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Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89
Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89
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1.
Gate oxide degradation due to plasma damage related charging while ILD cap oxide deposition - detection, localization and resolution
机译:
在ILD帽氧化物沉积的同时,由于与等离子体损坏相关的充电导致栅极氧化物降解-检测,定位和分辨率
作者:
Schulte S.
;
Dubois G.
;
Basso D.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
2.
Charging damage during contact etch triggered by increased borderless nitride conductivity
机译:
无边界氮化物电导率增加引发的接触蚀刻过程中的充电损坏
作者:
Cacciaot A.
;
Scarpa A.
;
Evseev S.
;
Diekema M.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
3.
Plasma-induced damage on sub-5 nm gate oxide by PECVD-Ti process
机译:
PECVD-Ti工艺对5nm以下栅氧化层的等离子体诱导损伤
作者:
Hee Sook Park
;
Jong Myeong Lee
;
Sang Woo Lee
;
Jung Hun Seo
;
Kyoung Mo Koo
;
Hyo Bum Lee
;
Jae Hoon Jang
;
Dong Kyun Park
;
In Sun Park
;
Gil Heyun Choi
;
U In Chung
;
Joo Tae Moon
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
4.
Plasma-induced charge damage and its effect on reliability in 0.115-μm technology
机译:
0.115-μm技术中的等离子体引起的电荷损伤及其对可靠性的影响
作者:
Erhong Li
;
Pachura D.
;
Duong L.
;
Prasad S.
;
Vijay D.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
5.
Impacts of HF etching on ultra-thin core gate oxide integrity in dual gate oxide CMOS technology
机译:
HF蚀刻对双栅氧化物CMOS技术中超薄核心栅氧化物完整性的影响
作者:
Da-Yuan Lee
;
Horng-Chih Lin
;
Chia-Lin Chen
;
Tiao-Yuan Huang
;
Tahui Wang
;
Tze-Liang Lee
;
Shih-Chang Chen
;
Mong-Song Liang
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
6.
Plasma induced substrate damage in high dose implant resist strip process
机译:
高剂量注入抗蚀剂剥离工艺中等离子体诱导的衬底损伤
作者:
Bor-Wen Chan
;
Baw-Ching Perng
;
Sheu L.
;
Yuan-Hung Chiu
;
Han-Jan Tao
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
7.
Plasma damage reduction by using ISSG gate oxides
机译:
通过使用ISSG栅氧化物减少等离子体损伤
作者:
Cellere G.
;
Valentini M.G.
;
Caminati M.
;
Vitali M.E.
;
Moro A.
;
Paccagnella A.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
8.
Yield improvement by reducing charge-up damage of double polysilicon capacitors during via etch
机译:
通过减少通孔蚀刻过程中双多晶硅电容器的充电损坏来提高产量
作者:
Beugin V.
;
Richard M.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
9.
Process induced damage: what challenges lie ahead?
机译:
过程引起的损坏:面临哪些挑战?
作者:
Dao T.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
10.
Plasma-induced charging in two bit per cell SONOS memories
机译:
等离子体感应充电,每单元2位SONOS存储器
作者:
Roizin Y.
;
Gutman M.
;
Yosefi R.
;
Alfassi S.
;
Aloni E.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
11.
Low charging damage SiO
2
etching with a low-angle forward reflected neutral beam
机译:
低角度向前反射中性束的低电荷损伤SiO
2 sub>蚀刻
作者:
Lee D.H.
;
Chung M.J.
;
Jung S.J.
;
Yeom G.Y.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
12.
Backend dielectric etch induced wafer arcing mechanism and solution
机译:
后端电介质蚀刻诱发的晶圆电弧机理和解决方案
作者:
Ma S.
;
Hanabusa N.
;
Mays B.
;
Shoji S.
;
Kutney M.
;
Detrick T.
;
Patada B.
;
Straube R.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
13.
Investigation of electron-shading effects during high-current ion implants
机译:
大电流离子注入过程中电子遮蔽效应的研究
作者:
Lukaszek W.
;
Current M.I.
;
Daryanani S.
;
Larson L.
;
Rhoad T.
;
Shields J.
;
Vella M.
;
Wagner D.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
14.
Recent trends in 300-mm plasma equipment
机译:
300毫米等离子设备的最新趋势
作者:
Vinogradov G.Y.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
15.
The effect of fluorine in an advanced CMOS process with triple (1.6/2.2/5.2 nm) nitrided gate oxide
机译:
氟在具有三(1.6 / 2.2 / 5.2 nm)氮化栅极氧化物的高级CMOS工艺中的作用
作者:
Hook T.B.
;
Kontra R.
;
Burnham J.
;
Lavoie M.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
16.
Process induced damages from various integrated circuit interconnection designs - limitations of antenna rule under practical integrated circuit layout practice
机译:
各种集成电路互连设计引起的工艺损伤-实际集成电路布图实践中天线规则的局限性
作者:
Mercier J.
;
Dao T.
;
Flechner H.
;
Jean B.
;
Oscar D.B.
;
Aum P.K.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
17.
Effects of gate notching profile defect on characteristic of cell NMOSFET in low-power SRAM device
机译:
栅极缺口轮廓缺陷对低功耗SRAM器件单元NMOSFET特性的影响
作者:
Sang-Hun Seo
;
Sung-Jin Kim
;
Won-Suk Yang
;
Jun-Yong Ju
;
Joo-Young Kim
;
Seung-Hyun Park
;
Seug-Gyu Kim
;
Kijoon Kim
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
18.
A fast plasma induced damage monitoring method
机译:
快速等离子体诱发损伤监测方法
作者:
Ming Yang
;
Ambrose T.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
19.
P2ID 2002 industry survey of semiconductor process-induced damage
机译:
P2ID 2002半导体工艺引起的损坏的行业调查
作者:
Hook T.
;
Eriguchi K.
;
Thuy Dao
;
Alba S.
;
Aum P.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
20.
Effects of plasma-induced damage to ultrathin (≤1.5 nm) gate dielectric on equivalent oxide thickness downscaling using plasma nitridation process
机译:
等离子体诱导的对超薄(≤1.5nm)栅极电介质的损伤对使用等离子体氮化工艺降低等效氧化物厚度的影响
作者:
Chang V.S.
;
Chen C.-C.
;
Wu C.-L.
;
Lee D.-Y.
;
Lee T.-L.
;
Chen S.-C.
;
Liang M.-S.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
21.
Metal contamination monitoring in ion implantation technology
机译:
离子注入技术中的金属污染监测
作者:
Colelli E.
;
Galbiati A.
;
Caputo D.
;
Polignano M.L.
;
Soncini V.
;
Salva G.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
22.
Investigation of gate oxide quality as a function of downstream plasma exposure during flash memory fabrication
机译:
在闪存制造过程中研究栅极氧化物的质量与下游等离子体暴露的关系
作者:
Giancaterina S.
;
Rebrasse J.-P.
;
Lecohier B.
;
Keller O.
;
Martinetti M.
;
Rounds S.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
23.
Ion orbits in electron shading damage
机译:
离子轨道对电子遮光的损害
作者:
Madziwa-Nussinov T.
;
Arnush D.
;
Chen F.F.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
24.
Systematic deprocessing: a technique for identification of the origins of process-induced damage and threshold voltage shifts
机译:
系统性脱处理:一种用于识别过程引起的损坏和阈值电压偏移的起源的技术
作者:
Fischer A.J.
;
Krishnan A.T.
;
Kaneshige C.
;
Qi-Zhong Hong
;
Krishnan S.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
25.
Prediction of plasma charging damage during SiO
2
etching by VicAddress
机译:
用VicAddress预测SiO
2 sub>蚀刻过程中的等离子体充电损伤
作者:
Yagisawa T.
;
Ohmori T.
;
Shimada T.
;
Makabe T.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
26.
A general concept for monitoring plasma induced charging damage
机译:
监视等离子体感应充电损害的一般概念
作者:
Smeets D.
;
Martin A.
;
Scarp A.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
27.
Metal gate and high-k integration for advanced CMOS devices
机译:
金属栅极和高k集成,用于高级CMOS器件
作者:
Guillaumot B.
;
Garros X.
;
Lime F.
;
Oshima K.
;
Chroboczek J.A.
;
Masson P.
;
Truche R.
;
Papon A.M.
;
Martin F.
;
Damlencourt J.F.
;
Maitrejean S.
;
Rivoire M.
;
Leroux C.
;
Cristoloveanu S.
;
Ghibaudo G.
;
Autran J.L.
;
Skotnicki T.
;
Deleonibus S.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
28.
Comprehending scaling effects on plasma damage
机译:
理解结垢对血浆损伤的影响
作者:
Krishnan A.T.
;
Krishnan S.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
29.
2003 8th International Symposium on Plasma- and Process-Induced Damage. (Cat. No.03TH8669)
机译:
2003年,第八届国际等离子体和过程引发的损害研讨会。 (货号03TH8669)
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
30.
CMOS downscaling and process induced damages
机译:
CMOS缩小尺寸和工艺引起的损坏
作者:
Iwai H.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
31.
Critical issues in plasma etching processes involved in the gate etch fabrication of CMOS devices
机译:
CMOS装置的栅极蚀刻制造所涉及的等离子蚀刻工艺中的关键问题
作者:
Joubert O.
;
Pargon E.
;
Detter X.
;
Chevolleau J.
;
Cunge G.
;
Vallier L.
会议名称:
《》
|
1989年
32.
Physical characterization of ultrathin high k dielectrics
机译:
超薄高k电介质的物理特性
作者:
Vandervorst W.
;
Brijs B.
;
Bender H.
;
Conard O.T.
;
Petry J.
;
Richard O.
;
Van Elshocht S.
;
Delabie A.
;
Caymax M.
;
De Gendt S.
;
Cosnier V.
;
Green M.
;
Chen J.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
33.
Interaction between ILD-process and metal-etch induced gate charging effect
机译:
ILD工艺与金属蚀刻引起的栅极充电效应之间的相互作用
作者:
Lin W.
;
Sery G.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
34.
A novel wireless on-wafer plasma sensor using light-emitting diodes
机译:
一种使用发光二极管的新型无线晶圆上等离子体传感器
作者:
Mise N.
;
Ono T.
;
Usui T.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
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1989年
35.
Reduction of plasma-radiation-induced interface states for plasma processes of charge-coupled-device image sensors using pulse-time-modulated plasma
机译:
使用脉冲时间调制等离子体减少电荷耦合器件图像传感器的等离子体过程的等离子体辐射诱导的界面态
作者:
Okigawa N.
;
Ishikawa Y.
;
Samukawa S.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
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1989年
36.
Automated antenna detection and correction methodology in VLSI designs
机译:
VLSI设计中的自动天线检测和校正方法
作者:
Shukla V.
;
Gupta V.
;
Guruprasad C.
;
Kadamati G.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
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1989年
37.
Effect of the process flow on negative-bias-temperature-instability
机译:
工艺流程对负偏压温度不稳定性的影响
作者:
Scarpa A.
;
van Marwijk L.
;
Cacciato A.
;
Ballarin F.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
38.
Temperature effect on ultra thin SiO
2
time-dependent-dielectric-breakdown
机译:
温度对超薄SiO
2 sub>时变介电击穿的影响
作者:
Cheung K.P.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
|
1989年
39.
NBTI in dual gate oxide PMOSFETs
机译:
双栅极氧化物PMOSFET中的NBTI
作者:
Chaparala P.
;
Brisbin D.
;
Shibley J.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
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1989年
40.
Survey of semiconductor process-induced damage
机译:
半导体工艺引起的损坏调查
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
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1989年
41.
Initial gate leakage in ultra thin SiO
2
- the role of a brief stress
机译:
超薄SiO
2 sub>中的初始栅极泄漏-短暂应力的作用
作者:
Cheung K.P.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
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1989年
42.
Direct measurement of gate oxide damage from plasma nitridation process
机译:
直接测量等离子体氮化过程对栅极氧化物的损害
作者:
Jin Y.
;
Chen C.-C.
;
Chang V.S.
;
Leel D.-Y.
;
Lee T.-L.
;
Chen S.-C.
;
Liang M.-S.
会议名称:
《Global Telecommunications Conference, 1989, and Exhibition. Communications Technology for the 1990s and Beyond. GLOBECOM '89》
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1989年
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