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Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM
Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM
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1.
Ultrafast optoelectronic devices using photomixing in laser-assisted field emission
机译:
在激光辅助场发射中使用光混合的超快光电器件
作者:
Hagmann M.J.
;
Mousa M.S.
;
Brugat M.
;
Sheshin E.P.
;
Baturin A.S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
2.
Multiple delta doping for improved driftzone design for lateral silicon power MOSFETs
机译:
多个delta掺杂可改善横向硅功率MOSFET的漂移区设计
作者:
Tolksdorf C.
;
Ludsteck A.
;
Schmidt M.
;
Sedlmaier S.
;
Schulze J.
;
Eisele I.
;
Deboy G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
3.
High power AlGaN/GaN HEMTs grown by plasma-assisted MBE operating at 2 to 25 GHz
机译:
等离子辅助MBE在2至25 GHz的频率下生长的高功率AlGaN / GaN HEMT
作者:
Waechtler T.
;
Manfra M.J.
;
Weimann N.G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
4.
A nonvolatile pentacene organic memory (PENTOM) with a triple-layer gate insulator on a flexible substrate
机译:
在柔性基板上具有三层栅极绝缘体的非易失性并五苯有机存储器(PENTOM)
作者:
Sung Hun Jin
;
Yong Kyu Lee
;
Cheon An Lee
;
Jin Wook Kim
;
Byung-Gook Park
;
Jong Duk Lee
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
5.
An all-printed passive component technology for low-cost RFID
机译:
用于低成本RFID的全印刷无源组件技术
作者:
Redinger D
;
Farshchi R.
;
Subramanian V.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
6.
Nanoscale transport in organic transistors and LEDs
机译:
有机晶体管和LED中的纳米级传输
作者:
Zaumseil J.
;
Lee T.-W.
;
Hsu J.W.P.
;
Loo Y.-L.
;
Cirelli R.
;
Rogers J.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
7.
Organic electronics on flexible substrates-paper or plastic?
机译:
柔性基材(纸或塑料)上的有机电子产品?
作者:
Klauk H.
;
Eder F.
;
Halik M.
;
Zschieschang U.
;
Schmid G.
;
Dehm C.
;
Bergsmann M.
;
Einsiedler R.
;
Treutlein R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
8.
Digital nanomagnetic logic
机译:
数字纳米磁逻辑
作者:
Cowburn R.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
9.
Pushing to the performance limit of carbon nanotube electronics
机译:
推动碳纳米管电子产品的性能极限
作者:
Hongjie Dai
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
10.
Carbon nanotube field-effect transistors-an example of an ultra-thin body Schottky barrier device
机译:
碳纳米管场效应晶体管-超薄肖特基势垒器件的一个例子
作者:
Appenzeller J.
;
Knoch J.
;
Avouris P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
11.
Selective growth and electrical properties of single-walled carbon nanotubes
机译:
单壁碳纳米管的选择性生长和电性能
作者:
Zhang R.Y.
;
Amlani I.
;
Tsui R.
;
Tresek J.
;
Baker J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
12.
Systematic properties of active technologies
机译:
主动技术的系统特性
作者:
Frensley W.R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
13.
550 GHz-f
T
pseudomorphic InP-HEMTs with reduced source-drain resistance
机译:
具有降低的源极-漏极电阻的550 GHz-f
T sub>非晶InP-HEMT
作者:
Shinohara K.
;
Yamashita Y.
;
Endoh A.
;
Watanabe I.
;
Hikosaka K.
;
Mimura T.
;
Hiyamizu S.
;
Matsui T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
14.
Body-tied double-gate SONOS flash (omega flash) memory device built on bulk Si wafer
机译:
基于块状Si晶片的一体式双门SONOS闪存(omega闪存)存储设备
作者:
Il Hwan Cho
;
Tai-Su Park
;
Si Young Choi
;
Jong Duk Lee
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
15.
Automatic control of the oscillation phase of a single-electron transistor by a memory node with a small MOSFET
机译:
通过带有小MOSFET的存储节点自动控制单电子晶体管的振荡相位
作者:
Nishiguchi K.
;
Inokawa H.
;
Fujiwara A.
;
Takahashi Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
16.
Effect of temperature on nanocrystalline diamond field emission device characteristics
机译:
温度对纳米晶金刚石场发射器件特性的影响
作者:
Abdel-Motaleb I.M.
;
Auciello O.
;
Carlisle J.
;
Gruen D.
;
Birrell J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
17.
Epitaxial ferromagnet-semiconductor heterostructures for electrical spin injection
机译:
电自旋注入的外延铁磁体-半导体异质结构
作者:
Ploog K.H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
18.
Terahertz technology: where transistors (so far) fear to tread
机译:
太赫兹技术:晶体管(迄今为止)不敢涉足
作者:
Crowe T.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
19.
Meso- and nanophotonic devices for integrated photonic circuits
机译:
用于集成光子电路的中微光子器件
作者:
Dapkus P.D.
;
OBrien J.D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
20.
Four-band quantum well infrared photodetector array
机译:
四波段量子阱红外光电探测器阵列
作者:
Bandara S.V.
;
Gunapala S.D.
;
Liu J.K.
;
Rafol S.B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
21.
Sb-based heterostructure backward diodes with improved sensitivity
机译:
基于锑的异质结构反向二极管,具有更高的灵敏度
作者:
Meyers R.G.
;
Fay P.
;
Schulman J.N.
;
Thomas S. III
;
Chow D.H.
;
Boegeman Y.K.
;
Deelman P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
22.
RF passive devices on Si substrates with close to ideal EM performance
机译:
硅衬底上的射频无源器件,具有接近理想的电磁性能
作者:
Chan K.T.
;
Chin C.
;
Li M.-F.
;
Kwong D.L.
;
McAlister S.P.
;
Duh D.S.
;
Lin W.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
23.
Feasibility study of GaAs digital processors based on hexagonal BDD quantum logic circuit approach
机译:
基于六角形BDD量子逻辑电路方法的GaAs数字处理器的可行性研究
作者:
Kasai S.
;
Yumoto M.
;
Tamura T.
;
Hasegawa H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
24.
RF MEMS piezoelectric switch
机译:
RF MEMS压电开关
作者:
Gross S.J.
;
Zhang Q.Q.
;
Trolier-McKinstry S.
;
Tadigadapa S.
;
Jackson T.N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
25.
AlSb/InAs/InAsP/AlSb composite-channel HFETs
机译:
AlSb / InAs / InAsP / AlSb复合沟道HFET
作者:
Lin H.-K.
;
Kadow C.
;
Dahlstrom M.
;
Bae J.-U.
;
Rodwell M.
;
Gossard A.C.
;
Brar B.
;
Sullivan G.
;
Nagy G.
;
Bergman J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
26.
Multiple-wavelength GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser array with record wide wavelength span
机译:
记录宽波长范围的多波长GaInAs / GaAs垂直腔表面发射激光器阵列
作者:
Arai M.
;
Kondo T.
;
Matsutani A.
;
Miyamoto T.
;
Koyama F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
27.
Focused ion beam post-processing for single mode photonic crystal vertical cavity surface-emitting lasers
机译:
单模光子晶体垂直腔面发射激光器的聚焦离子束后处理
作者:
Danner A.J.
;
Yokouchi N.
;
Raftery J.J. Jr.
;
Choquette K.D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
28.
Improved power linearity of InGaP/GaAs HBTs by collector doping design
机译:
集电极掺杂设计改善了InGaP / GaAs HBT的功率线性
作者:
Yue-Ming Hsin
;
Ze-Ming Wang
;
Hsu H.T.
;
Tang W.B.
;
Pan C.T.
;
Ho Y.L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
29.
61st Device Research Conference. Conference Digest (Cat. No.03TH8663)
机译:
第61届设备研究会议。会议文摘(目录号03TH8663)
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
30.
Intelligent microsystems: convergence at the analog-digital interface
机译:
智能微系统:模数接口处的融合
作者:
Leheny R.F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
31.
InP HEMTs: physics, applications, and future
机译:
InP HEMT:物理,应用和未来
作者:
Endoh A.
;
Yamashita Y.
;
Shinohara K.
;
Higashiwaki M.
;
Hikosaka K.
;
Matsui T.
;
Hiyamizu S.
;
Mimura T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
32.
Monolithic 4H-SiC Darlington transistors with a peak current gain of 2000
机译:
峰值电流增益为2000的单片4H-SiC达林顿晶体管
作者:
Yi Tang
;
Chow T.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
33.
Index
机译:
指数
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
34.
5-kV switches on flexible plastic substrate for electro-active polymer actuators
机译:
用于电活性聚合物致动器的柔性塑料基板上的5 kV开关
作者:
Lacour S.P.
;
Wagner S.
;
Pelrine R.
;
Prahlad H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
35.
Issues in transport
机译:
运输问题
作者:
Hess K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
36.
Self-heating effects in AlGaN/GaN high-power HEMTs
机译:
AlGaN / GaN大功率HEMT中的自热效应
作者:
Zhang A.P.
;
Rowland L.B.
;
Kaminsky E.B.
;
Tilak V.
;
Allen A.F.
;
Edward B.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
37.
A novel process for co-integration of vertical double-gate and planar single-gate MOSFETs
机译:
垂直双栅和平面单栅MOSFET集成的新工艺
作者:
Masahara M.
;
Matsukawa T.
;
Hosokawa S.
;
Ishii K.
;
Yongxun Liu
;
Tanoue H.
;
Sakamoto K.
;
Sekigawa T.
;
Yamauchi H.
;
Kanemaru S.
;
Suzuki E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
38.
Fabrication and characterization of high current gain ((β=430) and high power (23 A-500 V) 4H-SiC darlington bipolar transistors
机译:
高电流增益((β= 430)和高功率(23 A-500 V)4H-SiC达林顿双极晶体管的制造和表征
作者:
Yanbin Luo
;
Jianhui Zhang
;
Alexandrov P.
;
Fursin L.
;
Zhao J.H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
39.
Ultra-narrow rectangular cross-section Si-Fin channel double-gate MOSFETs fabricated by using orientation-dependent wet etching
机译:
通过使用与方向相关的湿法刻蚀制造的超窄矩形截面Si-Fin沟道双栅MOSFET
作者:
Liu Y.X.
;
Ishii K.
;
Tsutsumi T.
;
Masahara M.
;
Takashima H.
;
Suzuki E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
40.
PMOS body-tied FinFET (Omega MOSFET) characteristics
机译:
PMOS内置FinFET(Omega MOSFET)特性
作者:
Park T.
;
Park D.
;
Chung J.H.
;
Yoon E.J.
;
Kim S.M.
;
Cho H.J.
;
Choe J.D.
;
Choi J.H.
;
Yoon B.M.
;
Han J.J.
;
Kim B.H.
;
Choi S.
;
Kim K.
;
Yoon E.
;
Lee J.H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
41.
Compact model of MOSFET electron tunneling current through ultra-thin SiO
2
and high-k gate stacks
机译:
通过超薄SiO
2 sub>和高k栅堆叠的MOSFET电子隧穿电流的紧凑模型
作者:
Fei Li
;
Mudanai S.P.
;
Yang-Yu Fan
;
Register L.F.
;
Banerjee S.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
42.
Intersubband quantum cascade electroluminescent device with self-organized In
0.4
Ga
0.6
As/GaAs quantum dot active region
机译:
自组织的In
0.4 sub> Ga
0.6 sub> As / GaAs量子点有源区的带间量子级联电致发光器件
作者:
Fischer C.
;
Bhattacharya P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
43.
Low-voltage AlGaSb/InAs/AlGaSb PnP HBTs
机译:
低压AlGaSb / InAs / AlGaSb PnP HBT
作者:
Brar B.
;
Bergman J.
;
Pierson R.
;
Rowell P.
;
Nagy G.
;
Sullivan G.
;
Kadow C.
;
Lin H.K.
;
Gossard A.
;
Rodwell M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
44.
Influence of surface structure on electrical characteristics in SiC MESFETs
机译:
表面结构对SiC MESFET电学特性的影响
作者:
Ho-Young Cha
;
Thomas C.I.
;
Eastman L.F.
;
Spencer M.G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
45.
Electrolytic polymer active devices
机译:
电解聚合物有源器件
作者:
McGarry S.P.
;
Tarr N.G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
46.
High mobility poly-Ge TFTs on flexible plastic fabricated at 130° C
机译:
在130°C下制造的柔性塑料上的高迁移率多Ge TFT
作者:
Shahrjerdi D.
;
Hekmatshoar B.
;
Mohajerzadeh S.S.
;
Khakifirooz A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
47.
Gate capacitance optimization for arrays of carbon nanotube field-effect transistors
机译:
碳纳米管场效应晶体管阵列的栅极电容优化
作者:
Xinlin Wang
;
Wong H.-S.P.
;
Oldiges P.
;
Miller R.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
48.
High-power K-band submicron insulating gate heterostructure field-effect transistors
机译:
大功率K波段亚微米绝缘栅异质结构场效应晶体管
作者:
Tarakji A.
;
Simin G.
;
Fatima H.
;
Adivarahan V.
;
Gaevski M.
;
Sun W.
;
Yang J.
;
Khan M.A.
;
Shur M.S.
;
Gaska R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
49.
A physics-based model of frequency-dependent electrical characteristics of GaN MESFETs
机译:
GaN MESFET随频率变化的电气特性的基于物理学的模型
作者:
Islam S.S.
;
Anwar A.F.M.
;
Webster R.T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
50.
Control of operating wavelength and linewidth in LWIR InAs/InGaAs dots-in-a-well detectors
机译:
控制LWIR InAs / InGaAs井中点检测器的工作波长和线宽
作者:
Raghavan S.
;
von Winckel G.
;
Rotella P.
;
Stintz A.
;
Krishna S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
51.
GaAs-based MOSFETs with Al
2
O
3
gate dielectrics grown by atomic layer deposition
机译:
通过原子层沉积法生长具有Al
2 sub> O
3 sub>栅极电介质的GaAs基MOSFET
作者:
Ye P.D.
;
Wilk G.D.
;
Yang B.
;
Kwo J.
;
Gossmann H.-J.L.
;
Frei M.
;
Chu S.N.G.
;
Nakahara S.
;
Mannaerts J.P.
;
Sergent M.
;
Hong M.
;
Ng K.K.
;
Bude J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
52.
A Fin-type independent-double-gate NFET
机译:
鳍式独立双栅极NFET
作者:
Fried D.M.
;
Nowak E.J.
;
Kedzierski J.
;
Duster J.S.
;
Komegay K.T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
53.
Application of top HfSiON layer for improved poly-gated HfO
2
PMOSFET performance
机译:
HfSiON顶层在改善多栅极HfO
2 sub> PMOSFET性能中的应用
作者:
Cho H.-J.
;
Kang C.S.
;
Akbar M.S.
;
Onishi K.
;
Kim Y.H.
;
Choi R.
;
Lee J.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
54.
Low defects and high quality Al
2
O
3
Ge-on-insulator MOSFETs
机译:
低缺陷和高质量的Al
2 sub> O
3 sub>绝缘体上Ge MOSFET
作者:
Yu D.S.
;
Huang C.H.
;
Chin A.
;
Chen W.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
55.
SONNS memory: improvement over SONOS flash memory
机译:
SONNS存储器:对SONOS闪存的改进
作者:
Min She
;
Takeuchi H.
;
Tsu-Jae King
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
56.
Polarity dependence of the reliability characteristics of HfO
2
with poly-Si gate electrode
机译:
HfO
2 sub>与多晶硅栅电极的可靠性特性的极性相关性
作者:
Kim Y.H.
;
Onishi K.
;
Kang C.S.
;
Choi R.
;
Cho H.-J.
;
Akbar M.S.
;
Lee J.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
57.
Fringe field and quantum mechanical effects on capacitance characteristics of sub-0.1 micron MOS devices
机译:
0.1微米以下MOS器件的边缘场和量子力学效应对电容特性的影响
作者:
Gunther N.G.
;
Mutlu A.A.
;
Rahman M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
58.
Impact of nanoimprint lithography to device development
机译:
纳米压印光刻技术对设备开发的影响
作者:
Chou S.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
59.
Damageless sputter deposition for metal gate CMOS technology
机译:
金属栅极CMOS技术的无损溅射沉积
作者:
Takeuchi H.
;
Min She
;
Watanabe K.
;
Tsu-Jae King
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
60.
Ka-band CW power performance by AlGaN/GaN HEMTs on SiC
机译:
基于SiC的AlGaN / GaN HEMT的Ka波段连续波功率性能
作者:
Lee C.
;
Jinwei Yang
;
Asif Khan M.
;
Saunier P.
会议名称:
《》
|
2001年
61.
P-channel InGaN-HFET structure based on polarization doping
机译:
基于极化掺杂的P沟道InGaN-HFET结构
作者:
Zimmermann T.
;
Neuburger M.
;
Kunze M.
;
Daumiller I.
;
Denisenko A.
;
Dadgar A.
;
Krost A.
;
Kohn E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
62.
Microwave performance of diamond surface-channel FET
机译:
金刚石表面沟道FET的微波性能
作者:
Kasu M.
;
Kubovic M.
;
Aleksov A.
;
Kallfass I.
;
Spitzberg U.
;
Kobayashi N.
;
Schumacher H.
;
Kohn E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
63.
High current gain (>2000) and reduced common-emitter offset voltage of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
机译:
GaN / InGaN双异质结双极晶体管的高电流增益(> 2000)并降低了共射极偏置电压
作者:
Makimoto T.
;
Kumakura K.
;
Kobayashi N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
64.
4H-SiC RF bipolar junction transistors
机译:
4H-SiC RF双极结型晶体管
作者:
Perez I.
;
Torvik J.
;
Van Zeghbroeck B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
65.
High speed lateral trench detectors with a junction substrate
机译:
带有连接基板的高速横向沟槽探测器
作者:
Qiqing Ouyang
;
Schaub J.D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
66.
Temperature dependence of the current-voltage characteristics of AlGaN/GaN HEMT
机译:
AlGaN / GaN HEMT电流-电压特性的温度依赖性
作者:
Shen L.
;
Chini A.
;
Coffie R.
;
Buttari D.
;
Heikman S.
;
Keller S.
;
Mishra U.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
67.
Generation of coherent GHz acoustic phonons in AlGaN/GaN microwave field effect transistors
机译:
AlGaN / GaN微波场效应晶体管中产生相干GHz声子
作者:
Jung-Hoon Song
;
Qiang Zhang
;
Patterson W. III
;
Nurmikko A.V.
;
Uren M.J.
;
Hilton K.P.
;
Balmer R.S.
;
Martin T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
68.
Bi-stable a-Si:H TFT phosphorescent OLED active matrix pixel
机译:
双稳态a-Si:H TFT磷光OLED有源矩阵像素
作者:
Nichols J.A.
;
Jackson T.N.
;
Lu M.H.
;
Hack M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
69.
Large area printing of electronic devices
机译:
电子设备的大面积打印
作者:
Blanchet G.B.
;
Rogers J.A.
;
Loo Y.L.
;
Gao F.
;
Fincher C.R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
70.
Stretchable and deformable macroelectronics
机译:
可拉伸和可变形的宏观电子学
作者:
Wagner S.
;
Lacour S.P.
;
Hsu P.-H.I.
;
Sturm J.C.
;
Suo Z.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
71.
Random networks of single-wall carbon nanotubes: electronic and sensor applications
机译:
单壁碳纳米管的随机网络:电子和传感器应用
作者:
Snow E.S.
;
Novak J.P.
;
Park D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
72.
Electrically stimulated cell membrane breakdown in human placenta TL and lung cancer cell A549 in 3D trap arrays on Si substrate
机译:
Si基板上3D陷阱阵列中人胎盘TL和肺癌A549细胞的电刺激细胞膜破裂
作者:
Chan K.T.
;
Chuang S.S.
;
Wu C.H.
;
Kuo C.D.
;
Chin A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
73.
The evolution of readback sensors for magnetic recording
机译:
磁记录回读传感器的发展
作者:
Gurney B.A.
;
Childress J.R.
;
Carey M.
;
Fontana R.A. Jr.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
74.
Negative differential resistance in a bilayer molecular junction
机译:
双层分子结中的负微分电阻
作者:
Le J.
;
Yan He
;
Mead C.
;
Hoye T.R.
;
Kiehl R.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
75.
Fabrication and I-V characterization of carbon nanotube single electron transistor operated at room temperature
机译:
室温下工作的碳纳米管单电子晶体管的制备及IV特性
作者:
Kamimura T.
;
Sakamoto K.
;
Maeda M.
;
Kurachi K.
;
Matsumoto K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
76.
Silicon single-electron turnstile
机译:
硅单电子旋转栅
作者:
Ono Y.
;
Yamazaki K.
;
Takahashi Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
77.
RF noise performance of low power InAs/AlSb HFETs
机译:
低功率InAs / AlSb HFET的射频噪声性能
作者:
Bergman J.
;
Nagy G.
;
Sullivan G.
;
Brar B.
;
Kadow C.
;
Lin H.-K.
;
Gossard A.
;
Rodwell M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
78.
Metamorphic 6.0 Å In
0.86
Al
0.14
As/In
0.86
Ga
0.14
As double heterojunction bipolar transistors
机译:
作为双异质结双极晶体管的变质6.0ÅIn
0.86 sub> Al
0.14 sub> As / In
0.86 sub> Ga
0.14 sub>
作者:
Monier C.
;
Cavus A.
;
Sandhu R.
;
Sawdai D.
;
Lange M.
;
Gambin V.
;
Block T.
;
Gutierrez-Aitken A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
79.
Functional semiconductor nanowires and their optical properties
机译:
功能半导体纳米线及其光学性质
作者:
Peidong Yang
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
80.
Silicon nano-transistors and breaking the 10 nm physical gate length barrier
机译:
硅纳米晶体管和突破10 nm物理栅极长度的障碍
作者:
Chau R.
;
Doyle B.
;
Doczy M.
;
Datta S.
;
Hareland S.
;
Jin B.
;
Kavalieros J.
;
Metz M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
81.
SiGe single-hole transistor fabricated by AFM oxidation and epitaxial regrowth
机译:
AFM氧化和外延再生长制成的SiGe单孔晶体管
作者:
Xiang-Zheng Bo
;
Rokhinson L.P.
;
Tsui D.C.
;
Sturm J.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
82.
SiGe quantum dots memory devices with HfO
2
tunneling oxide
机译:
具有HfO
2 sub>隧穿氧化物的SiGe量子点存储器件
作者:
Kim D.-W.
;
Kim T.
;
Yueran Liu
;
Weltzer L.
;
Banerjee S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
83.
Light emission from Al
2
O
3
/Si
1-x
Ge
x
/Si MOS tunnel diodes
机译:
Al
2 sub> O
3 sub> / Si
1-x sub> Ge
x sub> / Si MOS隧道二极管的发光
作者:
Lin C.Y.
;
Lai L.H.
;
Chin A.
;
Hou Y.T.
;
Li M.F.
;
McAlister S.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM》
|
2001年
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