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IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)
IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)
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1.
The Cluster Variation Method for Semiconductor Alloys
机译:
半导体合金的团簇变异方法
作者:
O V Elyukhina
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
2.
The influence of the quantum lifetime on the width of the quantum Hall plateaus
机译:
量子寿命对量子霍尔高原宽度的影响
作者:
L. Gottwaldt
;
K. Pierz
;
F.J. Ahlers
;
L. Schweitzer
;
E.O. Goebel
;
W. Stolz
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
3.
120 nm Gate Length E-Beam and Nanoimprint T-Gate GaAs pHEMTs Utilising Non-Annealed Ohmic Contacts
机译:
利用非退火欧姆接触的120 nm栅极长度电子束和纳米压印T型栅极GaAs pHEMT
作者:
Euan Boyd
;
Dave Moran
;
Helen McLelland
;
Khaled Elgaid
;
Yifang Chen
;
Douglas Macintyre
;
Stephen Thoms
;
Colin Stanley
;
Iain Thayne
会议名称:
《》
|
2002年
4.
Ⅲ/Ⅴ Nitride LEDs and lasers
机译:
Ⅲ/Ⅴ氮化物LED和激光器
作者:
B. Hahn
;
D. Eisert
;
J. Baur
;
M. Fehrer
;
S. Kaiser
;
H.-J. Lugauer
;
U. Strauss
;
A. Lell
;
V. Haerle
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
5.
Analysis of dynamics and intensity noise of semiconductor lasers under strong optical feedback
机译:
强光反馈下半导体激光器的动力学和强度噪声分析
作者:
S. Abdulrhmann
;
M. Ahmed
;
T. Okamoto
;
W. Ishimori
;
M. Yamada
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
6.
AlGaN/GaN HEMTs grown by Molecular Beam Epitaxy on sapphire, 6H-SiC, and HVPE-GaN templates
机译:
通过分子束外延在蓝宝石,6H-SiC和HVPE-GaN模板上生长的AlGaN / GaN HEMT
作者:
N G Weimann
;
M J Manfra
;
J W P Hsu
;
K Baldwin
;
L N Pfeiffer
;
K W West
;
S N G Chu
;
D V Lang
;
R J Molnar
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
7.
Area selective epitaxy of anti-dot structure by solid source MBE using MEE deposition sequence
机译:
利用MEE沉积序列的固体源MBE对防点结构的区域选择外延。
作者:
D. Okada
;
H. Hasegawa
;
T. Hasegawa
;
Y. Horikoshi
;
T. Saitoh
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
8.
Annealing studies of Si-implanted GaN by Hall-effect and photoluminescence measurements
机译:
通过霍尔效应和光致发光测量对硅注入的GaN进行退火研究
作者:
James A Fellows
;
Yung Kee Yeo
;
Mee-Yi Ryu
;
Robert L Hengehold
;
Todd D Steiner
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
9.
Correlation between channel temperature and negative resistance in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN HEMT中沟道温度与负电阻之间的相关性
作者:
Naoteru Shigekawa
;
Kenji Shiojima
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
10.
Contribution of interface states and bulk traps to GaAs MIS admittance
机译:
接口状态和体陷阱对GaAs MIS导纳的贡献
作者:
S Kochowski
;
B Paszkiewicz
;
R Paszkiewicz
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
11.
Analyses of Self-Assembled GaN Nanorods on Si (111) Substrate
机译:
Si(111)衬底上自组装GaN纳米棒的分析
作者:
L. W. Tu
;
C. L. Hsiao
;
T. W. Chi
;
J. F. Wu
;
I. Lo
;
K. Y. Hsieh
;
T. T. Sheng
;
C. F. Hu
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
12.
Investigation of Quantum Transport Phenomena in Resonant Tunneling Structures by Simulations with a Novel Quantum Hydrodynamic Transport Model
机译:
用新型量子流体动力输运模型模拟研究共振隧穿结构中的量子输运现象
作者:
J. Hoentschel
;
W. Klix
;
R. Stenzel
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
13.
Mechanical Interaction in Near-Field Spectroscopy of single Semiconductor Quantum Dots
机译:
单半导体量子点近场光谱中的机械相互作用
作者:
A. M. Mintairov
;
P. A. Blagnov
;
O. V. Kovalenkov
;
C. Li
;
J. L. Merz
;
S. Oktyabrsky
;
V. Tokranov
;
A. S. Vlasov
;
D. A. Vinokurov
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
14.
Many-body effects as probe of defects presence in heavily doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
机译:
多体效应作为重掺杂AlGaAs / InGaAs / GaAs异质结构中缺陷存在的探针
作者:
Vas P Kunets
;
Z Ya Zhuchenko
;
H Kissel
;
U Mueller
;
G G Tarasov
;
W T Masselink
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
15.
Mid-infrared quantum cascade lasers operation above room temperature
机译:
中红外量子级联激光器在室温以上运行
作者:
Q. K. Yang
;
C. Mann
;
F. Fuchs
;
R. Kiefer
;
K. Koehler
;
H. Schneider
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
16.
New composite-emitter HBTs with reduced turn-on voltage and small offset voltage
机译:
具有降低的导通电压和小失调电压的新型复合发射极HBT
作者:
M K Tsai
;
Y W Wu
;
S W Tan
;
Y J Yang
;
W S Lour
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
17.
Optically Pumped Vertical External Cavity Semiconductor Thin-Disk Laser with CW Operation at 660 nm
机译:
具有660 nm CW操作的光泵浦垂直外腔半导体薄盘激光器
作者:
Moritz I. Mueller
;
Christian Karnutsch
;
Johann Luft
;
Wolfgang Schmid
;
Klaus Streubel
;
Norbert Linder
;
Svent-Simon Beyertt
;
Uwe Brauch
;
Adolf Giesen
;
Gottfried H. Doehler
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
18.
Direct S-Parameter Extraction by Physical Two-Dimensional Device AC-Simulation
机译:
通过物理二维设备交流仿真直接提取S参数
作者:
V Palankovski
;
S Wagner
;
T Grasser
;
R Schultheis
;
S Selberherr
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
19.
Design of Low Loss Transmission Lines on GaAs Substrates using the Surface Micromachining Methods
机译:
利用表面微加工方法设计GaAs衬底上的低损耗传输线
作者:
Young-Hoon Chun
;
Sung-Chan Kim
;
Byoung-Ok Lim
;
Han-Shin Lee
;
Moon-Kyo Lee
;
Hae-Sung Kim
;
Dong-Hoon Shin
;
Soon-Koo Kim
;
Hyun-Chang Park
;
Jin-Koo Rhee
;
Sang-Won Yun
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
20.
Effects of Nitrogen Incorporation in In(Ga)As/GaAs Quantum Dots
机译:
In(Ga)As / GaAs量子点中氮掺入的影响
作者:
K H Park
;
W G Jeong
;
J W Jang
;
Y D Jang
;
N J Kim
;
D Lee
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
21.
Recent advances in continuous wave quantum cascade lasers
机译:
连续波量子级联激光器的最新进展
作者:
D Hofstetter
;
M Beck
;
S Blaser
;
T Aellen
;
J Faist
;
U Oesterle
;
M Ilegems
;
E Gini
;
H Melchior
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
22.
Self-organized growth of InAs quantum dots and reduction of dot density by in-situ annealing
机译:
InAs量子点的自组织生长和通过原位退火降低点密度
作者:
Y. Matsuzaki
;
T. Kobuse
;
R. Ohashi
;
M. Konagai
;
A. Yamada
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
23.
Silicon germanium technologies for high-speed digital and analog applications
机译:
用于高速数字和模拟应用的硅锗技术
作者:
H. Knapp
;
J. Boeck
;
M. Wurzer
;
K. Aufinger
;
T. F. Meister
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
24.
Resonant phonon-assisted depopulation in type-Ⅰ and type-Ⅱ intersubband laser heterostructures
机译:
Ⅰ型和Ⅱ型子带间激光异质结构中的声子辅助共振种群
作者:
M. V. Kisin
;
M. A. Stroscio
;
G. Belenky
;
S. Luryi
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
25.
Selective MBE Growth of GaAs Ridge Quantum Wire Arrays on Patterned (001) Substrates and Its Growth Mechanism
机译:
图案化(001)衬底上GaAs脊量子线阵列的MBE选择性生长及其生长机理
作者:
Taketomo Sato
;
Isao Tamai
;
Hideki Hasegawa
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
26.
Selective Formation of High-density and High-uniformity InAs/GaAs Quantum Dots for Ultra-small and Ultra-fast All-optical Switches
机译:
用于超小型和超快全光开关的高密度和均匀性InAs / GaAs量子点的选择性形成
作者:
Y. Nakamura
;
H. Nakamura
;
S. Ohkouchi
;
N. Ikeda
;
Y. Sugimoto
;
K. Asakawa
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
27.
Single crystalline InN films grown on Si (111) substrates
机译:
在Si(111)衬底上生长的单晶InN膜
作者:
T Yamaguchi
;
K Mizuo
;
Y Saito
;
T Araki
;
Y Nanishi
;
T Miyajima
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
28.
Sonic-stimulated temperature rise around dislocation
机译:
声波激发的位错周围的温度上升
作者:
R.K. Savkina
;
A.B. Smirnov
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
29.
Excitonic formation inhibition in GaInAs/InP Fe doped quantum wells
机译:
GaInAs / InP Fe掺杂量子阱中的激子形成抑制
作者:
M. Guezo
;
S. Loualiche
;
J. Even
;
A. Le Corre
;
H. Folliot
;
C. Labbe
;
O. Dehaese
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
30.
Electrical isolation of p-type InP and InGaAs layers by iron implantation: Effects of substrate temperature
机译:
通过铁注入对p型InP和InGaAs层进行电隔离:衬底温度的影响
作者:
P Too
;
S Ahmed
;
B J Sealy
;
R Gwilliam
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
31.
Growth and evaluation of CdTe/Si (111) by hot wall epitaxy
机译:
热壁外延法生长CdTe / Si(111)
作者:
Georgi M. Lalev
;
Jifeng Wang
;
Seishi Abe
;
Katashi Masumoto
;
Minoru Isshiki
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
32.
GaAs on Silicon Using an Oxide Buffer Layer
机译:
使用氧化物缓冲层的硅上GaAs
作者:
R. Droopad
;
J. Curless
;
Z. Yu
;
D. Jordan
;
Y. Liang
;
C. Overgaard
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H. Li
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L. Hilt
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B. Craigo
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J. Kulik
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P. Fejes
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J. Finder
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X. Hu
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Y. Wei
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J. Edwards
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K. Moore
;
M. OSteen
;
O. Baklenov
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
33.
GaAs HBTs with reduced collector capacitance for high-speed ICs and microwave power applications
机译:
GaAs HBT具有减小的集电极电容,适用于高速IC和微波功率应用
作者:
K Mochizuki
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
34.
Graded interface 9.3 μm quantum cascade lasers
机译:
渐变界面9.3μm量子级联激光器
作者:
Thierry Aellen
;
Mattias Beck
;
Daniel Hofstetter
;
Jerome Faist
;
Ursula Oesterle
;
Marc Ilegems
;
Emilio Gini
;
Hans Melchior
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
35.
Population inversion enhancement by resonant magnetic confinement in THz quantum cascade lasers
机译:
太赫兹量子级联激光器中的共振磁约束增强了种群反转
作者:
G. Scalari
;
S. Blaser
;
L. Ajili
;
M. Rochat
;
H. Willenberg
;
D. Hofstetter
;
J. Faist
;
H. Beere
;
G. Davies
;
E. Linfield
;
D. Ritchie
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
36.
Photoconductivity of GaAs/AlGaAs quantum wires measured along the wires direction
机译:
沿导线方向测量的GaAs / AlGaAs量子线的光电导性
作者:
V. Donchev
;
M. Saraydarov
;
K. Germanova
;
Xue-Lun Wang
;
Seong- Jin Kim
;
Mutsuo Ogura
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
37.
Quantum Well Infrared Photodetectors and Thermal Imaging Cameras
机译:
量子阱红外光电探测器和热成像相机
作者:
H Schneider
;
R Rehm
;
J Fleissner
;
M Walther
;
P Koidl
;
G Weimann
;
J Ziegler
;
R Breiter
;
W Cabanski
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
38.
Spectroscopy of high-density assemblage of InAs/GaAs quantum dots
机译:
InAs / GaAs量子点高密度组装的光谱学
作者:
Z Ya Zhuchenko
;
J W Tomm
;
H Kissel
;
Yu I Mazur
;
G G Tarasov
;
W T Masselink
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
39.
Two-dimensional mapping of resistivity in semi-insulating GaAs wafers with large diameter using a nondestructive technique
机译:
使用无损技术的大直径半绝缘GaAs晶片中电阻率的二维映射
作者:
M. Fukuzawa
;
M. Yamada
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
40.
Experimental Demonstration of a Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High-Speed, High-Resolution Analog-to-Digital Converter
机译:
用于高速,高分辨率模数转换器的共振隧穿Δ-Σ调制器的实验演示
作者:
Yuji Yokoyama
;
Yutaka Ohno
;
Shigeru Kishimoto
;
Koichi Maezawa
;
Takashi Mizutani
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
41.
High Extraction Efficiency AlGaInP Microcavity Light Emitting Diodes at 650 nm with AlGaAs-AlO_x DBR
机译:
AlGaAs-AlO_x DBR在650 nm处具有高提取效率的AlGaInP微腔发光二极管
作者:
R. Joray
;
J. Dorsaz
;
R. P. Stanley
;
M. Ilegems
;
M. Rattier
;
C. Karnutsch
;
K. Streubel
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
42.
Interfacial and piezoelectric properties of highly strained InGaAs/GaAs quantum well structures grown on (111)A GaAs substrates by MOVPE
机译:
MOVPE在(111)A GaAs衬底上生长的高应变InGaAs / GaAs量子阱结构的界面和压电特性
作者:
Jongseok Kim
;
Soohaeng Cho
;
Alfredo Sanz-Hervas
;
Arnoldo Majerfeld
;
Gilles Patriarche
;
B. W. Kim
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
43.
High-power Blue-Violet Lasers Grown On 3-inch Sapphire and GaN Substrate
机译:
在3英寸蓝宝石和GaN衬底上生长的高功率蓝紫色激光器
作者:
Shiro Uchida
;
Shinroh Ikeda
;
Takashi Mizuno
;
Shu.Goto
;
Tomomi Sasaki
;
Yoshio Ohfuji
;
Tsuyoshi Fujimoto
;
Osamu Matsumoto
;
Kenji Oikawa
;
Motonobu Takeya
;
Yoshifumi Yabuki
;
Masao Ikeda
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
44.
High performance optically pumped 1.55 μm VCSELs for novel telecom applications
机译:
用于新型电信应用的高性能光泵浦1.55μmVCSEL
作者:
Alexei Syrbu
;
Grigore Suruceanu
;
Vladimir Iakovlev
;
Alok Rudra
;
Alexandru Mereuta
;
Claude-Albert Berseth
;
Andrei Mircea
;
Cristian Bungarzeanu
;
Eli Kapon
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
45.
Intersubband transitions in strain compensated InGaAs/AlAs quantum well structures grown on InP
机译:
InP上生长的应变补偿InGaAs / AlAs量子阱结构中的子带间跃迁
作者:
N Georgiev
;
M Semtsiv
;
T Dekorsy
;
F Eichhorn
;
A Bauer
;
M Helm
;
W T Masselink
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
46.
Interferometric temperature mapping of GaAs-based quantum cascade laser
机译:
GaAs基量子级联激光器的干涉温度测绘
作者:
C. Pfluegl
;
M. Litzenberger
;
W. Schrenk
;
S. Anders
;
D. Pogany
;
E. Gornik
;
G. Strasser
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
47.
Inductively Coupled Argon Plasma Enhanced Quantum Well Intermixing in InGaAs/InGaAsP Laser structure
机译:
InGaAs / InGaAsP激光结构中的电感耦合氩等离子体增强量子阱混合
作者:
H.S. Djie
;
J. Arokiaraj
;
T. Mei
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
48.
InP/GaAsSb/InP Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
InP / GaAsSb / InP异质结双极晶体管
作者:
C R Bolognesi
;
M W Dvorak
;
S P Watkins
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
49.
Lasing properties of GaAs/(Al,Ga)As quantum cascade lasers as a function of injector doping density
机译:
GaAs /(Al,Ga)As量子级联激光器的激光特性与注入器掺杂密度的关系
作者:
M Giehler
;
R Hey
;
H Kostial
;
T Ohtsuka
;
L Schrottke
;
H T Grahn
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
50.
Polarization-sensitive photo-detectors based on strained M-plane GaN
机译:
基于应变M面GaN的偏振敏感光电探测器
作者:
Sandip Ghosh
;
Pranob Misra
;
O Brandt
;
H T Grahn
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
51.
Studies on the Low-k BCB passivation of 0.1 μm gamma gate PHEMTs
机译:
0.1μm伽马门PHEMT的Low-k BCB钝化研究
作者:
Woo-Suk Sul
;
Hyo-Jong Han
;
Seong-Dae Lee
;
Jin-Koo Rhee
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
52.
Ultra Shallow GaAs Sidewall Tunnel Junctions Implemented with Low-temperature Area Selective Regrowth
机译:
低温区域选择性再生实现的超浅GaAs侧壁隧道结
作者:
Yutaka Oyama
;
Takeo Ohno
;
Kenji Tezuka
;
Ken Suto
;
Jun-ichi Nishizawa
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
53.
Carrier Dynamics in Self-Organized In(Ga)As/Ga(Al)As Quantum Dots and Their Application to Long-Wavelength Sources and Detectors
机译:
自组织In(Ga)As / Ga(Al)As量子点中的载流子动力学及其在长波源和探测器中的应用
作者:
P Bhattacharya
;
A D Stiff-Roberts
;
S Chakrabarti
;
S Krishna
;
C Fischer
;
T Norris
;
J Urayama
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
54.
Nonlinear Semiconductor Materials for A Fully Passive Low-Loss Optical Combiner
机译:
全被动式低损耗光学组合器的非线性半导体材料
作者:
G. Zhao
;
J. J. G. M. van der Tol
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
55.
Demonstration of 640 x 512 Pixel Four-Band Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) Focal Plane Array
机译:
640 x 512像素四波段量子阱红外光电探测器(QWIP)焦平面阵列的演示
作者:
S. D. Gunapala
;
S. V. Bandara
;
J. K. Liu
;
S. B. Rafol
;
M. Jhabvala
;
K. K. Choi
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
56.
Improved temperature performance of GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers
机译:
GaAs / AlGaAs量子级联激光器的改善的温度性能
作者:
W. Schrenk
;
S. Anders
;
C. Pfluegl
;
E. Gornik
;
G. Strasser
;
C. Becker
;
C. Sirtori
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
57.
InAs/AlGaSb heterostructure displacement sensors
机译:
InAs / AlGaSb异质结构位移传感器
作者:
H Yamaguchi
;
S Miyashita
;
Y Hirayama
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
58.
In_(0.53)Ga_(0.47)As ionization coefficients deduced from photomultiplication measurements
机译:
从光电倍增测量得出的In_(0.53)Ga_(0.47)As电离系数
作者:
J S Ng
;
M C Yee
;
J P R David
;
P A Houston
;
G J Rees
;
G Hill
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
59.
Orientation-mismatched wafer bonding for polarization control of 1.3 μm-wavelength vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL)
机译:
方向不匹配的晶圆键合,用于偏振控制1.3μm波长的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)
作者:
Yae L. Okuno
;
Jon Geske
;
Yi-Jen Chiu
;
Steven P. DenBaars
;
John E. Bowers
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
60.
Properties of InGaAs Coupled Quantum Wire Structures Grown on Vicinal (111)B GaAs with Quasi-Periodic Corrugation
机译:
准周期性波纹在(111)B GaAs上生长的InGaAs耦合量子线结构的性质
作者:
T. Noda
;
N. Kondo
;
Y. Akiyama
;
T. Kawazu
;
H. Sakaki
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
61.
Properties of Electronic States at Free Surfaces and Schottky Barrier Interfaces of AlGaN/GaN Heterostructure
机译:
AlGaN / GaN异质结构的自由表面和肖特基势垒界面的电子态性质
作者:
Hideki Hasegawa
;
Takanori Inagaki
;
Shinya Ootomo
;
Tamotsu Hashizume
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
62.
Sensitivity of intersubband absorption linewidth and transport mobility to interface roughness scattering in GaAs quantum wells
机译:
GaAs量子阱中子带间吸收线宽和传输迁移率对界面粗糙度散射的敏感性
作者:
Takeya Unuma
;
Masahiro Yoshita
;
Takeshi Noda
;
Hiroyuki Sakaki
;
Motoyoshi Baba
;
Hidefumi Akiyama
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
63.
Scattering transport and electron temperature evaluation in a Terahertz GaAs/AlGaAs quantum cascade laser
机译:
太赫兹GaAs / AlGaAs量子级联激光器中的散射输运和电子温度评估
作者:
D Indjin
;
P Harrsion
;
R W Kelsall
;
Z Ikonic
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
64.
Single-Electron Transistors
机译:
单电子晶体管
作者:
Peter Hadley
;
Guenther Lientschnig
;
Ming-Jiunn Lai
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
65.
Temperature sensitivity of high power GaSb based 2 diode lasers
机译:
基于高功率GaSb的2二极管激光器的温度敏感性
作者:
M. Rattunde
;
C. Mermelstein
;
J. Schmitz
;
R. Kiefer
;
W. Pletschen
;
M. Walther
;
J. Wagner
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
66.
Study of polarisation switch in a three-contacts vertical- cavity surface-emitting laser
机译:
三触点垂直腔面发射激光器中偏振开关的研究
作者:
V. Badilita
;
J.-F. Carlin
;
M. Ilegems
;
M. Brunner
;
G. Verschaffelt
;
K. Panajotov
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
67.
Effect of temperature on the avalanche properties of sub-micron structures
机译:
温度对亚微米结构雪崩特性的影响
作者:
C N Harrison
;
J P R David
;
C Groves
;
M Hopkinson
;
G J Rees
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
68.
Electron-Photon Strong Coupling in Intersubband Resonators
机译:
子带间谐振器中的电子-光子强耦合
作者:
G. Biasiol
;
L. Sorba
;
D. Dini
;
R. Koehler
;
A. Tredicucci
;
F. Beltram
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
69.
Electroluminescence of asymmetric coupled GaAs/AlGaAs V-groove quantum wires
机译:
非对称耦合GaAs / AlGaAs V槽量子线的电致发光
作者:
K F Karlsson
;
H Weman
;
M -A Dupertuis
;
K Leifer
;
A Rudra
;
E Kapon
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
70.
Efficient nitride-based short-wavelength emitters with enhanced hole injection
机译:
高效的氮化物基短波长发射极,空穴注入增强
作者:
J. M. Zavada
;
S. M. Komirenko
;
K. W. Kim
;
V. A. Kochelap
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
71.
Giant polarized photoluminescence and photoconductivity in type-Ⅱ GaAs/GaAsSb multiple quantum wells induced by interface chemical bonds
机译:
界面化学键在Ⅱ型GaAs / GaAsSb多量子阱中的巨极化光致发光和光电导性
作者:
Y.F.Chen
;
Y.S.Chiu
;
M.H.Ya
;
T.T.Chen
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
72.
Growth and properties of polycrystalline GaN on ZnO/Si substrates by ECR-MBE
机译:
ECR-MBE在ZnO / Si衬底上生长多晶GaN及其性能
作者:
K Kitamura
;
H Mamiya
;
T Araki
;
T Maruyama Y Nanishi
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
73.
Fabrication and Electrical Performance of Oscillators in GaInP/GaAs-HBT MMIC Technology up to 40 GHz
机译:
GaInP / GaAs-HBT MMIC技术中高达40 GHz的振荡器的制造和电性能
作者:
J. Hilsenbeck
;
F. Brunner
;
F. Lenk
;
J. Wuerfl
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
74.
GaN-based Single Mirror Light Emitting Diodes
机译:
GaN基单镜面发光二极管
作者:
Ch. Zellweger
;
J. Dorsaz
;
J. F. Carlin
;
H. J. Buehlmann
;
M. Ilegems
;
R. P. Stanley
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
75.
High Power AlGaN/GaN HEMT's
机译:
大功率AlGaN / GaN HEMT
作者:
Lester F. Eastman
;
Vinayak Tilak
;
Richard Thompson
;
Bruce Green
;
Valery Kaper
;
Tom Prunty
;
Richard Shealy
;
Joseph Smart
;
Hyungtak Kim
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
76.
Guided surface-acoustic-wave modes in AlN layers grown on SiC substrates
机译:
在SiC衬底上生长的AlN层中的引导表面声波模式
作者:
Y Takagaki
;
P V Santos
;
E Wiebicke
;
O Brandt
;
H-P Schonherr
;
K H Ploog
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
77.
High breakdown electric field for Npn-type AlGaN/InGaN/GaN heterojunction bipolar transistors
机译:
Npn型AlGaN / InGaN / GaN异质结双极晶体管的高击穿电场
作者:
Toshiki Makimoto
;
Kazuhide Kumakura
;
Naoki Kobayashi
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
78.
High Gain, Low Noise 4H-SiC UV Avalanche Photodiodes
机译:
高增益,低噪声4H-SiC UV雪崩光电二极管
作者:
B K Ng
;
J P R David
;
R C Tozer
;
G J Rees
;
F Yan
;
C Qin
;
J H Zhao
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
79.
InGaP/InGaAs/GaAs Double Channel Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor
机译:
InGaP / InGaAs / GaAs双通道拟态高电子迁移率晶体管
作者:
H. M. Chuang
;
K. H. Yu
;
K. W. Lin
;
C. C. Cheng
;
J. Y. Chen
;
W. C. Liu
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
80.
Injection energy dependence of electron thermalization length in AlGaAs/GaAs quantum well structures
机译:
AlGaAs / GaAs量子阱结构中电子热化长度的注入能量依赖性
作者:
T Tsuruoka
;
H Hashimoto
;
Y Ohizumi
;
S Ushioda
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
81.
Industrial Aspects of Ⅲ/Ⅴ Electronics: GaAs IC Manufacturing in Taiwan for Wireless Communications
机译:
Ⅲ/Ⅴ电子的产业方面:台湾用于无线通信的GaAs IC制造
作者:
P. C. Chao
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
82.
Large Transition Energy Separation at 1.3 μm Emission from InAs/GaAs Quantum Dots
机译:
InAs / GaAs量子点在1.3μm发射时的大跃迁能量分离
作者:
Y.Q. Wei
;
S.M. Wang
;
F. Ferdos
;
Q.X. Zhao
;
J. Vukusic
;
M. Sadeghi
;
A. Larsson
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
83.
Long-wavelength, two-dimensional, WDM vertical- cavity surface-emitting laser arrays fabricated by nonplanar wafer bonding
机译:
通过非平面晶片键合制造的长波长二维WDM垂直腔面发射激光阵列
作者:
J Geske
;
Y L Okuno
;
J E Bowers
;
D Leonard
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
|
2002年
84.
Thermal Quenching of Emission of Self-Assembled InAs Quantum Dots Embedded into InGaAs/GaAs MQW
机译:
嵌入InGaAs / GaAs MQW中的自组装InAs量子点发射的热淬火
作者:
T. V. Torchynska
;
J. L. Casas Espinola
;
H.M.Alfaro Lopez
;
P. G. Eliseev
;
A. Stintz
;
K. J. Malloy
;
R. Pena Sierra
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
85.
70-nm-gate PHEMT fabricated by a trilayer process of ZEP/P(MMA-MAA)/PMMA resist
机译:
通过ZEP / P(MMA-MAA)/ PMMA抗蚀剂三层工艺制造的70纳米栅极PHEMT
作者:
S. C. Kim
;
B. O. Lim
;
H.S. Lee
;
S. K. Kim
;
H. C. Park
;
D-H Shin
;
J. K. Rhee
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
86.
A surface reconstruction functioning as a micro mask during in-situ layer-by-layer etching of GaAs(111)B using AsBr_3
机译:
使用AsBr_3原位逐层腐蚀GaAs(111)B时,表面重建充当微掩模
作者:
Y. Asaoka
;
I. Ihara
;
K. Yokoyama
;
S. Daicho
;
N. Sano
;
T. Kaneko
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
87.
An 'anomalous' drift of defects under electric field in CdSe and CdS single crystals
机译:
CdSe和CdS单晶中电场下缺陷的“异常”漂移
作者:
L V Borkovska
;
B M Bulakh
;
L Yu Khomenkova
;
N O Korsunska
;
I V Markevich
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
88.
Continuous wave operation of far-infrared quantum cascade lasers
机译:
远红外量子级联激光器的连续波操作
作者:
L.Ajili
;
G. Scalari
;
H. Willenberg
;
D. Hofstetter
;
M. Beck
;
J. Faist
;
H. Beere
;
G. Davies
;
E. Linfield
;
D. Ritchie
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
89.
Charge balanced Ga_2O-GaAs interface and application to self-aligned GaAs p-channel enhancement mode MOS heterostructure field-effect transistor
机译:
电荷平衡Ga_2O-GaAs界面及其在自对准GaAs p沟道增强模式MOS异质结场效应晶体管中的应用
作者:
M Passlack
;
J K Abrokwah
;
R Droopad
;
Z Yu
;
C Overgaard
;
S I Yi
;
M Hale
;
J Sexton
;
A C Kummel
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
90.
Compositional dependence of electron traps in Ga(As,N) grown by molecular-beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的Ga(As,N)中电子陷阱的组成依赖性
作者:
P Krispin
;
V Gambin
;
J S Harris
;
K H Ploog
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
91.
Investigation of the modulation efficiency of depleted InGaAsP/InP ridge waveguide phase modulators at 1.55 μm
机译:
耗尽型InGaAsP / InP脊形波导相位调制器在1.55μm处的调制效率研究
作者:
H S Park
;
J C Yi
;
Y T Byun
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
92.
Magnetic properties of (Ga,Mn)N grown directly on 4H-SiC(0001) by molecular-beam epitaxy
机译:
分子束外延直接在4H-SiC(0001)上生长的(Ga,Mn)N的磁性
作者:
S. Dhar
;
O. Brandt
;
A. Trampert
;
K. J. Friedland
;
K. H. Ploog
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
93.
Narrow Size-Dispersion CdSe Quantum Dots Grown on ZnSe by Modified MEE Technique
机译:
改进的MEE技术在ZnSe上生长窄尺寸色散CdSe量子点
作者:
I.V. Sedova
;
S.V. Sorokin
;
A.A. Sitnikova
;
O.V. Nekrutkina
;
A.N. Reznitsky
;
S.V. Ivanov
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
94.
Multiwafer Epitaxy of GaN/AlGaN Heterostructures for Power Applications
机译:
用于电源应用的GaN / AlGaN异质结构的多晶片外延
作者:
K Koehler
;
S Mueller
;
N Rollbuehler
;
R Kiefer
;
R Quay
;
G Weimann
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
95.
Optical evaluation of spatial carrier concentration fluctuations in doped InP substrates
机译:
掺杂InP衬底中空间载流子浓度波动的光学评估
作者:
M. Baeumler
;
E. Diwo
;
W. Jantz
;
U. Sahr
;
G. Mueller
;
I. Grant
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
96.
Optical and Structural Investigations of GeSiO_2 Systems
机译:
GeSiO_2系统的光学和结构研究
作者:
T.V. Torchynska
;
J. Aguilar-Hernandez
;
G. Polupan
;
A. Kolobov
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
97.
One-dimensional free exciton in CdTe/Cd_(0.74)Mg_(0.26)Te quantum wires
机译:
CdTe / Cd_(0.74)Mg_(0.26)Te量子线中的一维自由激子
作者:
S. Nagahara
;
T. Kita
;
O. Wada
;
L. Marsal
;
H. Mariette
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
98.
Novel Microcavity Light Emitting Diodes
机译:
新型微腔发光二极管
作者:
R. P. Stanley
;
P. Royo
;
U. Oesterle
;
R. Joray
;
M. Ilegems
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
99.
Photoluminescence from deep levels in Fe-doped InP substrates
机译:
掺杂铁的InP衬底中深层的光致发光
作者:
M. Yamada
;
M. Fukuzawa
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
100.
Optical spectra of quantum dot aggregates in sub- wetting layer region
机译:
亚湿润层区域中量子点聚集体的光谱
作者:
K Kral
;
P Zden k
会议名称:
《IOP Conference Series no.174; International Symposium on Compound Semiconductors; 20021007-10; Lausanne(CH)》
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2002年
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