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Memory Workshop, 2009. IMW '09
Memory Workshop, 2009. IMW '09
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1.
Investigation of Window Instability in Program/Erase Cycling of TANOS NAND Flash Memory
机译:
TANOS NAND闪存的编程/擦除循环中的窗口不稳定性研究
作者:
Van den Bosch G.
;
Breuil L.
;
Cacciato A.
;
Rothschild A.
;
Jurczak M.
;
Van Houdt J.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
NAND circuits;
aluminium compounds;
energy gap;
flash memories;
integrated memory circuits;
interface states;
silicon compounds;
Si band gap;
SiOsub2/sub-Sisub3/subNsub4/sub-Alsub2/subOsub3/sub;
TANOS NAND flash memory;
TANOS endurance;
blocking dielectric;
charge compensation;
donor trap formation;
electrical stress;
interface traps;
memory stack process;
program-erase cycling;
substrate-tunnel oxide interface;
tunnel oxide;
window instability;
2.
Low Power Operation of Resistive Switching Memory Device Using Novel W/Ge0.4Se0.6/Cu/Al Structure
机译:
使用新型W / Ge0.4Se0.6 / Cu / Al结构的电阻式开关存储器件的低功耗操作
作者:
Rahaman S.Z.
;
Maikap S.
;
Chiu H.C.
;
Lin C.-H.
;
Wu T.-Y.
;
Chen Y.-S.
;
Tzeng P.-J.
;
Chen F.
;
Kao M.-J.
;
Tsai M.-J.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
aluminium;
bipolar integrated circuits;
copper;
germanium alloys;
integrated memory circuits;
low-power electronics;
selenium alloys;
tungsten;
Cu chain formation;
W-Gesub0.4/subSesub0.6/sub-Cu-Al;
bipolar resistive switching memory device;
current 1 nA to 500 muA;
current 200 muA;
current monitoring;
erase voltage monitoring;
low power operation;
low resistance state;
programming current;
temperature 150 degC;
voltage 1.3 V;
3.
3-D Stacked NAND Flash String with Tube Channel Structure Using Si and SiGe Selective Etch Process
机译:
具有Si和SiGe选择性蚀刻工艺的管通道结构的3D堆叠NAND闪存串
作者:
Min-Kyu Jeong
;
Hyuck-In Kwon
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
CAD;
Ge-Si alloys;
NAND circuits;
elemental semiconductors;
etching;
flash memories;
integrated memory circuits;
silicon;
transistors;
DC characteristics;
NAND flash string;
Si selective etch process;
Si-SiGe;
SiGe selective etch process;
program-erase characteristics;
reliability;
retention characteristics;
three-dimensional TCAD simulation tool;
three-dimensional stacked NAND string;
top source contact;
transistor;
tube channel structure;
4.
Low Temperature Rectifying Junctions for Crossbar Non-Volatile Memory Devices
机译:
纵横制非易失性存储设备的低温整流结
作者:
Tallarida G.
;
Huby N.
;
Kutrzeba-Kotowska B.
;
Spiga S.
;
Arcari M.
;
Csaba G.
;
Lugli P.
;
Redaelli A.
;
Bez R.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
II-VI semiconductors;
Schottky diodes;
cryogenic electronics;
nitrogen compounds;
random-access storage;
rectification;
wide band gap semiconductors;
zinc compounds;
NiO;
Schottky junction fabrication;
ZnO;
crossbar nonvolatile memory devices;
forward current density;
low-temperature rectifying junction;
switching memory element;
5.
NAND Flash Scaling Beyond 20nm
机译:
超过20nm的NAND闪存扩展
作者:
Yohwan Koh
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
NAND circuits;
flash memories;
NAND flash scaling;
mobile device;
nonvolatile memory;
size 20 nm;
6.
Reliability of NiO-Based Resistive Switching Memory (ReRAM) Elements with Pillar W Bottom Electrode
机译:
带有W底电极的基于NiO的电阻式开关记忆(ReRAM)元件的可靠性
作者:
Demolliens A.
;
Muller C.
;
Deleruyelle D.
;
Spiga S.
;
Cianci E.
;
Fanciulli M.
;
Nardi F.
;
Cagli C.
;
Ielmini D.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
flash memories;
integrated circuit reliability;
nickel compounds;
random-access storage;
NiO;
ReRAM elements;
active dielectric layer;
nonvolatile memory devices;
pillar W bottom electrode;
resistive switching memory reliability;
7.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
8.
ALD-Al2O3 as an Inter-Poly Dielectric for a Product Demonstrator in a Proven eFlash Technology
机译:
ALD-Al2O3作为成熟的eFlash技术中产品演示器的中间介电体
作者:
Shum D.
;
Jaschke G.
;
Canning M.
;
Kakoschke R.
;
Duschl R.
;
Sikorski R.
;
Erler F.
;
Stiftinger M.
;
Duch A.
;
Power J.R.
;
Tempel G.
;
Strenz R.
;
Allinger R.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
aluminium compounds;
atomic layer deposition;
flash memories;
high-k dielectric thin films;
reliability;
Alsub2/subOsub3/sub;
eFlash products;
embedded flash technology;
endurance;
high-k inter-poly dielectric;
industrial reliability assessment;
product demonstrator;
retention;
size 0.13 mum;
9.
An In-Depth Investigation of Physical Mechanisms Governing SANOS Memories Characteristics
机译:
深入研究控制SANOS内存特征的物理机制
作者:
Bocquet M.
;
Vianello E.
;
Molas G.
;
Perniola L.
;
Grampeix H.
;
Martin F.
;
Colonna J.P.
;
Papon A.M.
;
Brianceau P.
;
Gely M.
;
De Salvo B.
;
Pananakakis G.
;
Ghibaudo G.
;
Selmi L.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
aluminium compounds;
elemental semiconductors;
integrated memory circuits;
silicon;
silicon compounds;
transistors;
tunnelling;
SANOS memories;
Si-Alsub2/subOsub3/sub-Sisub3/subNsub4/sub-SiOsub2/sub-Si;
charge loss;
charge trapping;
electron trapping;
high temperature retention;
nitride interface;
retention lifetime;
room temperature retention;
temperature 293 K to 298 K;
thermal emission;
tunneling;
10.
Both NOR and NAND Embedded Hybrid Flash for S-SIM Application Using 90 nm Process Technology
机译:
使用90 nm工艺技术的NOR和NAND嵌入式混合闪存,适用于S-SIM应用
作者:
Jeong-Uk Han
;
Yong Kyu Lee
;
Chang Min Jeon
;
Jido Ryu
;
Eun-Mi Hong
;
Seungjin Yang
;
Youngho Kim
;
Hyucksoo Yang
;
Hyunkhe Yoo
;
Jaemin Yu
;
Hoonjin Bang
;
Seung-Won Lee
;
ByeongHoon Lee
;
Daesop Lee
;
Eunseung Jung
;
Chilhee Chung
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
NAND circuits;
NOR circuits;
embedded systems;
flash memories;
nanoelectronics;
smart cards;
NAND embedded hybrid flash memory cell;
NOR embedded hybrid flash memory cell;
S-SIM application;
k-cycle endurance;
logic technology;
memory size 16 MByte;
memory size 768 KByte;
size 90 nm;
smart card application;
super-subscriber identity module;
11.
A Novel Fluorine Incorporated Band Engineered (BE) Tunnel (SiO2/ HfSiO/ SiO2) TANOS with Excellent Program/Erase u00026; Endurance to 10^5 Cycles
机译:
新型氟结合带工程(BE)隧道(SiO2 / HfSiO / SiO2)TANOS,具有出色的程序/擦除能力。耐力达到10 ^ 5个周期
作者:
Verma S.
;
Bersuker G.
;
Gilmer D.C.
;
Padovani A.
;
Hokyung Park
;
Nainani A.
;
Heh D.
;
Huang J.
;
Jiang J.
;
Parat K.
;
Kirsch P.D.
;
Larcher L.
;
Hsing-Huang Tseng
;
Saraswat K.C.
;
Jammy R.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
dielectric materials;
fluorine;
hafnium compounds;
passivation;
random-access storage;
reliability;
silicon compounds;
SiOsub2/sub-HfSiO-SiOsub2/sub:F;
TANOS flash NVM;
fluorine incorporated band engineered tunnel TANOS;
interface state density;
nonvolatile memory;
program-erase characteristics;
tunnel dielectric;
12.
A Study of Stored Charge Interference and Fringing Field Effects in Sub-30nm Charge-Trapping NAND Flash
机译:
30nm以下电荷陷阱NAND闪存中存储的电荷干扰和边缘场效应的研究
作者:
Yi-Hsuan Hsiao
;
Hang-Ting Lue
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Liu R.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《》
|
2009年
关键词:
NAND circuits;
circuit noise;
flash memories;
logic design;
nanoelectronics;
3D simulation;
CT NAND flash;
EOT;
charge-trapping NAND flash;
fringing field effects;
low-K spacer;
program-erase characteristics;
short-channel effect;
stored charge interference effect;
wavelength 30 nm;
13.
Dual Layer Pt Metal Nanocrystal Flash for Multi-Level-Cell NAND Application
机译:
用于多层单元NAND应用的双层Pt金属纳米晶体闪存
作者:
Singh P.K.
;
Bisht G.
;
Mahapatra S.
;
Hofmann R.
;
Singh K.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
flash memories;
nanoelectronics;
nanostructured materials;
platinum;
reliability;
EEPROM;
Pt;
dual layer metal nanocrystal flash;
gate bias accelerated retention;
high-density Flash cells;
memory density;
read disturb;
14.
Thin Layers Obtained by Plasma Process for Emerging Non-Volatile Memory (RRAM) Applications
机译:
通过等离子工艺获得的用于新兴非易失性存储器(RRAM)应用的薄层
作者:
Souchier E.
;
Cario L.
;
Corraze B.
;
Estournes C.
;
Fernandez V.
;
Skotnicki T.
;
Mazoyer P.
;
Janod E.
;
Besland M.-P.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
random-access storage;
sputtering;
RF magnetron sputtering;
RRAM applications;
electrical measurements;
nonvolatile memory applications;
plasma process;
15.
Bottom Nitridation Engineering of Multi-Nitridation ONO Interpoly Dielectric for Highly Reliable and High Performance NAND Flash Memory
机译:
用于高可靠性和高性能NAND闪存的多氮化物ONO互电介质的底部氮化工艺
作者:
Liu C.H.
;
Lin Y.M.
;
Yin D.Y.
;
Tseng G.H.
;
Liaw H.W.
;
Wei H.C.
;
Chen S.H.
;
Chao C.M.
;
Hwang H.P.
;
Pittikoun S.
;
Aritome S.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
NAND circuits;
dielectric materials;
flash memories;
nitridation;
oxidation;
semiconductor device reliability;
EOT reduction;
bottom nitridation engineering;
equivalant oxide thickness;
floating gate;
gate reoxidation;
high-performance NAND flash memory;
multinitridation ONO interpoly dielectrics;
reliability;
top oxide nitridation;
voltage reduction;
16.
Comparative Assessment of GST and GeTe Materials for Application to Embedded Phase-Change Memory Devices
机译:
GST和GeTe材料应用于嵌入式相变存储器件的比较评估
作者:
Fantini A.
;
Perniola L.
;
Armand M.
;
Nodin J.F.
;
Sousa V.
;
Persico A.
;
Cluzel J.
;
Jahan C.
;
Maitrejean S.
;
Lhostis S.
;
Roule A.
;
Dressler C.
;
Reimbold G.
;
De Salvo B.
;
Mazoyer P.
;
Bensahel D.
;
Boulanger F.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
IV-VI semiconductors;
antimony compounds;
current density;
germanium compounds;
phase change materials;
phase change memories;
reflectivity;
semiconductor thin films;
Gesub2/subSbsub2/subTesub5/sub;
GeTe;
GeTe-based compounds;
active phase-change materials;
embedded phase-change memory devices;
four probe resistivity measurement;
lance-cell analytical PC memory cells;
optical reflectivity;
17.
Scalability of Fully Planar NAND Flash Memory Arrays Below 45nm
机译:
45nm以下的全平面NAND闪存阵列的可扩展性
作者:
Blomme P.
;
Van Houdt J.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
NAND circuits;
flash memories;
NAND flash memory arrays;
capacitance simulations;
control gate;
floating gate;
interpoly dielectric;
size 40 nm;
18.
Relaxation Oscillation in GST-Based Phase Change Memory Devices
机译:
基于GST的相变存储器件中的弛豫振荡
作者:
Jackson D.C.S.
;
Nardone M.
;
Karpov V.
;
Karpov I.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
phase change memories;
relaxation oscillators;
GST-based phase change memory devices;
applied voltage;
device thickness;
load resistance;
relaxation oscillations;
19.
From Atomistic to Device Level Investigation of Hybrid Redox Molecular/Silicon Field-Effect Memory Devices
机译:
从原子到器件水平研究混合氧化还原分子/硅场效应存储器件
作者:
Buckley J.
;
Pro T.
;
Barattin R.
;
Calborean A.
;
Huang K.
;
Aiello V.
;
Nicotra G.
;
Gely M.
;
Delapierre G.
;
Jalaguier E.
;
Duclairoir F.
;
Chevalier N.
;
Mariolle D.
;
Spinella C.
;
Lombardo S.
;
Blaise P.
;
Maldivi P.
;
Ghibaudo G.
;
Baptist R.
;
De
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
MOS memory circuits;
X-ray photoelectron spectra;
atomic force microscopy;
density functional theory;
elemental semiconductors;
organic semiconductors;
silicon;
transmission electron microscopy;
voltammetry (chemical analysis);
Redox Ferrocene molecules;
X-ray photoelectron spectroscopy;
atomistic computational density functional theory;
charge storage nodes;
cyclic voltammetry;
electrochemical measurements;
high-resolution transmission electron microscopy;
hybrid molecular/silicon field-effect memories;
molecul;
20.
Approaching the Information Theoretical Bound of Multi-Level NAND Flash Memory Storage Efficiency
机译:
逼近多层NAND闪存存储效率的信息理论界限
作者:
Shu Li
;
Tong Zhang
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
NAND circuits;
flash memories;
multivalued logic circuits;
information theory;
multilevel NAND flash memory storage efficiency;
storage efficiency bound;
21.
Optimization of Al2O3 Based VARIOT Engineered Tunnel Dielectric for Floating Gate Flash Scaling
机译:
基于Al2O3的VARIOT工程隧道介电材料用于浮栅闪速缩放的优化
作者:
Blomme P.
;
De Vos J.
;
Van Houdt J.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
alumina;
dielectric materials;
flash memories;
silicon compounds;
Alsub2/subOsub3/sub;
VARIOT engineered tunnel dielectric;
floating gate flash scaling;
stand-alone applications;
22.
Endurance Improvement of Ge2Sb2Te5-Based Phase Change Memory
机译:
基于Ge2Sb2Te5的相变存储器的耐久性改进
作者:
Chieh-Fang Chen
;
Schrott A.
;
Lee M.H.
;
Raoux S.
;
Shih Y.H.
;
Breitwisch M.
;
Baumann F.H.
;
Lai E.K.
;
Shaw T.M.
;
Flaitz P.
;
Cheek R.
;
Joseph E.A.
;
Chen S.H.
;
Rajendran B.
;
Lung H.L.
;
Lam C.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
antimony compounds;
failure analysis;
germanium compounds;
integrated circuit reliability;
phase change memories;
thermal analysis;
GST programming volume;
Gesub2/subSbsub2/subTesub5/sub;
SET-RESET thermal operation;
cell endurance;
cycling failure mode;
doping material;
phase change memory;
23.
FDSOI Floating Body Cell eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Write Current for High Speed and Low Power Applications
机译:
使用栅极感应漏泄(GIDL)写电流的FDSOI浮体单元eDRAM,适用于高速和低功耗应用
作者:
Puget S.
;
Bossu G.
;
Fenouiller-Beranger C.
;
Perreau P.
;
Masson P.
;
Mazoyer P.
;
Lorenzini P.
;
Portal J.-M.
;
Bouchakour R.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
DRAM chips;
low-power electronics;
silicon-on-insulator;
FDSOI floating body cell eDRAM;
GIDL mechanism;
capacitorless 1T-DRAM cell;
gate-induced drain-leakage;
low power application;
size 19 nm;
size 20 nm;
size 9.5 nm;
write operation;
24.
Fully Depleted Double-Gate 1T-DRAM Cell with NVM Function for High Performance and High Density Embedded DRAM
机译:
具有NVM功能的全耗尽双门1T-DRAM单元,用于高性能和高密度嵌入式DRAM
作者:
Ki-Heung Park
;
Young Min Kim
;
Hyuck-In Kwon
;
Seong Ho Kong
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
DRAM chips;
1T-DRAM cell;
SONOS type storage node;
high density embedded DRAM;
nonvolatile memory function;
source-drain junction depth control;
25.
High Density MTP Logic NVM for Power Management Applications
机译:
适用于电源管理应用的高密度MTP逻辑NVM
作者:
Roizin Y.
;
Pikhay E.
;
Dayan V.
;
Heiman A.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
flash memories;
reliability;
Y-Flash read-disturb free memory cell;
array organization;
drain capacitive coupling;
embedded NVM;
floating gate;
high density MTP logic NVM;
power management;
self-aligned asymmetric MOS transistor;
three- dimensional extension structure;
26.
Improvement of 48 nm TANOS NAND Cell Performance by Introduction of a Removable Encapsulation Liner
机译:
通过引入可移动的封装衬垫改善48 nm TANOS NAND单元性能
作者:
Beug M.F.
;
Melde T.
;
Paul J.
;
Bewersdorff-Sarlette U.
;
Czernohorsky M.
;
Beyer V.
;
Hoffmann R.
;
Seidel K.
;
Lohr D.A.
;
Bach L.
;
Knoefler R.
;
Tilke A.T.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
NAND circuits;
storage management chips;
CT memory devices;
TANOS NAND cell;
charge trapping cells;
encapsulation liner;
size 48 nm;
word line;
27.
Current Compliance-Free Resistive Switching in Nonstoichiometric CeOx Films for Nonvolatile Memory Application
机译:
用于非易失性存储器的非化学计量CeOx薄膜中的电流无遵从性电阻切换
作者:
Liu L.F.
;
Sun X.
;
Sun B.
;
Kang J.F.
;
Wang Y.
;
Liu X.Y.
;
Han R.Q.
;
Xiong G.C.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
cerium compounds;
integrated circuit design;
integrated memory circuits;
random-access storage;
stoichiometry;
CeOsubx/sub;
RRAM circuit design;
compliance-free resistive switching;
nonstoichiometric cerium oxide film;
nonvolatile memory application;
resistance random access memory;
stoichiometric cerium oxide film;
28.
A 90nm Floating Gate 'B4-Flash' Memory Technology- Breakthrough of the Gate Length Limitation on NOR Flash Memory
机译:
90nm浮栅“ B4-Flash”存储技术-突破了NOR闪存的门长度限制
作者:
Ogura T.
;
Mihara M.
;
Kawajiri Y.
;
Kobayashi K.
;
Shimizu S.
;
Shukuri S.
;
Ajika N.
;
Nakashima M.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
NOR circuits;
charge pump circuits;
flash memories;
nanoelectronics;
B4-Flash memory scalability;
NMOS select transistor;
NOR flash memory;
charge pump circuit;
erase characteristics;
floating gate B4-Flash memory technology;
gate length cell;
memory cell array;
peripheral circuit;
robust program disturb immunity;
size 90 nm;
voltage 1.8 V;
29.
A New Read-Disturb Failure Mechanism Caused by Boosting Hot-Carrier Injection Effect in MLC NAND Flash Memory
机译:
增强MLC NAND闪存中的热载流子注入效应引起的新的读取干扰故障机制
作者:
Hsin-Heng Wang
;
Pei-Shan Shieh
;
Chiu-Tsung Huang
;
Tokami K.
;
Kuo R.
;
Shin-Hsien Chen
;
Houng-Chi Wei
;
Pittikoun S.
;
Aritome S.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
NAND circuits;
flash memories;
hot carriers;
multivalued logic circuits;
MLC NAND flash memory;
WLn cells Vth shift;
hot-carrier injection boosting effect;
read-disturb failure mechanism;
unselected cell area;
30.
Edge Contact Lateral Phase Change RAM with Super-Lattice-Like Phase Change Medium
机译:
具有超格状相变介质的边缘接触横向相变RAM
作者:
Yang H.X.
;
Shi L.P.
;
Zhao R.
;
Lee H.K.
;
Li J.M.
;
Lim K.G.
;
Chong T.C.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
II-VI semiconductors;
antimony compounds;
germanium compounds;
phase change materials;
phase change memories;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
zinc compounds;
RESET current;
Sbsub7/subTesub3/sub-GeTe-ZnS-SiOsub2/sub;
edge contact lateral structure;
lateral PCRAM structure;
phase change RAM;
resistance ratio;
stability;
super-lattice-like phase change medium;
thermal confinement;
31.
High Work-Function Oxygen-Bearing Electrodes for Improved Performance in MANOS Charge-Trap NVM and MIM-DRAM Type Devices
机译:
高工作功能的含氧电极可改善MANOS电荷捕获NVM和MIM-DRAM类型设备的性能
作者:
Gilmer D.C.
;
Goel N.
;
Park H.
;
Park C.
;
Barnett J.
;
Kirsch P.D.
;
Jammy R.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
DRAM chips;
MIM devices;
MOSFET;
alumina;
dielectric thin films;
flash memories;
molybdenum compounds;
MANOS flash MOSFETs;
MIM-DRAM type devices;
MoON;
defects;
dielectrics;
erase saturation;
metal-alumina-nitride-oxide charge-trap NVM type devices;
molybdenum-oxynitride electrodes;
oxygen-bearing electrodes;
thermal processing;
work function;
32.
On the Bipolar and Unipolar Switching Mechanisms Observed in NiO Memory Cells Made by Thermal Oxidation of Ni
机译:
Ni热氧化制备的NiO存储单元中的双极和单极转换机制
作者:
Goux L.
;
Lisoni J.G.
;
Courtade L.
;
Muller C.
;
Jurczak M.
;
Wouters D.J.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
bipolar memory circuits;
circuit switching;
heat treatment;
nickel compounds;
oxidation;
reduction (chemical);
NiO;
bipolar switching mechanism;
electrochemical reduction-oxidation;
memory cell resistance;
resistive-switching memory;
thermal oxidation;
unipolar switching mode;
33.
Multi-Level Operation of Fully CMOS Compatible WOX Resistive Random Access Memory (RRAM)
机译:
完全兼容CMOS的WOX电阻随机存取存储器(RRAM)的多级操作
作者:
Chien W.C.
;
Chen Y.C.
;
Chang K.P.
;
Lai E.K.
;
Yao Y.D.
;
Lin P.
;
Gong J.
;
Tsai S.C.
;
Hsieh S.H.
;
Chen C.F.
;
Hsieh K.Y.
;
Liu R.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
CMOS memory circuits;
integrated circuit reliability;
random-access storage;
tungsten compounds;
CMOS compatibility;
WOsubx/sub;
WOsubx/sub process;
electrical forming;
high temperature retention;
initial cycling endurance;
multilevel operation;
program-verify algorithm;
resistive random access memory;
robust read disturb immunity;
34.
Performance and Reliability of Si-Nanocrystal Double Layer Memory Devices with High-k Control Dielectrics
机译:
具有高k控制电介质的Si-纳米晶体双层存储器件的性能和可靠性
作者:
Gay G.
;
Molas G.
;
Bocquet M.
;
Jalaguier E.
;
Gely M.
;
Masarotto L.
;
Colonna J.P.
;
Grampeix H.
;
Martin F.
;
Brianceau P.
;
Vidal V.
;
Kies R.
;
Yckache K.
;
De Salvo B.
;
Ghibaudo G.
;
Baron T.
;
Bongiorno C.
;
Lombardo S.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
elemental semiconductors;
flash memories;
hafnium compounds;
high-k dielectric thin films;
high-temperature electronics;
nanoelectronics;
nanostructured materials;
semiconductor device reliability;
silicon;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
HfAlO-Si;
Si-SiN;
activation energy;
charge trapping medium;
charging dynamics;
double layer memory device reliability;
flash memory;
high-k control dielectrics;
high-temperature memory;
memory window;
35.
BiCS Flash as a Future 3D Non-Volatile Memory Technology for Ultra High Density Storage Devices
机译:
BiCS闪存是超高密度存储设备的未来3D非易失性存储技术
作者:
Aochi H.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
flash memories;
3D nonvolatile memory technology;
BiCS flash;
bit cost scalable flash technology;
ultra high density storage device;
36.
Phase Change Memory: A New Memory Enables New Memory Usage Models
机译:
相变内存:新内存启用新的内存使用模式
作者:
Eilert S.
;
Leinwander M.
;
Crisenza G.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
phase change memories;
PCM;
phase change memory;
37.
A Systematic Investigation of TiN/CuxO/Cu RRAM with Long Retention and Excellent Thermal Stability
机译:
TiN / CuxO / Cu RRAM具有长保留期和出色的热稳定性的系统研究
作者:
Zhou P.
;
Wan H.J.
;
Song Y.L.
;
Yin M.
;
Lv H.B.
;
Lin Y.Y.
;
Song S.
;
Huang R.
;
Wu J.G.
;
Chi M.H.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
copper;
copper compounds;
electrodes;
random-access storage;
thermal stability;
titanium compounds;
CMOS technology;
TiN-Cusubx/subO-Cu;
high resistance state;
low resistance state;
programming current;
resistive random access memory resistor;
thermal reliability memory;
top electrode;
38.
16Mb Split Gate Flash Memory with Improved Process Window
机译:
具有改进的处理窗口的16Mb分离门闪存
作者:
Yater J.
;
Suhail M.
;
Kang S.-T.
;
Shen J.
;
Hong C.
;
Merchant T.
;
Gasquet R.R.H.
;
Loiko K.
;
Winstead B.
;
Williams S.
;
Rossow M.
;
Malloch W.
;
Syzdek R.
;
Chindalore G.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
flash memories;
nanostructured materials;
nanotechnology;
storage media;
Si;
bitcell optimizations;
drive current;
memory size 16 MByte;
memory size 32 MByte;
nanocrystal memories;
process window;
reliability;
split gate flash memory;
39.
Chip Level Reliability of MANOS Cells under Operating Conditions
机译:
工作条件下MANOS电池的芯片级可靠性
作者:
Eun-Seok Choi
;
Se-Jun Kim
;
Soon-Ok Seo
;
Hyun-Seung Yoo
;
Kyoung-Hwan Park
;
Sung-Wook Jung
;
Se-Yun Lim
;
Han-Soo Joo
;
Gyo-Ji Kim
;
Sang-Bum Lee
;
Sang-Hyun Oh
;
Jae-Chul Om
;
Jeong-Hyong Yi
;
Seok-Kiu Lee
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
flash memories;
integrated circuit design;
integrated circuit reliability;
integrated memory circuits;
silicon compounds;
MANOS cell;
MT reliability;
SiN;
chip level reliability;
defective cell;
q-loss rate;
silicon cluster;
silicon rich nitride;
temperature 293 K to 298 K;
40.
A 60pJ, 3-Clock Rising Time, VTH Loss Compensated Word-Line Booster Circuit for 0.5V Power Supply Embedded/Discrete DRAMs
机译:
用于0.5V电源嵌入式/离散DRAM的60pJ,3时钟上升时间,VTH损耗补偿字线升压电路
作者:
Tanakamaru S.
;
Takeuchi K.
会议名称:
《Memory Workshop, 2009. IMW '09》
|
2009年
关键词:
DRAM chips;
embedded systems;
high-speed integrated circuits;
low-power electronics;
clock rising time;
discrete DRAM;
embedded DRAM;
energy 60 pJ;
loss compensated word-line booster circuit;
low power high-speed word-line booster;
power consumption;
voltage 0.5 V;
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