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International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09

召开年：2009
召开地：College Park, MD(US);College Park, MD(US)
出版时间：-

会议文集：-

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1.Proposal of heavily doped silicon between insulators MOSFETs and confirmation of their advantages by device simulation

机译：建议在绝缘体MOSFET之间使用重掺杂硅并通过器件仿真确认其优势
- 作者：Yamada, T.; Miyazawa, Y.; Nakajima, Y.; Hanajiri, T.; Toyabe, T.; Sugano, T.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
2.Operation regimes of double gated graphene nanoribbon FETs

机译：双栅极石墨烯纳米带FET的工作方式
- 作者：Tahy, Kristof; Lian, Chuanxin; Xing, Huili (Grace); Jena, Debdeep
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
3.An introduction to experimental and modeling methods of evaluation of high power microwave effects on digital microelectronic systems

机译：数字微电子系统大功率微波效应评估的实验和建模方法简介
- 作者：Holloway, Michael A.; Dilli, Zeynep; Jun, M. J.; Rodgers, John
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
4.Self-aligned ALD AlO

机译：自对准ALD AlO
- 作者：Meyer, David J.; Bass, Robert; Katzer, D. Scott; Deen, David A.; Binari, Steven C.; Daniels, Kevin M.; Eddy, Charles R.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
5.Quantum-dot Cellular Automata Counter with start/stop and reset inputs

机译：带启动/停止和复位输入的量子点元胞自动机计数器
- 作者：Bashiri, Fereshteh Sadat; Tavassoli, Hesam; Faez, Rahim; Shooraki, Saeed Bagheri
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
6.Epitaxial piezoelectric thin films on flexible substrates for microelectromechanical systems

机译：微机电系统柔性基板上的外延压电薄膜
- 作者：Gibbons, B. J.; Cann, D. P.; Shelton, C. T.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
7.Vapor phase doping and sub-melt laser anneal for the fabrication of Si-based ultra-shallow junctions in sub-32 nm CMOS technology

机译：气相掺杂和亚熔体激光退火，用于在低于32 nm CMOS技术中制造基于Si的超浅结
- 作者：Nguyen, N. D.; Rosseel, E.; Takeuchi, S.; Everaert, J.-L.; Loo, R.; Goossens, J.; Moussa, A.; Clarysse, T.; Caymax, M.; Vandervorst, W.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
8.Field modulation in heavily-doped thin-body p+InGaAs for tunnel FETs

机译：隧道FET的重掺杂薄体p + InGaAs中的场调制
- 作者：Zhou, Guangle; Kabeer, Sajid; Wheeler, Dane; Seabaugh, Alan; Xing, Huili (Grace)
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
9.Advances and challenges in active thin film electronics

机译：有源薄膜电子学的进步与挑战
- 作者：Jackson, Tom
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
10.The economics of photovoltaic device technologies

机译：光伏设备技术的经济学
- 作者：Zweibel, Ken
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
11.Defect reduction via confined epitaxial growth of GaN

机译：通过有限的外延生长GaN减少缺陷
- 作者：Hite, J.K.; Mastro, M.A.; Eddy, C.R.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
12.Designing bulk-driven MOSFETs in scaled technologies

机译：使用规模化技术设计大容量驱动的MOSFET
- 作者：Urban, Christopher; Moon, James E.; Mukund, P.R.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
13.Analytical modeling of the gate tunneling leakage for the determination of adequate high-K dielectrics in 22 nm double-gate SOI MOSFETs

机译：栅极隧穿泄漏的分析模型，用于确定22 nm双栅极SOI MOSFET中足够的高K电介质
- 作者：Darbandy, Ghader; Ritzenthaler, Romain; Lime, Francois; Garduno, S. I; Estrada, M.; Cerdeira, A; Iniguez, B.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
14.Physical model and mesh-size dependence in drift-diffusion simulations for single-event effects by heavy ions

机译：重离子单事件效应的漂移-扩散模拟中的物理模型和网格大小相关性
- 作者：Shibano, Nozomi; Sano, Nobuyuki; Tosaka, Yoshiharu; Furuta, Hiroshi; Tsutsui, Masafumi; Imamura, Takeshi
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
15.RF power performance of submicron MESFET on hydrogen terminated polycrystalline diamond

机译：亚微米MESFET在氢封端的多晶金刚石上的射频功率性能
- 作者：Rossi, M. C.; Calvani, P.; Conte, G.; Camarchia, V.; Cappelluti, F.; Ghione, G.; Ciccognani, W.; Pasciuto, B.; Limiti, E.; Dominijanni, D.; Giovine, E.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
16.Life-stress relationship for thin film transistor gate line interconnects on flexible substrates

机译：柔性基板上薄膜晶体管栅极线互连的寿命应力关系
- 作者：Martin, Thomas; Christou, Aris
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
17.Effect of spacer layer on carrier accumulation in In

机译：间隔层对In中载流子积累的影响
- 作者：Muhtadi, Sakib M.; Hossain, S. M. Sajjad; Islam, Raisul; Mahmood, Z. H.; Bhuiyan, A. G.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
18.Investigations on pre-oxidation nitrogen implantation for the improvement of channel mobility in 4H-SiC MOSFETs

机译：预氧化氮注入改善4H-SiC MOSFET沟道迁移率的研究
- 作者：Dhar, Sarit; Ryu, Sei-Hyung; Agarwal, Anant K.
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
19.Room-temperature TiO

机译：室温TiO
- 作者：Huang, Jiun-Jia; Lin, Guan-Liang; Kuo, Chih-Wei; Chang, Wei-Chen; Hou, Tuo-Hung
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年
20.High-k Yb

机译：高k Yb
- 作者：Pan, Tung-Ming; Chen, Fa-Hsyang; Lee, Cheng-Da; Chien, Yu-Kai; Ko, Ho-Ming
- 会议名称：《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》 | 2009年