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Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)
Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)
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1.
POSSIBLE OPERATION OF PERIODICALLY LAYERED NANOCRYSTALLINE POROUS SILICON AS AN ACOUSTIC BAND CRYSTAL DEVICE
机译:
周期性层叠的纳米多孔硅作为声带晶体器件的可能操作
作者:
Akira Kiuchi
;
Bernard Gelloz
;
Akira Kojima
;
Nobuyoshi Koshida
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
2.
Photoluminescent coupled multiple microcavity structures made of porous silicon
机译:
多孔硅制成的光致发光耦合的多个微腔结构
作者:
V. Agarwal
;
J.A. Soto Urueta
;
J. Miguel Gracia
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
3.
Metal-free Growth of Si/SiO_2 Nanowires by Annealing SiO_x (x < 2) Films Deposited by PECVD
机译:
通过PECVD沉积的SiO_x(x <2)薄膜对Si / SiO_2纳米线进行无金属生长
作者:
Xiaoxin Wang
;
Jianguo Zhang
;
Qiming Wang
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
4.
Hydrogen Passivation of Er and Si Nanocrystallites in Er-doped SiO_2 - Increase in Photoluminescence-
机译:
掺Er的SiO_2中Er和Si纳米微晶的氢钝化-光致发光的增加
作者:
N. Fukata
;
C. Li
;
H. Uematsu
;
T. Arai
;
T. Makimura
;
K. Murakami
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
5.
Optical properties of silicates co-doped with Si and Er~(3+) ions
机译:
Si和Er〜(3+)离子共掺杂硅酸盐的光学性质
作者:
Y. Lebour
;
P. Pellegrino
;
J. A. Moreno
;
C. Garcia
;
B. Garrido
;
J.R. Morante
;
M. Prassas
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
6.
Nucleation and growth processes of silicon nanowires
机译:
硅纳米线的成核和生长过程
作者:
Seiji Takeda
;
Nobuhiko Ozaki
;
Kohei Ueda
;
Hideo Kohno
;
Jun Kikkawa
;
Yutaka Ohno
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
7.
LUMINESCENCE OF RARE EARTH DOPED Si/Al/SiO_2 CO-SPUTTERED FILMS
机译:
稀土掺杂Si / Al / SiO_2共溅射薄膜的发光
作者:
C. ROZO
;
L. F. FONSECA
;
O. RESTO
;
S. Z. WEISZ
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
8.
Formation of Hydrogen-passivated Silicon Nanochains by Pulsed Laser Ablation without Thermal Annealing
机译:
无需热退火的脉冲激光烧蚀形成氢钝化的硅纳米链
作者:
Mitsuru Inada
;
Ikurou Umezu
;
Shukichi Tanaka
;
Shinro Mashiko
;
Akira Sugimura
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
9.
Fabrication of a Regular Array of Atomic Silicon Wires on Silicon
机译:
在硅上规则排列的原子硅线阵列的制作
作者:
Takeharu Sekiguchi
;
Shunji Yoshida
;
Kohei M. Itoh
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
10.
Growth and Characterization of SiOx nanowires by VLS and SLS growth mechanism
机译:
SiOx纳米线的VLS和SLS生长机理及其表征
作者:
Dae-Ho Rho
;
Jae-Soo Kim
;
Dong-Jin Byun
;
Jae-Woong Yang
;
Jae-Hoon Lee
;
Na-Ri Kim
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
11.
Uniform dome-shaped self-assembled Ge islands by UHV/CVD after boron pre-deposition
机译:
硼预沉积后通过UHV / CVD形成均匀的圆顶状自组装锗岛
作者:
Ning Deng
;
Wentao Huang
;
Peiyi Chen
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
关键词:
Ge quantum dots;
UHV/CVD;
boron pre-deposition;
12.
Structural characterization and Coulomb blockade of a-SiN_xanocrystalline Si/a-SiN_x asymmetric double-barrier structures
机译:
a-SiN_x /纳米晶体Si / a-SiN_x非对称双势垒结构的结构表征和库仑封锁
作者:
L. C. Wu
;
M. Dai
;
X. F. Huang
;
P. G. Han
;
L. W. Yu
;
H. C. Zou
;
W. Li
;
K. J. Chen
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
13.
The Emission of Terahertz Radiation from Doped Silicon Devices
机译:
掺杂硅器件的太赫兹辐射发射
作者:
Pengcheng Lv
;
James Kolodzey
;
R. Thomas Troeger
;
Sangcheol Kim
;
S.K. Ray
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
14.
Threshold Voltage Shift in Hetero-nanocystal Floating Gate Flash Memory
机译:
异纳米管浮动栅极闪存中的阈值电压漂移
作者:
Yan Zhu
;
Dengtao Zhao
;
Ruigang Li
;
Jianlin Liu
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
15.
THERMAL CONDUCTIVITY OF POROUS SILICON EVALUATED FROM PHASE CHARACTERISTICS OF PHOTOACOUSTIC SPECTROSCOPY
机译:
从光声光谱的相特征估计多孔硅的热导率
作者:
Masato OHMUKAI
;
Hirokazu SHMIZU
;
Yasuo TSUTSUMI
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
16.
Synthesis of Microcrystalline Silicon Films by Low Energy Electron-Beam-Induced Deposition at Cryogenic Temperature
机译:
低温下低能电子束诱导沉积法合成微晶硅薄膜
作者:
Tetsuya Sato
;
Kiyokazu Nakagawa
;
Yutaka Aoki
;
Shouji Sato
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
17.
Surface Cusp Formation in Si Homoepitaxy
机译:
Si同质外延中的表面尖晶石形成
作者:
J.-M. Baribeau
;
X. Wu
;
M. Beaulieu
;
D.J. Lockwood
;
N.L. Rowell
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
18.
Structural Modifications of nc-Si/SiO_2 Superlattices by Localized Photo-induced Heating
机译:
局部光诱导加热对nc-Si / SiO_2超晶格的结构修饰
作者:
B. V. Kamenev
;
H. Grebel
;
L. Tsybeskov
;
V. Yu. Timoshenko
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
19.
Size Control and Phonon Confinement of Silicon Nanowires Synthesized by Laser Ablation
机译:
激光烧蚀合成硅纳米线的尺寸控制和声子限制
作者:
N. Fukata
;
T. Oshima
;
T. Tsurui
;
S. Ito
;
K. Murakami
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
20.
Si_(1-x)Ge_x Nanocrystals Observed by EFTEM: Influence of the Dry and Wet Oxidation Process
机译:
EFTEM观察到的Si_(1-x)Ge_x纳米晶体:干法和湿法氧化过程的影响
作者:
A. Cuadras
;
J. Arbiol
;
B. Garrido
;
J.R Morante
;
A.Rodriguez
;
T. Rodriguez
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
21.
Silicon-based Integrated Optics: Waveguide Technology to Microphotonics
机译:
硅基集成光学器件:微光子学的波导技术
作者:
Siegfried Janz
;
Alexei Bogdanov
;
Pavel Cheben
;
Andre Delage
;
Boris Lamontagne
;
Marie-Josee Picard
;
Dan-Xia Xu
;
Kuan Pei Yap
;
Winnie N. Ye
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
22.
Self-Limited Photo-Assisted Synthesis of Silicon Nanocrystals
机译:
硅纳米晶体的自限光辅助合成
作者:
C. Y. Chen
;
S. Kimura
;
S. Sen
;
S. Nozaki
;
H. Ono
;
K. Uchida
;
H. Morisaki
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
23.
CHARGE TRANSPORT IN SILICON NANOCRYSTAL ARRAYS
机译:
硅纳米晶中的电荷运输
作者:
R. Krishnan
;
Q.Xie
;
J.Kulik
;
X.D.Wang
;
T.D.Krauss
;
P.M.Fauchet
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
24.
Improvement of Operating Voltage and Luminescent Properties in Nanocrystalline Silicon Electroluminescent Device
机译:
纳米晶硅电致发光器件的工作电压和发光性能的改善
作者:
K. Sato
;
K. Hirakuri
;
T. Izumi
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
25.
Evolution of the Luminescence Spectrum During the Dry and Steam Oxidation of SiGe Films
机译:
SiGe膜干法和蒸汽氧化过程中发光光谱的演变
作者:
A. Rodriguez
;
J. Sangrador
;
T. Rodriguez
;
A. C. Prieto
;
M. Avella
;
J. Jimenez
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
26.
Enhancing the Sound Pressure of Thermally Induced Ultrasonic Emitter Based on Nanocrystalline Porous Silicon
机译:
增强基于纳米多孔硅的超声感应发射器的声压
作者:
Kenji Tsubaki
;
Takuya Komoda
;
Nobuyoshi Koshida
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
27.
Electric Force Microscopy Of Individually Charged Silicon Nanoparticles
机译:
带电硅纳米粒子的电镜
作者:
Thierry MELIN
;
Heinrich DIESINGER
;
Sophie BARBET
;
Dominique DERESMES
;
Thierry BARON
;
Didier STIEVENARD
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
28.
CMOS Compatible Erbium Coupled Si Nanocrystal Thin Films for Microphotonics
机译:
用于微光子的CMOS兼容Er耦合Si纳米晶体薄膜
作者:
M. Stolfi
;
L. Dal Negro
;
J. Michel
;
X. Duan
;
J. Le Blanc
;
J. Haavisto
;
L.C. Kimerling
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
29.
Carrier Transport in One-dimensional Ge Nanowires/Si Substrate Heterojunctions
机译:
一维Ge纳米线/ Si衬底异质结中的载流子传输。
作者:
Eun-Kyu Lee
;
Boris V. Kamenev
;
Pavel A. Forsh
;
Ted I. Kamins
;
Leonid Tsybeskov
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
30.
Anisotropically Nanostructured Silicon: A First-Principle Approach
机译:
各向异性纳米结构硅:第一性原理
作者:
Yuri Bonder
;
Chumin Wang
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
31.
Analysis of growth rate of silicon nanowires
机译:
硅纳米线的生长速率分析
作者:
J. Kikkawa
;
Y. Ohno
;
S. Takeda
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
32.
Progress in the Growth and Characterization of Ge Quantum Dots and Islands
机译:
Ge量子点和岛的生长和表征研究进展
作者:
J.-M. Baribeau
;
N.L. Rowell
;
D.J. Lockwood
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
|
2004年
33.
Origin of the multi-exponential decay dynamics in light-emitting silicon nanocrystals
机译:
发光硅纳米晶体中多指数衰减动力学的起源
作者:
Cecile Reynaud
;
Olivier Guillois
;
Nathalie Herlin-Boime
;
Gilles Ledoux
;
Friedrich Huisken
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
34.
Light Emission in Aperiodic Thue-Morse Dielectrics
机译:
非周期性Thous-Morse电介质中的发光
作者:
L. Dal Negro
;
J. H. Yi
;
V. Nguyen
;
Y. Yi
;
J. Michel
;
L.C. Kimerling
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
35.
Improved Optoelectronic Characteristics of Nanocrystalline Porous Silicon by High-Pressure Water Vapor Annealing
机译:
高压水蒸气退火改善纳米晶多孔硅的光电特性
作者:
Bernard Gelloz
;
Akira Kojima
;
Nobuyoshi Koshida
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
36.
Optical activation of Si nanowires using Er-doped sol-gel derived silica
机译:
掺Er溶胶凝胶衍生二氧化硅对硅纳米线的光活化
作者:
Kiseok Suh
;
Oun-Ho Park
;
Byeong-Soo Bae
;
Jung-Chul Lee
;
Heon-Jin Choi
;
Jung H. Shin
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
37.
OPTICAL PROPERTIES OF Ge NANOWIRES GROWN ON SILICON (100) AND (111) SUBSTRATES
机译:
在(100)和(111)硅衬底上生长的Ge纳米线的光学性质
作者:
V. Sharma
;
B. V. Kamenev
;
L. Tsybeskov
;
T. I. Kamins
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
38.
Multi-color luminescence from nanocrystalline silicon
机译:
纳米晶体硅的多色发光
作者:
Hiroshi KUNII
;
Keisuke SATO
;
Kenji HIRAKURI
;
Tomio IZUMI
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
39.
Nanorings, Nanopillars and Nanospikes on Si(111) by Modified Nanosphere Lithography: Fabrication and Application
机译:
修饰的纳米球光刻技术在Si(111)上形成纳米环,纳米柱和纳米钉:制备和应用
作者:
Jefferson Rose
;
Delroy Baugh
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
40.
Location of Er atoms with respect to Si nanoclusters in luminescent Er and Si co-implanted silicates
机译:
Er原子相对于Si纳米团簇在发光Er和Si共注入硅酸盐中的位置
作者:
P. Pellegrino
;
B. Qarrido
;
J. Arbiol
;
C. Garcia
;
Y. Lebour
;
J.R. Morante
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
41.
Fabrication and Electrical Characterization of Silicon Nanowire Arrays
机译:
硅纳米线阵列的制备和电学表征
作者:
Sarah M. Dilts
;
Ahmad Mohmmad
;
Kok-Keong Lew
;
Joan M. Redwing
;
Suzanne E. Mohney
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
42.
Growth and Overgrowth of Ge/Si Quantum Dots: An Observation by Atomic Resolution HAADF-STEM Imaging
机译:
Ge / Si量子点的生长和过度生长:通过原子分辨率HAADF-STEM成像观察
作者:
Dan Zhi
;
Paul A. Midgley
;
Rafal E. Dunin-Borkowski
;
Bruce A. Joyce
;
Don W. Pashley
;
Andrew L. Bleloch
;
Peter J. Goodhew
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
43.
Raman Gain in Silicon Using Highly Confined Waveguide Structure
机译:
使用高度受限的波导结构在硅中拉曼增益
作者:
Qianfan Xu
;
Vilson R. Almeida
;
Michal Lipson
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
44.
Towards a Si/SiGe Quantum Cascade Laser for Terahertz Applications
机译:
面向太赫兹应用的Si / SiGe量子级联激光器
作者:
D.J. Paul
;
S.A. Lynch
;
P. Townsend
;
Z. Ikonic
;
R.W. Kelsall
;
P. Harrison
;
S.L. Liew
;
D.J. Norris
;
A.G. Cullis
;
J. Zhang
;
M. Bain
;
H.S. Gamble
;
W.R. Tribe
;
D.D. Arnone
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
45.
Theory of large-scale electronic structure calculation and nanostructures formed in silicon cleavage simulation: surface reconstruction, step and bending
机译:
大规模电子结构计算理论和硅分裂模拟中形成的纳米结构:表面重建,台阶和弯曲
作者:
Takeo Hoshi
;
Yusuke Iguchi
;
Takeo Fujiwara
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
46.
SILICON NANOWIRES: DOPING DEPENDENT N- AND P- CHANNEL FET BEHAVIOR
机译:
硅纳米线:依赖于N沟道和P沟道FET的行为
作者:
Kumhyo Byon
;
John E. Fischer
;
Kofi W. Adu
;
Peter. C. Eklund
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
47.
Recent Results on the Road to a SiGe Quantum Cascade Laser
机译:
SiGe量子级联激光器的最新成果
作者:
Alex Borak
;
Soichiro Tsujino
;
Claudiu Falub
;
Maxi Scheinert
;
Laurent Diehl
;
Elizabeth
;
Mueller
;
Hans Sigg
;
Detlev Gruetzmacher
;
Ulf Gennser
;
Isabelle Sagnes
;
Stefan Blunier
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
48.
Pump-probe experiments on Er coupled Si-nanocrystals rib-loaded waveguides
机译:
Er耦合Si纳米晶体肋式波导的泵浦探针实验
作者:
N. Daldosso
;
D. Navarro-Urrios
;
M. Melchiorri
;
L. Pavesi
;
F. Gourbilleau
;
M. Carrada
;
R. Rizk
;
C. Garcia
;
P. Pellegrino
;
B. Garrido
;
L. Cognolato
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
49.
Pump-probe experiments on low loss silica waveguides containing Si nanocrystals
机译:
含硅纳米晶的低损耗二氧化硅波导的泵浦探针实验
作者:
D. Navarro-Urrios
;
N. Daldosso
;
M. Melchiorri
;
F. Sbrana
;
L. Pavesi
;
C. Garcia
;
B. Garrido
;
P. Pellegrino
;
J.R. Morante
;
E.Scheid
;
G. Sarrabayrouse
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
50.
Quasiballistic Electron Emission from Planarized Nanocrystalline-Si Cold Cathode
机译:
平面化纳米晶硅冷阴极的准弹道电子发射
作者:
Yoshishige Tsuchiya
;
Takuya Nakatsukasa
;
Hiroshi Mizuta
;
Shunri Oda
;
Akira Kojima
;
Nobuyoshi Koshida
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
51.
Precipitation of highly luminescent phases from PECVD Si suboxides
机译:
PECVD Si次氧化物沉淀出高发光相
作者:
M. Peralvarez
;
M. Lopez
;
B. Garrido
;
J.R. Morante
;
J.Barreto
;
V.J.Cadarso
;
M.Riera
;
K.Zinoviev
;
C.Dominguez
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
52.
Preparation of the atomically straight step-edge Si (111) substrates as templates for nanostructure formation
机译:
制备原子级笔直的阶梯状边缘Si(111)衬底作为纳米结构形成的模板
作者:
Shunji Yoshida
;
Takeharu Sekiguchi
;
Kohei M. Itoh
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
53.
Computer Simulation of Charging and Erasing Transients of a Ge/Si Hetero-nanocrystal-based Flash Memory
机译:
Ge / Si杂纳米晶体闪存的充电和擦除瞬态的计算机模拟
作者:
Dengtao Zhao
;
Yan Zhu
;
Ruigang Li
;
Jianlin Liu
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
54.
Complex Diameter Modulations in Silicon Carbide Nanowire Growth
机译:
碳化硅纳米线生长中的复杂直径调制
作者:
Hideo Kohno
;
Hideto Yoshida
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
55.
Characterization of SiC nanowires grown by APCVD using single precursors
机译:
使用单个前驱物通过APCVD生长的SiC纳米线的表征
作者:
Dae-Ho Rho
;
Jae-Soo Kim
;
Dong-Jin Byun
;
Jae-Woong Yang
;
Jae-Hoon Lee
;
Na-Ri Kim
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
56.
Classical versus ab initio structural relaxation: electronic excitations and optical properties of Ge nanocrystals embedded in a SiC matrix
机译:
经典与从头算结构弛豫:嵌入SiC基质中的Ge纳米晶体的电子激发和光学性质
作者:
Giancarlo Cappellini
;
H.-Ch. Weissker
;
D. De Salvator
;
J. Furthmueller
;
F. Bechstedt
;
G. Satta
;
F. Casula
;
L. Colombo
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.832; Symposium on Group-IV Semiconductor Nanostructures; 20041129-1202; Boston,MA(US)》
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2004年
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