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1.
Advanced confocal technique for submicron CD measurements
机译:
先进的共聚焦技术,用于亚微米CD测量
作者:
Axel Rohde
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Federal Republic of Germany
;
Ralf Saffert
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Federal Republic of Germany
;
John Fitch
;
Carl Zeiss
;
Inc.
;
Thornwood
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
2.
Adaptive control of photolithography
机译:
光刻的自适应控制
作者:
Oscar D. Crisalle
;
Univ. of California/Santa Barbara
;
Gainesville
;
FL
;
USA
;
Robert A. Soper
;
Univ. of California/Santa Barbara
;
Santa Barbara
;
CA
;
USA
;
Duncan A. Mellichamp
;
Univ. of California/Santa Barbara
;
Santa Barbara
;
CA
;
USA
;
Dale E. Seborg
;
Univ.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
3.
Optimal control of positive optical photoresist development
机译:
光学光刻胶正显影的最佳控制
作者:
Thomas A. Carroll
;
Univ. of Colorado/Boulder
;
Louisville
;
CO
;
USA
;
W.F. Ramirez
;
Univ. of Colorado/Boulder
;
Boulder
;
CO
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
4.
Numerical simulation of thick-linewidth measurements by reflected light
机译:
反射光测量粗线宽的数值模拟
作者:
Gregory L. Wojcik
;
Weidlinger Associates
;
Inc.
;
Los Altos
;
CA
;
USA
;
John Mould
;
Jr.
;
Weidlinger Associates
;
Inc.
;
Los Altos
;
CA
;
USA
;
Robert J. Monteverde
;
VLSI Standards
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Jaroslav J. Prochazka
;
VLSI Standards
;
Inc.
;
Mountain V
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
5.
Statistical approach to optimizing advanced low-voltage SEM operation,
机译:
优化高级低压SEM操作的统计方法,
作者:
Peter J. Apostolakis
;
National Semiconductor Corp.
;
Urbana
;
IL
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
6.
Semiconductor thin-film optical constant determination and thin-film thickness measurement equipment correlation
机译:
半导体薄膜光学常数测定与薄膜厚度测量设备的相关性
作者:
Anne M. Kaiser
;
Digital Equipment Corp.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
7.
Phase-shift mask pattern accuracy requirements and inspection technology
机译:
相移掩模图案精度要求和检查技术
作者:
James N. Wiley
;
KLA Instruments Corp.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Tao-Yi Fu
;
KLA Instruments Corp.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Takashi Tanaka
;
KLA Technology Ctr. Ltd.
;
Tachikawa-city
;
Tokyo
;
Japan
;
Susumu Takeuchi
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Itami-shi
;
Hyogo
;
Japan
;
Sat
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
8.
Phase-shift mask technology: requirements for e-beam mask lithography
机译:
相移掩模技术:电子束掩模光刻的要求
作者:
Steven K. Dunbrack
;
Etec Systems
;
Inc.
;
Hayward
;
CA
;
USA
;
Andrew Muray
;
Etec Systems
;
Inc.
;
Hayward
;
CA
;
USA
;
Charles Sauer
;
Etec Systems
;
Inc.
;
Hayward
;
CA
;
USA
;
Richard Lozes
;
Etec Systems
;
Inc.
;
Hayward
;
CA
;
USA
;
John L. Nistler
;
Advanced Micro Devices
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
9.
'Golden standard' wafer design for optical ste
机译:
光学引导的“黄金标准”晶圆设计
作者:
Kevin G. Kemp
;
Motorola Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Charles F. King
;
Motorola Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Wei Wu
;
Motorola Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Charles W. Stager
;
Motorola Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
10.
New phase-shifting mask structure for positive resist process
机译:
用于正性抗蚀剂工艺的新型相移掩模结构
作者:
Junji Miyazaki
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Hyogo-ken
;
Japan
;
Kazuya Kamon
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Itami-shi
;
Hyogo
;
Japan
;
Nobuyuki Yoshioka
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Itami-shi
;
Hyogo
;
Japan
;
Shuichi Matsuda
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Itami-shi
;
Hy
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
11.
Linearity of coherence probe metrology: simulation and experiment
机译:
相干探针计量的线性度:仿真和实验
作者:
Mark P. Davidson
;
Spectel Co.
;
Palo Alto
;
CA
;
USA
;
Kevin M. Monahan
;
Metrologix
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Robert J. Monteverde
;
KLA Instruments Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
12.
Linewidth measurement comparison between a photometric optical microscope and a scanning electron microscope backed with Monte Carlo trajectory computations
机译:
蒙特卡洛轨迹计算支持的光度学光学显微镜和扫描电子显微镜之间的线宽测量比较
作者:
John W. Nunn
;
National Physical Lab.
;
Teddington
;
Middlessex
;
United Kingdom
;
Nicholas P. Turner
;
National Physical Lab.
;
Teddington
;
Middlesex
;
United Kingdom.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
13.
Metrology issues associated with submicron linewidths
机译:
与亚微米线宽相关的计量问题
作者:
Khoi Phan
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
John L. Nistler
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Martindale
;
TX
;
USA
;
Bhanwar Singh
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
14.
Measuring films on and below polycrystalline silicon using reflectometry
机译:
使用反射法测量多晶硅上下的薄膜
作者:
Herbert L. Engstrom
;
Tencor Instruments
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Stanley E. Stokowski
;
Tencor Instruments
;
Mountain View
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
15.
High-speed ste
机译:
高速ste
作者:
Jozef P. Benschop
;
Signetics Co.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Kevin M. Monahan
;
Signetics Co.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Tom A. Harris
;
Signetics Co.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
16.
Experimental assessment of 150-mm P/P+ epitaxial silicon wafer flatness for deep-submicron a
机译:
深亚微米a的150mm P / P +外延硅晶片平整度的实验评估
作者:
Howard R. Huff
;
SEMATECH
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Harrison Weed
;
SEMATECH
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
17.
Edge-profile materials and protective coating effects on image quality
机译:
边缘轮廓材料和保护性涂层对图像质量的影响
作者:
Takeshi Doi
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Karim H. Tadros
;
Univ. of California/Berkeley
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Birol Kuyel
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Andrew R. Neureuther
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
18.
Cross-sectional imaging in SEM: signal formation mechanism and CD measurements
机译:
SEM中的横截面成像:信号形成机理和CD测量
作者:
Leon A. Firstein
;
RFN Technology
;
Los Angeles
;
CA
;
USA
;
Arthur Noz
;
RFN Technology
;
Los Angeles
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
19.
Critical dimension control using development end point detection for wafers with multilayer structures
机译:
使用显影终点检测对具有多层结构的晶圆进行关键尺寸控制
作者:
Toshio Hagi
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Yoshimitsu Okuda
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Tohru Ohkuma
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
20.
Automated approach to the correlation of defect locations to electricaltest results to determine yield reducing defects,
机译:
自动将缺陷位置与电气测试结果相关联的方法,以确定降低良率的缺陷,
作者:
M.M. Slama
;
National Semiconductor Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Angela C. Patterson
;
Insystems
;
Fremont
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
21.
Charging phenomena in e-beam metrology
机译:
电子束计量中的充电现象
作者:
Dorron D. Levy
;
Consultant
;
Tel Aviv
;
Israel
;
Karl L. Harris
;
Consultant
;
Boulder Creek
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
22.
Characterization of automatic overlay measurement technique for sub-half-micron devices
机译:
亚半微米设备的自动覆盖测量技术的表征
作者:
Akira Kawai
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Itami-City
;
Hyogo
;
Japan
;
Keiji Fujiwara
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Itami
;
Hyogo
;
Japan
;
Kouichirou Tsujita
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Itami-City
;
Hyogo
;
Japan
;
Hitoshi Nagata
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Hyogo-Pre
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
23.
Effects of wafer cooling characteristics after post-exposure bake on critical dimensions
机译:
曝光后烘烤后晶片冷却特性对临界尺寸的影响
作者:
Teresa L. Lauck
;
Varian Associates
;
San Mateo
;
CA
;
USA
;
Masafumi Nomura
;
Tokyo Electron Ltd.
;
Kikuchi-Gun Kumamoto
;
Japan
;
Tsutae Omori
;
Tokyo Electron Ltd.
;
Kikuchi-Gun Kumamoto
;
Japan
;
Kajutoshi Yoshioka
;
Tokyo Electron Ltd.
;
Kikuchi-Gun
;
Kumamoto
;
Japa
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
24.
Effect of operating points in submicron CD measurements
机译:
亚微米CD测量中工作点的影响
作者:
Mircea V. Dusa
;
SEEQ Technology Inc.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Christoph Jung
;
LEICA MSW GmbH
;
Wetzlar
;
Federal Republic of Germany
;
Paul Jung
;
LEICA MSW GmbH
;
Wetzlar
;
Federal Republic of Germany
;
Detlef Hogenkamp
;
LEICA MSW GmbH
;
Wetzlar
;
Federal Republic of
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
25.
Use of diffracted light from latent images to improve lithography control
机译:
利用来自潜像的衍射光改善光刻控制
作者:
Kirt C. Hickman
;
Univ. of New Mexico
;
Kirtland AFB
;
NM
;
USA
;
Susan M. Wilson
;
Univ. of New Mexico
;
Albuquerque
;
NM
;
USA
;
Kenneth P. Bishop
;
Univ. of New Mexico
;
Albuquerque
;
NM
;
USA
;
S.S. Naqvi
;
Univ. of New Mexico
;
Albuquerque
;
NM
;
USA
;
John R. McNeil
;
U
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
26.
Using an expert system to interface mainframe computing resources with an interactive video system
机译:
使用专家系统将大型机计算资源与交互式视频系统接口
作者:
Raymond Carey
;
Intel Corp.
;
Albuquerque
;
NM
;
USA
;
Sheryl F. Wible
;
Intel Corp.
;
Rio Rancho
;
NM
;
USA
;
Wayne H. Gaynor
;
Intel Corp.
;
Rio Rancho
;
NM
;
USA
;
Timothy G. Hendry
;
Intel Corp.
;
Rio Rancho
;
NM
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
27.
Wafer alignment based on existing microstructures
机译:
基于现有微结构的晶圆对准
作者:
Geert J. Wyntjes
;
OPTRA
;
Inc.
;
Topsfield
;
MA
;
USA
;
Michael Hercher
;
OPTRA
;
Inc.
;
Topsfield
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
28.
Thickness measurement of combined a-Si and Ti films on c-Si using a monochromatic ellipsometer
机译:
使用单色椭圆仪测量c-Si上的a-Si和Ti膜的组合厚度
作者:
Chue-San Yoo
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Ltd.
;
Hsin-Chu
;
Taiwan
;
Jan C. Jans
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
29.
Applications of latent image metrology in microlithography
机译:
潜像计量学在微光刻中的应用
作者:
Author(s): Thomas E. Adams ATT Bell Labs. Allentown PA USA.
会议名称:
《》
|
1991年
30.
Automated approach to the correlation of defect locations to electrical test results to determine yield reducing defects
机译:
自动化方法将缺陷位置与电气测试结果相关联,以确定降低良率的缺陷
作者:
Author(s): M.M. Slama National Semiconductor Corp. Santa Clara CA USA
;
Angela C. Patterson Insystems Fremont CA USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
31.
Pattern recognition approach to trench bottom-width measurement,
机译:
沟槽底部宽度测量的模式识别方法,
作者:
Ching-Hua Chou
;
Stanford Univ.
;
Mountain View
;
CA
;
USA
;
John L. Berman
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
Stanley S. Chim
;
Stanford Univ.
;
Mountain View
;
CA
;
USA
;
Timothy R. Corle
;
Stanford Univ.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Guoquing Xiao
;
Stanford Univ.
;
San
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
32.
Optical polysilicon over oxide thickness measurement
机译:
光学多晶硅过氧化物厚度测量
作者:
Anne M. Kaiser
;
Digital Equipment Corp.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
33.
Optical metrology for integrated circuit fabrication
机译:
集成电路制造的光学计量
作者:
Stanley S. Chim
;
Stanford Univ.
;
Mountain View
;
CA
;
USA
;
Gordon S. Kino
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
34.
Techniques for characterization of silicon penetration during DUV surface imaging
机译:
DUV表面成像过程中表征硅渗透的技术
作者:
Peter W. Freeman
;
Digital Equipment Corp.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
John F. Bohland
;
Shipley Co.
;
Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Edward K. Pavelchek
;
Shipley Co.
;
Inc.
;
Marlboro
;
MA
;
USA
;
Susan K. Jones
;
Microelectronics Ctr. of North Carolina
;
Research Triangle Par
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
35.
Surface roughness effects on light scattered by submicron particles on surfaces
机译:
表面粗糙度对亚微米粒子在表面散射的光的影响
作者:
Edward J. Bawolek
;
Arizona State Univ.
;
Chandler
;
AZ
;
USA
;
Edwin D. Hirleman
;
Arizona State Univ.
;
Tempe
;
AZ
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
36.
Submicron linewidth measurement using an interferometric optical profiler
机译:
使用干涉光学轮廓仪进行亚微米线宽测量
作者:
Katherine Creath
;
WYKO Corp.and Optical Sciences Ctr./Univ. of Arizona
;
Tucson
;
AZ
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
37.
Semiwafer metrology project
机译:
半晶片计量项目
作者:
Marylyn H. Bennett
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
William M. Hiatt
;
Motorola
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Laurie J. Lauchlan
;
IBM/East Fishkill Facility
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Lynda C. Mantalas
;
Prometrix Corp.
;
Campbell
;
CA
;
USA
;
Hans Rottman
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
38.
Sequential experimentation strategy and response surface methodologies for photoresist process optimization
机译:
光刻胶工艺优化的顺序实验策略和响应面方法
作者:
Gary E. Flores
;
KTI Chemicals Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
David H. Norbury
;
KTI Chemicals Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
39.
Resist tracking: a lithographic diagnostic tool
机译:
光刻胶跟踪:光刻诊断工具
作者:
Cliff H. Takemoto
;
SEMATECH
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
David H. Ziger
;
SEMATECH
;
Allentown
;
PA
;
USA
;
William Connor
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Romelia Distasio
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
40.
Photoresist dissolution rates: a comparison of puddle spray and immersion processes
机译:
光致抗蚀剂溶解速度:水坑喷淋和浸没过程的比较
作者:
Stewart A. Robertson
;
Univ. of Edinburgh
;
Langside
;
Glasgoe
;
United Kingdom
;
J.T. Stevenson
;
Univ. of Edinburgh
;
Roslin Glen
;
Midlothian
;
United Kingdom
;
Robert J. Holwill
;
Univ. of Edinburgh
;
Edinburgh
;
United Kingdom
;
Mark Thirsk
;
Olin Hunt Specialty Pr
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
41.
0.50 um contact measurement and characterization
机译:
0.50 um触点测量和表征
作者:
Tracy K. Lindsay
;
Digital Equipment Corp.
;
Hudson
;
MA
;
USA
;
Kevin J. Orvek
;
Digital Equipment Corp.
;
Hudson
;
MA
;
USA
;
Richard T. Mumaw
;
Prometrix Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
42.
Application of transmission electron detection to x-ray mask calibrationsand inspection,
机译:
透射电子检测在X射线掩模标定和检查中的应用
作者:
Michael T. Postek
;
National Institute of Standards
;
Technology
;
Gaithersburg
;
MD
;
USA
;
Robert D. Larrabee
;
National Institute of Standards
;
Technology
;
Gaithersburg
;
MD
;
USA
;
William J. Keery
;
National Institute of Standards
;
Technology
;
Gaithersburg
;
MD
;
US
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
43.
Monte Carlo modeling of secondary electron signals from heterogeneous specimens with nonplanar surfaces
机译:
非平面表面异质样品二次电子信号的蒙特卡洛模拟
作者:
John C. Russ
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
Bruce W. Dudley
;
Microelectronics Ctr. of North Carolina
;
Research Triangle Park
;
NC
;
USA
;
Susan K. Jones
;
Microelectronics Ctr. of North Carolina
;
Research Triangle Park
;
NC
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
44.
In-line wafer inspection using 100-megapixel-per-second digital image processing technology
机译:
使用每秒100兆像素的数字图像处理技术的在线晶圆检查
作者:
Gary Dickerson
;
KLA Instruments Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Rick P. Wallace
;
KLA Instruments Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
45.
Half-micrometer linewidth metrology
机译:
半微米线宽计量
作者:
Stephen E. Knight
;
IBM Corp.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Dean Humphrey
;
IBM Corp.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Reginald R. Bowley
;
Jr.
;
IBM Corp.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Robert M. Cogley
;
IBM Corp.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
46.
Electron-beam metrology: the European initiative
机译:
电子束计量:欧洲倡议
作者:
James J. Jackman
;
International Business Ctr. Electron Optics/Philips A nalytic
;
Eindhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
47.
Figure of merit for calibration and comparison of linewidth measurement instruments
机译:
线宽测量仪器的校准和比较的品质因数
作者:
Robert R. Hershey
;
Motorola
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Terrence E. Zavecz
;
TEA Systems Corp.
;
Alburtis
;
PA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
48.
Computational model of the imaging process in scanning-x microscopy
机译:
扫描x显微镜成像过程的计算模型
作者:
Harry S. Gallarda
;
Univ. of Michigan
;
Ann Arbor
;
MI
;
USA
;
Ramesh C. Jain
;
Univ. of Michigan
;
La Jolla
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
49.
Automated wafer inspection in the manufacturing line
机译:
生产线中的自动晶圆检查
作者:
Jeanne E. Harrigan
;
IBM Corp.
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Meryl D. Stoller
;
KLA Instruments Corp.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
50.
Charging effects in low-voltage SEM metrology
机译:
低压SEM计量中的充电效应
作者:
Kevin M. Monahan
;
Signetics Co.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Jozef P. Benschop
;
Signetics Co.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Tom A. Harris
;
Signetics Co.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
51.
Characterization of wavelength offset for optimization of deep-UV ste
机译:
波长偏移的特性可优化深紫外光固化
作者:
Susan K. Jones
;
Microelectronics Ctr. of North Carolina
;
Research Triangle Park
;
NC
;
USA
;
Bruce W. Dudley
;
Microelectronics Ctr. of North Carolina
;
Research Triangle Park
;
NC
;
USA
;
Charles R. Peters
;
Microelectronics Ctr. of North Carolina
;
Research Trian
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
52.
Extending electrical measurements to the 0.5 um regime
机译:
将电气测量范围扩展到0.5 um
作者:
Patrick M. Troccolo
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Lynda C. Mantalas
;
Prometrix Corp.
;
Campbell
;
CA
;
USA
;
Richard A. Allen
;
National Institute of Standards
;
Technology
;
Gaithersburg
;
MD
;
USA
;
Loren W. Linholm
;
National Institute of Standards
;
Technolog
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
53.
Using the Atomic Force Microscope to measure submicron dimensions of integrated circuit devices and processes
机译:
使用原子力显微镜测量集成电路器件和工艺的亚微米尺寸
作者:
Mark R. Rodgers
;
Digital Instruments
;
Inc.
;
Santa Barbara
;
CA
;
USA
;
Kevin M. Monahan
;
Metrologix
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
54.
Understanding metrology of polysilicon gates through reflectance measurements and simulation
机译:
通过反射率测量和模拟了解多晶硅栅极的计量
作者:
Karim H. Tadros
;
Univ. of California/Berkeley
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Andrew R. Neureuther
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Roberto Guerrieri
;
Univ. di Bologna
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
55.
X-ray laminography analysis of ultra-fine-pitch solder connections on ultrathin boards
机译:
超薄板上超细间距焊接的X射线X射线分析
作者:
John A. Adams
;
Four Pi Systems Corp.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
56.
Application of transmission electron detection to x-ray mask calibrations and inspection
机译:
透射电子检测在X射线掩模标定和检查中的应用
作者:
Author(s): Michael T. Postek National Institute of Standards and Technology Gaithersburg MD USA
;
Robert D. Larrabee National Institute of Standards and Technology Gaithersburg MD USA
;
William J. Keery National Institute of Standards and Technolog
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
57.
Pattern recognition approach to trench bottom-width measurement
机译:
沟槽底部宽度测量的模式识别方法
作者:
Author(s): Ching-Hua Chou Stanford Univ. Mountain View CA USA
;
John L. Berman Stanford Univ. Stanford CA USA
;
Stanley S. Chim Stanford Univ. Mountain View CA USA
;
Timothy R. Corle Stanford Univ. Santa Clara CA USA
;
Guoquing Xiao Stanford
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
58.
Applications of an automated particle detection and identification system in VLSI wafer processing
机译:
自动化粒子检测与识别系统在VLSI晶圆加工中的应用
作者:
Author(s): Takeshi Hattori Sony Corp. Chigasaki Japan
;
Sakuo Koyata Sony Corp. Atsugi-shi Kanagawa-ken Japan.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
59.
Statistical approach to optimizing advanced low-voltage SEM operation
机译:
优化高级低压SEM操作的统计方法
作者:
Author(s): Peter J. Apostolakis National Semiconductor Corp. Urbana IL USA.
会议名称:
《Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control V》
|
1991年
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