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2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
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1.
Study on the Imbalanced Voltage of Series-connected Active Power Semiconductor Devices in Power Conversion Systems
机译:
功率转换系统中串联有源功率半导体器件的不平衡电压研究
作者:
Hongjing Zhang
;
Jun Imaoka
;
Mostafa Noah
;
Yuki Ishikura
;
Masayoshi Yamamoto
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Silicon;
Logic gates;
Switches;
Gallium nitride;
Timing;
2.
Oxide Breakdown Reliability of SiC MOSFET
机译:
SiC MOSFET的氧化物击穿可靠性
作者:
Cheng-Tyng Yen
;
H.Y. Lee
;
C. C. Hung
;
C. Y. Lee
;
L. S. Lee
;
F. J. Hsu
;
K. T. Chu
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Silicon carbide;
Logic gates;
MOSFET;
Electric breakdown;
Electric fields;
Reliability;
Leakage currents;
3.
Demonstration of Annealing-free Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) Ohmic Contacts on a GaN Substrate using Low Work-function Metal Ytterbium (Yb) and Al
2
O
3
Interfacial Layer
机译:
使用低功函数金属Y(Yb)和Al
2 inf> O
3 inf>界面层在GaN衬底上演示无退火金属绝缘体半导体(MIS)欧姆接触
作者:
Tian-Li Wu
;
Yang-Yan Tseng
;
Chih-Fang Huang
;
Zih-Sin Chen
;
Chih-Chien Lin
;
Chung-Jen Chung
;
Po-Kai Huang
;
Kuo-Hsing Kao
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Aluminum oxide;
Gallium nitride;
Resistance;
Ohmic contacts;
Annealing;
4.
A Temperature-dependent PSpice Short-circuit Model of SiC MOSFET
机译:
SiC MOSFET的温度相关PSpice短路模型
作者:
Xingran Zhao
;
Hong Li
;
Yuting Wang
;
Zhe Zhou
;
Kai Sun
;
Zhengming Zhao
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Silicon carbide;
MOSFET;
Integrated circuit modeling;
Mathematical model;
Logic gates;
Junctions;
5.
Loss Analysis of T-type NPC Inverter with Active Power Decoupling Capability Operated in Discontinuous Current Mode
机译:
具有不连续电流模式的有源功率去耦能力的T型NPC逆变器的损耗分析
作者:
Akiyoshi Omomo
;
Hoai Nam Le
;
Keisuke Kusaka
;
Jun-ichi Itoh
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Capacitors;
Inductors;
Avalanche photodiodes;
Inverters;
Loss measurement;
Capacitance;
Switches;
6.
Research of PCB Parasitic Inductance in the GaN Transistor Power Loop
机译:
GaN晶体管功率环路中PCB寄生电感的研究
作者:
Bainan Sun
;
Zhe Zhang
;
Michael A.E. Andersen
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Inductance;
Conductors;
Mathematical model;
Transistors;
Gallium nitride;
Layout;
Numerical models;
7.
65W GaN Synchronous Current-Mode Class D Rectifier for 6.78MHz Wireless Power Receivers
机译:
适用于6.78MHz无线功率接收器的65W GaN同步电流模式D类整流器
作者:
Yuanzhe Zhang
;
Michael de Rooij
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Gallium nitride;
Schottky diodes;
Impedance;
Power generation;
Capacitors;
Temperature measurement;
Tuning;
8.
A 10MHz GaN Driver with Gate Ringing Suppression and Active Bootstrap Control
机译:
具有栅极振铃抑制和有源自举控制功能的10MHz GaN驱动器
作者:
Sheng Teng Li
;
Pin Ying Wang
;
Ching Jan Chen
;
Chih-Chao Hsu
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Gate drivers;
Gallium nitride;
Inductors;
Schottky diodes;
Switching frequency;
High-voltage techniques;
9.
Study of Passivation Layer on Bevel Edge Termination for SiC RSD
机译:
SiC RSD斜边端接钝化层的研究
作者:
Ziyue Wang
;
Lin Liang
;
Ludan Zhang
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Silicon carbide;
Passivation;
Oxidation;
Switches;
Leakage currents;
Electric fields;
Junctions;
10.
Current Collapse Suppression in AlGaN/GaN HEMTs Using Silicon Substrate Removal Technique
机译:
使用硅衬底去除技术抑制AlGaN / GaN HEMT中的电流崩塌
作者:
Yueh-Ting Chen
;
JianJang Huang
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Substrates;
Silicon;
HEMTs;
MODFETs;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
11.
Over-current Suppression for Parallel Connected GaN HEMTs
机译:
并联GaN HEMT的过电流抑制
作者:
Zu-Bin Wong
;
Yaow-Ming Chen
;
Chih-Chao Hsu
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Gallium nitride;
Switches;
HEMTs;
MODFETs;
Sensors;
Transient analysis;
Logic gates;
12.
Linearity of AlGaN/GaN HEMTs with Different Gate-to-Source Length
机译:
不同栅极到源极长度的AlGaN / GaN HEMT的线性
作者:
Yi-nan Zhong
;
Yue-ming Hsin
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Linearity;
HEMTs;
MODFETs;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Layout;
13.
Experimental Verification of DC to Single-phase AC Converter with Power Decoupling Capability using 1.2 kV SiC-MOSFET Module
机译:
使用1.2 kV SiC-MOSFET模块的具有电源去耦能力的DC到单相AC转换器的实验验证
作者:
Hiroki Watanabe
;
Jun-ichi Itoh
;
Akio Iwabuchi
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Capacitors;
Multichip modules;
Inverters;
Silicon carbide;
High-voltage techniques;
Photovoltaic systems;
14.
Study and Analysis of Robust Control Technology and Wide Bandgap Power Device-Based Power Converters
机译:
鲁棒控制技术和基于宽带隙功率器件的功率变换器的研究与分析
作者:
En-Chih Chang
;
Chenxi Meng
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Robust control;
Tuning;
Inverters;
Pulse width modulation;
Steady-state;
Voltage control;
Control systems;
15.
Joint Material for power semiconductors by Cu-Sn Intermetallic Compound (IMC)
机译:
Cu-Sn金属间化合物(IMC)用于功率半导体的接合材料
作者:
Hiroaki Ikeda
;
Shigenobu Sekine
;
Ryuji Kimura
;
Koichi Shimokawav
;
Hiroaki Shindo
;
Tatsuya Ooi
;
Rei Tamaki
会议名称:
《》
|
2019年
关键词:
Substrates;
Skeleton;
Tin;
Silicon carbide;
Heating systems;
Intermetallic;
16.
The Demonstration of Recessed Anodes AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes Using Microwave Cyclic Plasma Oxidation/Wet Etching Techniques
机译:
微波循环等离子体氧化/湿法刻蚀演示嵌入式阳极AlGaN / GaN肖特基势垒二极管
作者:
Kuang-Po Hsueh
;
Hao-Yu Wang
;
Hsien-Chin Chiu
;
Hsiang Chun Wang
;
Hsuan-Ling Kao
;
Feng-Tso Chien
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Anodes;
Plasmas;
Standards;
Oxidation;
Gallium nitride;
17.
Accuracy Analysis of Calorimetric Loss Measurement for Benchmarking Wide Bandgap Power Transistors under Soft-Switching Operation
机译:
标称宽带隙功率晶体管在软开关操作下的量热损耗测量精度分析
作者:
Dominik Koch
;
Samuel Araujo
;
Ingmar Kallfass
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Temperature measurement;
Loss measurement;
Measurement uncertainty;
Electrical resistance measurement;
Power measurement;
Data models;
Mathematical model;
18.
Modulation Strategy of Three-Phase Dual-Active-Bridge Converter Using SiC-MOSFET for Improving Light Load Condition
机译:
SiC-MOSFET的三相双有源桥变换器的调制策略以改善轻载条件
作者:
Hyun-Jun Choi
;
Hwa-Pyeong Park
;
Min-A Kim
;
Cheon Sang-Gyu
;
Chang-Ui Lee
;
Jee-Hoon Jung
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Zero voltage switching;
Switches;
Bridge circuits;
Phase modulation;
Inductance;
19.
GaN Based DC-DC Converter for 48 V Automotive Applications
机译:
适用于48 V汽车应用的基于GaN的DC-DC转换器
作者:
Edward A. Jones
;
Michael de Rooij
;
Suvankar Biswas
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Heating systems;
Field effect transistors;
Temperature sensors;
Temperature measurement;
Inductors;
Prototypes;
20.
Optimization Design of EMI Filter with Chaotic PWM in DC-DC Converters
机译:
DC-DC变换器中带混沌PWM的EMI滤波器的优化设计
作者:
Hong Li
;
Yuhang Ding
;
Zhichang Yang
;
Yanfeng Jiang
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Electromagnetic interference;
Pulse width modulation;
Low pass filters;
Inductors;
Capacitors;
Switching frequency;
Frequency conversion;
21.
High Resolution Dynamic R
DS(on)
Measurement of GaNFET using Active V
DS(on)
Measurement Clamp Circuit
机译:
使用有源V
DS(on) inf>测量钳位电路的高分辨率动态R
DS(on) inf>测量GaNFET
作者:
Arief Noor Rahman
;
Meng-Yang Li
;
Marojahan Tampubolon
;
Huang-Jen Chiu
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Clamps;
Voltage measurement;
Current measurement;
High-voltage techniques;
Semiconductor device measurement;
Gallium nitride;
Time measurement;
22.
Simultaneous Formation of Ni/Ti/Al/Ag Ohmic Contacts to both p- and n-type for 4H-SiC RSD
机译:
同时形成4H-SiC RSD的p型和n型Ni / Ti / Al / Ag欧姆接触
作者:
Xiaoxue Yan
;
Lin Liang
;
Ludan Zhang
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Ohmic contacts;
Silicon carbide;
Annealing;
Oxidation;
Anodes;
Metals;
Surface morphology;
23.
Synchronous Rectification Method for High Frequency CLLC Resonant Cnverter
机译:
高频CLLC谐振变换器的同步整流方法
作者:
Hwa-Pyeong Park
;
Mina Kim
;
Hyunjun Choi
;
Jee-Hoon Jung
;
Sang Gyu Cheon
;
Chang Ui Lee
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Resonant converters;
Windings;
Switches;
Voltage measurement;
Sensors;
Electrical engineering;
Pulse width modulation;
24.
Energy Saving in Smart Grid
机译:
智能电网节能
作者:
Yi-Kuan Ke
;
Chia-Ching Li
;
Yi-Han Liao
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Batteries;
Wind power generation;
Solar system;
Smart grids;
Maximum power point trackers;
Monitoring;
25.
Single Phase AC-AC Solid State Transformer based on Single Conversion Stage
机译:
基于单转换级的单相AC-AC固态变压器
作者:
Arief Noor Rahman
;
Sheng-Kai Chen
;
Huang-Jen Chiu
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Bridge circuits;
Prototypes;
Switches;
Frequency conversion;
Topology;
Power harmonic filters;
High frequency;
26.
Optimizing performance of a pulsed laser diode driver based on a GaN FET
机译:
基于GaN FET的脉冲激光二极管驱动器的性能优化
作者:
John Glaser
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Inductance;
Laser radar;
Diode lasers;
Gallium nitride;
Measurement by laser beam;
Laser theory;
27.
Development of a Novel Battery-Powered DC-AC System
机译:
新型电池供电的DC-AC系统的开发
作者:
Ching-Ming Lai
;
Jiashen Teh
;
Yuan-Chih Lin
;
Claus Hsu
会议名称:
《2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2019年
关键词:
Batteries;
Inverters;
Resonant converters;
Topology;
High-voltage techniques;
Prototypes;
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