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SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium
SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium
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1.
Undoped Ge Core-Si(Ge) Shell Nanowires: Synthesis, Local Composition and Strain Characterization
机译:
未掺杂的GE Core-Si(Ge)壳纳米线:合成,局部成分和应变表征
作者:
S. Hu
;
I. A. Goldthorpe
;
A. F. Marshall
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
2.
The epitaxial growth of low defect SiGe buffer layers for integration of new materials on 300 mm silicon wafers
机译:
低缺陷SiGe缓冲层的外延生长,用于将新材料整合在300mm硅晶片上
作者:
G. Kozlowski
;
O. Fursenko
;
P. Zaumseil
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
3.
Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion
机译:
通过超薄层插入控制Al / P-Ge连接处的肖特基势垒高度
作者:
A. Ohta
;
M. Matsui
;
H. Murakami
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
4.
Impedance Spectroscopy of GeSn-based Heterostructures
机译:
基于GESN的异质结构的阻抗光谱
作者:
B. Baert
;
O. Nakatsuka
;
S. Zaima
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
5.
Strain Control of Si and Si_(1-x-y)Ge_xC_y Layers in Si/Si_(1-x-y)Ge_xC_y/Si Heterostructures by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition
机译:
通过低压化学气相沉积的Si / Si_(1-X-Y)Ge_xc_y / Si异质结构中Si和Si_(1-X-Y)Ge_xc_y层的应变控制
作者:
Junichi Murota
;
Tomohira Kikuchi
;
Jiro Hasegawa
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
6.
Optimization of SiC:P Raised Source Drain Epitaxy for Planar 20nm Fully Depleted SOI MOSFET Structures
机译:
SIC的优化:P平面20nm的P升源漏极外延完全耗尽SOI MOSFET结构
作者:
N. Loubet
;
T. Nagumo
;
T. Adam
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
7.
GeSn alloys on Si using deuterated stannane and trigermane: synthesis and properties
机译:
使用氘代锡烷和三甲烷的Si上的Gesn合金:合成和性质
作者:
G. Grzybowski
;
R.T. Beeler
;
L. Jiang
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
8.
Ge Optical Emitters Fabricated by Ge Condensation and Epitaxial Growth
机译:
GE凝结和外延生长制造的GE光学发射器
作者:
K. Oda
;
K. Tani
;
S. Saito
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
9.
Strained Nanoscaled Devices
机译:
紧张的纳米级装置
作者:
D. Griitzmacher
;
Q.T. Zhao
;
S. Richter
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
10.
Silicon Compatible High Performance Optical Interconnect Technology
机译:
硅兼容高性能光学互连技术
作者:
Birendra Raj Dutt
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
11.
High Efficiency Low Temperature Pre-epi Clean Method For Advanced Group IV Epi Processing
机译:
高效率低温预界面清洁方法IV型EPI处理
作者:
V. Machkaoutsan
;
K. D. Weeks
;
M. Bauer
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
12.
Electrical Isolation of Dislocations in Ge Layers on Si(001) Substrates Through CMOS Compatible Suspended Structures.
机译:
通过CMOS兼容悬浮结构在Si(001)基板上Ge层脱位的电气隔离。
作者:
V A Shah
;
M Myronov
;
C Wongwanitwatana
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
13.
Improved frequency response in a SiGe npn device through improved dopant activation
机译:
通过改进的掺杂剂激活改进SiGe NPN设备中的频率响应
作者:
J.W. Adkisson
;
M.H. Khater
;
J.P. Gambino
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
14.
Ge_(1-x)Sn_x Materials: Challenges and Applications
机译:
GE_(1-X)SN_X材料:挑战和应用
作者:
R. Loo
;
B. Vincent
;
F. Gencarelli
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
15.
Strained Silicon Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
应变硅杂结双极晶体管
作者:
Anthony ONeill
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
16.
Investigations on GeO Disproportionation Using X-ray Photoelectron Spectroscopy
机译:
使用X射线光电子体光谱研究对地理歧化的研究
作者:
Sheng Kai Wang
;
Hong-gang Liu
;
Tomonori Nishimura
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
17.
Understanding Diffusion, Activation, and Related Phenomena in SiGe Alloys: Models and Challenges
机译:
理解SiGe合金中的扩散,激活和相关现象:模型和挑战
作者:
H. W. Kennel
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
18.
Advanced Transistor Architectures for Half-Terahertz SiGe HBTs
机译:
半太赫兹SiGE HBT的先进晶体管架构
作者:
Bernd Heinemann
;
Alexander Fox
;
Holger Rucker
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
19.
Oxidation and sulfidation of germanium surfaces: A comparative atomic level study of different passivation schemes
机译:
锗表面的氧化与硫化:不同钝化方案的比较原子水平研究
作者:
C. Fleischmann
;
K. Schouteden
;
M. Houssa
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
20.
III-V/GaP Epitaxy on Si for Advanced Photovoltaics and Green Light Emitters
机译:
III-V /高级光伏和绿光发射器SI的间隔外延
作者:
T. J. Grassman
;
G. Ratcliff
;
A. M. Carlin
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
21.
Microstructure development in epitaxially grown in-situ Boron and Carbon co-doped strained 60 Silicon-Germanium layers
机译:
外延生长的原位硼和碳共掺杂应变60%硅锗层的微观结构发展
作者:
Alexander Reznicek
;
Thomas N. Adam
;
Jinghong Li
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
22.
Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs
机译:
用于高迁移型GE MOSFET的闸门堆叠和源/漏极结形成
作者:
Hiroshi Nakashima
;
Keisuke Yamamoto
;
Haigui Yang
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
23.
Stress techniques and mobility enhancement in FinFET architectures
机译:
Finfet架构中的应力技术和移动性增强
作者:
G. Eneman
;
L. Witters
;
J. Mitard
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
24.
Nano-synthesis Approach to the Fabrication of Monocrystalline Silicon-like (III-V)_yIV_(5-2y) Semiconductors
机译:
纳米合成方法制备单晶硅样(III-V)_YIV_(5-2Y)半导体的制备方法
作者:
A.V.G. Chizmeshya
;
J. Kouvetakis
;
G. Grzybowski
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
25.
Implant Free SiGe-Quantum Well: From Device Concept To High-Performing pFETs
机译:
植入式SiGe-Quantum阱:从设备概念到高性能的PFET
作者:
J Mitard
;
G. Eneman
;
G. Hellings
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
26.
Advanced CMOS Scaling, And FinFET Technology
机译:
高级CMOS缩放和FinFET技术
作者:
E. J. Nowak
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
27.
Evaluation and Modeling of Relative Importance of RF Noise Sources in SiGe HBTs Using Various Noise Representations
机译:
使用各种噪声表示的RF噪声源相对重要性的评估与建模
作者:
Ziyan Xu
;
Guofu Niu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
28.
Modeling of Field-Effect-Transistors with Strained and Alternative Channel Materials
机译:
带应变和替代通道材料的场效晶体管建模
作者:
F. Conzatti
;
D. Esseni
;
P. Palestri
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
29.
Analysis of Local Electric Conductive Property for Si Nanowire Models
机译:
Si纳米尺寸模型局部电导性分析
作者:
Y. Ikeda
;
M. Senami
;
A. Tachibana
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
30.
GOI Substrates -Fabrication and Characterization-
机译:
goi基板 - 特性和表征 -
作者:
A. Sakai
;
S. Yamasaka
;
J. Kikkawa
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
31.
Reliability of SiGe Channel MOS
机译:
SiGe频道MOS的可靠性
作者:
J. Franco
;
B. Kaczer
;
J. Mitard
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
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