi T.
;
Chen F.
;
Jiang H.
;
Mittl S.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
MOL;
Middle-of-Line;
PC-to-CA overlay;
PC-to-CA reliability;
PC-to-CA space;
VRDB;
fatal-area ratio;
global variation;
local variation;
16.
Charge pumping in floating-body SOI FinFETs
机译:
浮体SOI FinFET中的电荷泵浦
作者:
Fleetwood D.M.
;
Zhang E.X.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
17.
Strain measurement of Fin structure using TEM objective lens dark-field off-axis holography
机译:
使用TEM物镜暗场离轴全息术测量Fin结构的应变
作者:
Zhu J.
;
Tan H.
;
Bello A.
;
Pham D.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
18.
Reliability of AlGaN/GaN HEMTs: Permanent leakage current increase and output current drop
机译:
AlGaN / GaN HEMT的可靠性:永久性泄漏电流增加而输出电流下降
作者:
Marcon D.
;
Viaene J.
;
Favia P.
;
Bender H.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
19.
Modelling of LED light source reliability
机译:
LED光源可靠性建模
作者:
Guoqiao Tao
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
20.
Reliability evaluation and failure analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistor by photo emission microscope
机译:
发光显微镜对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性评估和失效分析
作者:
Yuansheng Wang
;
Xiao Hong
;
Chang Zeng
;
Ping Lai
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
AlGaN/GaN;
Failure analysis;
HEMT;
PEM;
Reliability;
21.
Benefits of dopant profile approach using spreading resistance profiling
机译:
使用扩展电阻分布图的掺杂剂分布方法的好处
作者:
Lim Saw Sing
;
Lim Siew Ping
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
22.
A sample preparation technique to reveal the implant profile by TEM for IC failure analysis
机译:
一种样品制备技术,可通过TEM揭示植入物轮廓以进行IC失效分析
作者:
Ming Li
;
Chien Wei-Ting Kary
;
Shuqing Duan
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
TEM;
defect;
failure analysis;
implant profile;
integrated circuit;
sample preparation;
23.
Recent advances in fault isolation for semiconductor industry
机译:
半导体行业故障隔离的最新进展
作者:
Chin Jiann Min
;
Narang Vinod
;
Tay Meng Yeow
;
Shei Lay Phoa
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
24.
A study on the relationship between pad surface fluorine concentration and the formation of pad corrosion defect
机译:
焊垫表面氟浓度与焊垫腐蚀缺陷形成关系的研究
作者:
Ming Li
;
Chien Wei-Ting Kary
;
Qinqin Yu
;
Jane Qi
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Pad corrosion;
T/H (temperature and humidity) stress;
bonding;
fluorine;
pad crystal;
semiconductor fabrication;
25.
Real-time analysis of ultra-thin gate dielectric breakdown and recovery - A reality
机译:
超薄栅极介电层击穿和恢复的实时分析-一个现实
作者:
Pey K.L.
;
Raghavan N.
;
Liu W.H.
;
Wu X.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Breakdown;
Filamentation;
Percolation;
Post breakdown;
Soft breakdown;
Thermal runaway;
26.
Non-destructive open fault isolation in flip-chip devices with space-domain reflectometry
机译:
具有空间域反射法的倒装芯片设备的无损断路隔离
作者:
Qiu W.
;
Tan S.C.
;
Tay M.Y.
;
Gaudestad J.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
27.
Nondestructive analysis solution using combination of lock-in thermography(LIT) and 3D oblique X-ray CT technology
机译:
结合锁定热成像(LIT)和3D倾斜X射线CT技术的无损分析解决方案
作者:
Seimiya Naoki
;
Watanabe Takuhei
;
Ichinomiya Takashi
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
28.
Factors that affect hotspot localization in Infrared Lock-in Thermography
机译:
影响红外锁定热成像中热点定位的因素
作者:
Hoe T.M.
;
Tan S.Y.
;
Ng K.K.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
29.
High resolution Magnetic Current Imaging for die level short localization
机译:
高分辨率磁流成像技术可实现芯片级短定位
作者:
Gaudestad J.
;
Gagliolo N.
;
Talanov V.V.
;
Yeh R.H.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
30.
Design of prognostic circuit for electromigration failure of integrated circuit
机译:
集成电路电迁移故障的预测电路设计
作者:
Chen Y.Q.
;
Wang B.
;
Zhang Y.F.
;
En Y.F.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Electromigration;
Integrated circuit;
Interconnect line;
Prognostic circuit;
31.
Divide and conquer algorithm for parallel reconfiguration of VLSI array with faults
机译:
带故障的VLSI阵列并行重配置的分治法
作者:
Meiting Zhou
;
Wu Jigang
;
Jiang Guiyuan
;
Xu Wang
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
YLSI array;
divide and conquer;
parallel algorithm;
reconfiguration;
32.
Study of FIB milling induced damage and contamination on ex-situ lift-out TEM specimen and methodology to reduce the artifacts
机译:
FIB铣削对异位抬起TEM样品造成的损伤和污染的研究以及减少伪影的方法
作者:
Liew Kaeng Nan
;
Lee Meng Lung
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
33.
Method to increase defect localization success rate on open failure by combining circuit layout analysis with photon emission microscopy
机译:
通过电路布局分析与光子发射显微镜相结合的方法来提高开路故障的缺陷定位成功率的方法
作者:
Lee Guan Siong
;
Chin Aaron
;
Chow Fong Ling
;
Pee Kok Keng
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
34.
Failure analysis of a 2.5D stacking using #x03BC;insert technology
机译:
使用μinsert技术对2.5D堆叠进行故障分析
作者:
Nowodzinski Antoine
;
Mandrillon Vincent
;
Bouchu David
;
Franiatte Remi
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
3D;
EDX;
STEM;
bonding;
failure analysis;
failure mode;
insert;
35.
Thermal effect on die warpage during back-side die polishing of flip-chip BGA device
机译:
倒装芯片BGA器件的背面芯片抛光过程中的热效应对芯片翘曲的影响
作者:
Monjur M.Mezanur Rahman
;
Wei M.S.
;
Chong H.B.
;
Nasar-Abdat L
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
36.
A new failure analysis approach to predict and localize defects and weakness areas in trough-glass-vias for a multifunctional package level camera
机译:
一种新的故障分析方法,用于预测和定位多功能封装级相机的玻璃通孔中的缺陷和薄弱区域
作者:
El Amrani A.
;
Bouya M.
;
Bouissa Y.
;
Benali A.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
37.
A special failure analysis process to save some de-caped recovered cases
机译:
一个特殊的故障分析过程,可以保存一些不完整的已恢复案例
作者:
Chunlei Wu
;
Suying Yao
;
Gaojie Wen
;
Li Tian
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
38.
Comparative study of different Copper wire decapsulation techniques for failure analysis
机译:
各种铜线解封技术用于故障分析的比较研究
作者:
De La Cruz Em Julius N.
;
Sabate Andrew C.
;
Estrera Shiela Lyn A.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
39.
Dopant profiling using various FA techniques
机译:
使用各种FA技术进行掺杂物分析
作者:
Lim Chan Way
;
Lim Siew Ping
;
Lim Saw Sing
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
40.
New gas applications of backside circuit edit for voiding spontaneous damage
机译:
编辑背面回路的新气体应用,以消除自发损坏
作者:
Chun Ming Tsai
;
Yi Shiuan Huang
;
Ya Hui Lu
;
Mingte Lin
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
41.
Study on low silver Sn-Ag-Cu-P alloy for wave soldering
机译:
用于波峰焊的低银Sn-Ag-Cu-P合金的研究
作者:
Junjie Wang
;
Xicheng Wei
;
Wenqi Zhu
;
Jian Wu
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
关键词:
P;
Sn-0.3Ag-0.7Cu;
lead-free solder;
low Ag;
42.
SiGe profile inspection by using dual beam FIB system in physical failure analysis
机译:
在物理故障分析中使用双束FIB系统检查SiGe轮廓
作者:
Shih-Yuan Liu
;
Ying-Chin Hou
;
Chih-Chung Chang
;
Jian-Chang Lin
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
43.
A failure analysis technique using the Nano Electrostatic field Probe Sensor (NEPS)
机译:
使用纳米静电场探头传感器(NEPS)的故障分析技术
作者:
Ito Seigo
;
Matsumoto Toru
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
44.
A novel methodology for passive voltage contrast fault isolation on ultra thin gate oxide failure
机译:
一种用于超薄栅极氧化物故障的无源电压对比故障隔离的新方法
作者:
Jinyu Tong
;
Kite Li
;
Excimer Gong
;
Qiang Guo
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
45.
A novel optical structure of numerical aperture increasing lens (NAIL) for resolution improvement in backside failure analysis
机译:
一种新型的数值孔径增加透镜(NAIL)的光学结构,用于提高背面失效分析的分辨率
作者:
Li Tian
;
Kuibo Lan
;
Gaojie Wen
;
Miao Wu
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
46.
Backside dynamic thermal laser signal injection microscopy (T-LSIM) fault isolation technique on WLCSP devices
机译:
WLCSP器件上的背面动态热激光信号注入显微镜(T-LSIM)故障隔离技术
作者:
Lau ZJ.
;
Chan H.P.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
47.
In situ nanomechanical measurement of Cu nanowires
机译:
铜纳米线的原位纳米力学测量
作者:
Zhang Y.F.
;
Zhang C.H.
;
Han X.D.
;
Ji Y.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
48.
Au electromigration and Ti segregation in TiPtAu gate of PHEMTs
机译:
PHEMT的TiPtAu门中的Au电迁移和Ti偏析
作者:
Huang Yun
;
Hong Xiao
;
Li Shajin
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
49.
Characteristic analysis of total dose irradiation annealing effect in SOI NMOSFET
机译:
SOI NMOSFET中总剂量辐照退火效应的特性分析
作者:
He Yujuan
;
Luo Hongwei
;
En Yunfei
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
关键词:
SOI device;
bias condition;
irradiation;
total dose effect;
50.
Using strain to increase the reliability of scaled spin MOSFETs
机译:
利用应变来提高缩放自旋MOSFET的可靠性
作者:
Osintsev D.
;
Sverdlov V.
;
Makarov A.
;
Selberherr S.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
关键词:
phonon relaxation;
shear strain;
surface-roughness relaxation;
ultra-scaled SOI MOSFETs;
51.
Failure analysis for via with solder bubble
机译:
带焊料气泡的通孔的故障分析
作者:
Wang Yang
;
Luo Daojun
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
关键词:
PCBA;
SEM;
Solder bubbles;
cross section;
failure;
via;
52.
Radiation response analyzer of semiconductor dies
机译:
半导体芯片的辐射响应分析仪
作者:
Mu Yifei
;
Zhao Cezhou
;
Su Shengmao
;
Zhao Yue
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
关键词:
high-k dielectrics;
radiation effects;
53.
Visualization of crystalline defects in silicon, a cause of electrical leakage in semiconductor devices
机译:
可视化硅中的晶体缺陷,这是半导体器件漏电的原因
作者:
Chow S.Y.
;
Lee S.L.
;
Lim K.Y.
;
Khoo B.S.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
54.
Effect of via geometry on thermal stress in dual-damascene Cu interconnects
机译:
通孔几何形状对双镶嵌铜互连中热应力的影响
作者:
Chen L.
;
Li C J.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
55.
Bias dependence of dose rate effects in the irradiated substrate PNP transistors
机译:
辐照衬底PNP晶体管中剂量率效应的偏差依赖性
作者:
Yuan Liu
;
Qian Shi
;
Ting Zhang
;
Yun-Fei En
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
56.
Title pages
机译:
标题页
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
57.
Development and application of prognostics and health management technology
机译:
疾病预测与健康管理技术的开发与应用
作者:
Xie Shao-feng
;
En Yun-fei
;
Lin Xiao-ling
;
Lu Yu-dong
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
关键词:
data mining;
fault model;
prognostics and health management;
sensor;
58.
Eliminating the top causes of customer-attributable integrated circuit failures
机译:
消除客户归因于集成电路故障的主要原因
作者:
Olney Andrew H.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
59.
Failure analysis on non-visible front-end defects in deep NWELL implantation related process
机译:
深度NWELL植入相关过程中不可见前端缺陷的失效分析
作者:
Ang Ghim Boon
;
Chen Changqing
;
Zhao Si Ping
;
Neo Soh Ping
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2013年
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