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Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.
Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.
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1.
Enhanced reliability of thin silicon dioxide grown on nitrogen-implanted silicon
机译:
氮注入硅上生长的薄二氧化硅的可靠性得到提高
作者:
S. K. Kurinec
;
M. A. Jackson
;
K. C. Capasso
;
K. Zhuang
;
G. Braunstein
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
2.
Effects of inversion layer quantization and polysilicon gate depletion on tunneling current of ultra-thin sio_2 gte material
机译:
反转层量化和多晶硅栅极耗尽对超薄sio_2 gte材料隧穿电流的影响
作者:
S. Saha
;
G. Srinivasan
;
G. A. Rezvani
;
M. Farr
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
3.
Effect of thermal stability and roughness on electrical properties of tantalum oxide gates
机译:
热稳定性和粗糙度对氧化钽栅极电性能的影响
作者:
G.B. Alers
;
L.A. Stirling
;
R.B. Vandover
;
J.P. Chang
;
D.J. Werder
;
R. Urdahl
;
R. Rajopalan
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
4.
Electrical characterization of Al_2O_3 - SiO_2 mos structures
机译:
Al_2O_3-SiO_2 mos结构的电学表征。
作者:
L-A Ragnarsson
;
E. Aderstedt
;
P. Lundgren
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
5.
Effect of Al, Ta, and O Precursor on Growth and Properties of Al_2O_3 and Ta_2O_5 Thin Films Dpeosited by Triode PECVD
机译:
Al,Ta和O前驱物对三极管PECVD沉积的Al_2O_3和Ta_2O_5薄膜生长和性能的影响
作者:
Tonya Klein
;
Dong Niu
;
Gregory Parsons
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
6.
Combined Thermal and UV Growth of Thin Dielectrics on Silicon in an NO Environment
机译:
NO环境下硅上薄电介质的热和UV结合生长
作者:
Philippe Jamet
;
Philip Tanner
;
H. Barry Harrison
;
Sima Dimitrijev
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
7.
Crystalling oxides on silicon-alternative dielectrics for advanced transistor technologies
机译:
硅替代电介质上的结晶氧化物,用于先进的晶体管技术
作者:
Rodney McKee
;
Fred Walker
;
Matt Chisolm
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
8.
Deposition and treatment of TiO_2 as an alternative for ultrathin gate dielectrics
机译:
沉积和处理TiO_2作为超薄栅极电介质的替代方法
作者:
Yanjun Ma
;
Yoshi Ono
;
Sheng Teng Hsu
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
9.
Bonding constratints at interfaces between crystalling Si and stacked gate dielectrics
机译:
晶化硅和堆叠栅极电介质之间的界面处的粘结点
作者:
G. Lucovsky
;
J.C. Phillips
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
10.
Capturing properties of two-fold coordinated nitrogen atom in silicon oxynitride
机译:
氮氧化硅中二元配位氮原子的捕获特性
作者:
Yu.N. Novikov
;
Yu.N. Morokov
;
V.A. Gritsenko
;
J.B. Xu
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
11.
Bulk and surface electronic properties
机译:
体表和表面电子性质
作者:
Victor E. Henrich
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
12.
Atomic scale modeling of the silicon (100) thermal oxidation, a kinetic monte carlo approach
机译:
硅(100)热氧化的原子尺度建模,一种动力学蒙特卡洛方法
作者:
A. Esteve
;
M. Djafari Rouhani
;
Ph. Faurous
;
D. Esteve
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
13.
Atomic layer deposition of Ta_2O_5 Films using Ta(OC_2H_5)_5 and nh_3
机译:
使用Ta(OC_2H_5)_5和nh_3沉积Ta_2O_5薄膜的原子层
作者:
Hyun-Jung Song
;
Wonyong Koh
;
Sang-Won Kang
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
14.
Enhanced Degradation in P~+-Poly PMOSFETs With Oxynitride GAte Dielectrics Under Hot-Hole Injection
机译:
热孔注入下具有氧氮化物栅极电介质的P〜+聚PMOSFET的增强降解
作者:
Y. Y. Chen
;
M. Gardner
;
J. Fulford
;
D. Wristers
;
A. B. Joshi
;
D. L. Kwong
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
15.
Passivation of (111) Si/SiO_2 interfacial defects by molecular hydrogen
机译:
分子氢钝化(111)Si / SiO_2界面缺陷
作者:
Ligia Gheorghita
;
Elmer Ogryzlo
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
16.
Vacuum ultraviolet annealing of tantalum oxide films deposited at room temperature by photo-induced cvd
机译:
光诱导CVD在室温下对氧化钽薄膜的真空紫外退火
作者:
J.-Y. Zhang
;
I.W. Boyd
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
17.
ULtra Thin High Quality Ta_2O_5 Gate Dielectrics Prepared by In-situ Rapid Thermal Processing
机译:
通过原位快速热处理制备的超薄高质量Ta_2O_5栅极电介质
作者:
H. F. Luan
;
s. J. Lee
;
C. H. Lee
;
A. Y. Mao
;
R. Vrtis
;
D. Roberts
;
D. L. Kwong
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
18.
Ultrathin oxide film formation using radical oxygen in a UHV system
机译:
在特高压系统中使用自由基氧形成超薄氧化膜
作者:
K. Watanabe
;
S. Kimura
;
T. Tatsumi
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
19.
Ultrathin gate oxide prepared by oxidation in d_2o for mos device applications
机译:
通过在d_2o中氧化制备的超薄栅极氧化物,用于mos器件应用
作者:
Hyojune Kim
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
20.
Ultrathin silicon dioxide formation by ozone on ultraflat si surface
机译:
臭氧在超平坦硅表面上形成超薄二氧化硅
作者:
A.Kurokawa
;
T. Maeda
;
K. sakamoto
;
H. Itoh
;
K. Nakamura
;
K. Koike
;
D.W.Moon
;
Y.H.Ha
;
S. Ichimura
;
A. Ando
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
21.
Ultrathin silicon oxide and nitride - silicon interface states
机译:
超薄氧化硅和氮化硅-硅界面态
作者:
L.J.Brillson
;
A.P.Young
;
J.Schafer
;
H.Niimi
;
G. Lucovsky
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
22.
Triggering and suppression of soft breakdown during mercuryprobe assessment of thin gate oxide quality
机译:
在水银探针评估薄栅氧化物质量期间触发和抑制软击穿
作者:
S.Evseev
;
A. Cacciato
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
23.
Scanning probe microscopy (spm) for the investigation of local electrical properties of high-k dielectric/ferroelectric films
机译:
扫描探针显微镜(spm)用于研究高k介电/铁电薄膜的局部电性能
作者:
S.A. Landau
;
P.-A. Wei beta
;
N. Junghans
;
B.O. Kolbesen
;
D. Adderton
;
G. Schindler
;
W. Hartner
;
F. Hintermaier
;
C. Dehm
;
C. Mazure
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
24.
Spectroscopic ellipsometry of Ta_2O_5 on Si
机译:
Si上Ta_2O_5的椭圆偏振光谱
作者:
C.A. Richter
;
N.V. Nguyen
;
G.B. Alers
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
25.
Soft breakdown in ultra-thin oxides
机译:
超薄氧化物的软击穿
作者:
B. E. Weir
;
P. J. Silverman
;
G. B. Alers
;
D. Monroe
;
M. A. Alam. T. W. Sorsch. M. L. Green
;
G. L. Timp
;
Y. Ma
;
M. Frei
;
C. T. Liu
;
J. D. Bude
;
K. S. Krisch
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
26.
Single wafer cvd of silicon nitride for cmos gate applications
机译:
用于CMOS栅极应用的氮化硅单晶片CVD
作者:
C. Pomarede. C. Wekhoven
;
J. Weidmann
;
T. Bergman
;
A. Gschwandtner
;
M. Houssa
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
27.
Self-control Phenomenon for Crystallintiy and Morphology Observed at Epitaxial Growth of BaTiO_3 by Alternating Deposition Method
机译:
交替沉积法观察BaTiO_3外延生长的结晶和形态自控现象
作者:
K. Shimoyama
;
T. Kanda
;
M. Iida
;
T. Maeda
;
K. Yamabe
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
28.
Aggressively scaled p-channel mosfets with stacked nitride-oxide-nitride, n/o, gate dielectrics
机译:
积极进取的p沟道mosfet,具有氮化氮氧化物氮化物,n / o / n,栅极电介质
作者:
Yide Wu
;
Gerald Lucovsky
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
29.
A Tale of Two Precursors: UHV-CVD of TiO_2 From Titanium Nitrate and Titanium Isopropoxide
机译:
两个前驱物的故事:硝酸钛和异丙氧基钛中TiO_2的UHV-CVD
作者:
Wayne L. Gladfelter
;
Charles J Taylor
;
David C. Gilmer
;
Daniel
;
G. Colombo
;
G. D. Wilk
;
Stephen A. Campbell
;
Jeff Roberts
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
30.
Modeling the dependence of the gate current on Ge content in ultrathin gate dielectric pmos devices with poly-Si_(1-x)Ge_x gate material
机译:
用多晶硅(Si_(1-x)Ge_x)栅极材料模拟栅极电流对Ge含量的依赖
作者:
A. Shanware
;
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J. J. Wortman
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
31.
Low damage nitridation of silicon oxide surfaces by remote-plasma-excited nitrogen
机译:
远程等离子体激发氮对氧化硅表面的低损伤氮化
作者:
Yoji Saito
;
Ukyo Mori
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
32.
Measuring interface state distributions in ultra-thin mos capacitors with direct tunnel current leakage
机译:
在具有直接隧道电流泄漏的超薄mos电容器中测量界面状态分布
作者:
H. Song
;
K. R. Farmer
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
33.
N_2O oxidation kinetics of ultra thin thermally grown silicon nitride: an angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy study
机译:
超薄热生长氮化硅的N_2O氧化动力学:角分辨x射线光电子能谱研究
作者:
A. Y. Mao
;
J. Lozano
;
J. M. White
;
D. L. Kwong
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
34.
Layer-by-layer oxidation of silicon surfaces
机译:
硅表面的逐层氧化
作者:
Heiji Watanabe
;
Noriyuki Miyata
;
Masakazu Ichikawa
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
35.
JVD Silicon Nitride and Titanium Oxide as Advanced Gate Dielectrics
机译:
JVD氮化硅和氧化钛作为高级栅极电介质
作者:
T.P. Ma
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
36.
Interfacial Properties of Si-Si_3N_4 formed by Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
机译:
通过远程等离子体增强化学气相沉积形成的Si-Si_3N_4的界面性质
作者:
V. Misra
;
H. Lazar
;
M. Kulkarni
;
Z. Wang
;
G. Lucovsky
;
J.R. Hauser
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
37.
High quality ultra thin cvd Si_3N_4 gate dielectrics fabricated by rapid thermal process
机译:
通过快速热处理制造的高质量超薄Cvd Si_3N_4栅极电介质
作者:
S. C. Song
;
H. F. Luan
;
M. Gardner
;
J. Fulford
;
M. Allen
;
D. L. Kwong
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
38.
Growth of thin SiO_2 by 'spike' rapid thermal oxidation
机译:
通过“尖峰”快速热氧化生长薄的SiO_2
作者:
A. T. Fiory
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
39.
H_8Si_8O_(12) Clusters on Si(100)-2xl and Gold: A Comparative Infrared Spectroscopic Study
机译:
Si(100)-2xl和金上的H_8Si_8O_(12)团簇:红外光谱比较研究
作者:
Kenneth T. Nicholson
;
Mark A. Biscotto
;
Mark M. Banaszak Holl
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
40.
Fabriccation of Ta_2O_5 Thin Films by Anodic Oxidation of Tantalum Nitride and Tantalum Silicide: Growing Mechanisms, Electrical Characterization and ULSI M-I-M Capacitor Performances
机译:
氮化钽和硅化钽的阳极氧化制备Ta_2O_5薄膜:生长机理,电学特性和ULSI M-I-M电容器性能
作者:
S.Duenas
;
H.Castan
;
J.Barbolla
;
R.R.Kola
;
P.A. Sullivan
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
41.
The effects of interfacial suboxide transition regions on direct tunneling in oxide and stacked oxide-nitride gate dielectrics
机译:
界面亚氧化物过渡区对氧化物和堆叠氧化物-氮化物栅电介质中直接隧穿的影响
作者:
H. Yang
;
H Niimi
;
Y. Wu
;
G. Lucovsky
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
42.
The influence of fluoring on various mos devices
机译:
荧光对各种mos设备的影响
作者:
G. Innertsberger
;
R. Jurk
;
Jfelsner
;
R. Kakoschke
;
B. Yuwono
;
T. Schlosser
;
W. Krautschneider
;
A. Gschwandtner
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
43.
Two step O_2/N_2O plasma annealing for the reduction of leakage current in amorphous Ta_2O_5 films
机译:
两步O_2 / N_2O等离子体退火以减少非晶Ta_2O_5膜中的漏电流
作者:
W.S. Lau
;
M.T. Chandima Perera
;
T. Han
;
N. P. Sandler
;
C.H. Tung
;
T.T. Sheng
;
P.K. Chu
;
T.C. Chong
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
44.
Tantalum Pentoxide GAte Dielectrics Formed by Tantalum Oxidation
机译:
通过钽氧化形成的五氧化二钽门电介质
作者:
C. Hobbs
;
R. Hegde
;
B. Maiti
;
R. Nagabushnam
;
L. La
;
K. Reid
;
A. Dip
;
L. Grove
;
J. Conner
;
V. Kaushik
;
L. Prabhu
;
A. Anderson
;
S. Bagchi
;
J. Mendonca
;
P. Tobin.
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
45.
Process definition for obtaining ultra-thin silicon oxides using full-wafer electrical and optical measurements
机译:
使用全晶片电学和光学测量获得超薄氧化硅的工艺定义
作者:
A. Oberhofter
;
J. Chen
;
K. Koh
;
M. Schrader
;
S. Shah
;
R. Venables
;
C. Young
;
M. Xu
;
R. Kuehn
;
K. Maher
;
D. Venables
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
46.
Photo-induced cvd of tantalum pentoxide dielectric films using an injection liquid source
机译:
使用注入液体源光诱导五氧化二钽介电薄膜的CVD
作者:
J.-Y. Zhang
;
I.W. Boyd
;
M.B. Mooney
;
P.K. Hurley
;
B.J. OSullivan
;
J.T. Beechinor
;
P.V. Kelly
;
G.M. Crean
;
J.-P. Senateur
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
47.
Properties of epitaxial SrTiO_3 thin films grown on silicon by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延在硅上生长的SrTiO_3外延薄膜的性能
作者:
Z. Yu
;
R. Droopad
;
J. Ramdani
;
J.A. Curless
;
C.D. Overgaard
;
J.M. Finder
;
K.W. Eisenbeiser
;
J. Wang
;
J.A. Hallmark
;
W.J. Ooms
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
48.
Characterisation of process variables for ultraviolet assisted injection liquid source chemical vapour deposition (uvils-cvd) of tantalum pentoxide films
机译:
五氧化钽薄膜的紫外线辅助注射液源化学气相沉积(uvils-cvd)的工艺变量表征
作者:
J.T. Beechinor
;
M.B. Mooney
;
P.V. Kelly
;
G.M. Crean
;
J.-Y. Zhang
;
I.W. Boyd
;
M. Paillous
;
C. Jimenez
;
J.-P. Senateur
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
49.
Characterization of the seed SiO_2 layer in stacked SiO_2-Ta_2O_5 gate dielectrics
机译:
堆叠式SiO_2-Ta_2O_5栅电介质中SiO_2种子层的表征
作者:
Pradip K. Roy
;
Michael A. Laughery
;
Carlos M. Chacon
;
Ayman M. Kanan
;
Thomas Daugherty
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
50.
Comparison of valence-band tunneling in pure SiO_2, composite SiO_2/Ta_2O_5, and pure Ta_2O_5, in mosfets with 1.0 nm-thick SiO_2-equivalent gate dielectrics
机译:
SiO_2等效栅电介质厚度为1.0 nm的MOSFET中纯SiO_2,复合SiO_2 / Ta_2O_5和纯Ta_2O_5的价带隧穿的比较
作者:
A. Shanware
;
H. Z. Massoud
;
E. Vogel
;
K. Henson
;
J. R. Hauser
;
J. J. Wortman
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
51.
Development of high purity one atm ozone source-its application to ultrathin SiO_2 film formation on Si substrate
机译:
高纯度一种大气压臭氧源的研制及其在硅衬底上超薄SiO_2薄膜形成中的应用
作者:
Kunihiko Koike
;
Goichi Inoue
;
Shingo Ichimura
;
Ken Nakamura
;
Akira Kurokawa
;
Hidehiko Nonaka
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
52.
Breakdown Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxides Caused by Plasma Charging
机译:
等离子体充电引起的超薄栅氧化物的击穿特性
作者:
Chi-Chun Chen
;
Horng-Chih Lin
;
Chun-Yen Chang
;
Chao-Shin Chien
;
Tiao-Yuan Huang
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
53.
Atomically smooth ultrathin oxide layers on si(113)
机译:
Si(113)上原子光滑的超薄氧化物层
作者:
H.-J. Mussig
;
J. Dabrowski
;
S. Hinrich
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
54.
Fowler-nordheim tunneling current oscillation study of interface roughness
机译:
界面粗糙度的Fowler-Nordheim隧道电流振荡研究
作者:
L. Lai
;
E.A. Irene
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
55.
Gate-prior-to-isolation cmos-technology with through-the-gate-implanted ultra-thin gate oxides
机译:
具有通过栅注入的超薄栅氧化物的栅先隔离cmos技术
作者:
Udo Schwalke
;
Christian Gruensfelder
;
Aexander Gschwandtner
;
Gudrun Innertsberger
;
Martin Kerber
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
56.
Alternate gate oxides for silicon mosfets using hich-k-dielectrics
机译:
使用hik-k电介质的硅mos的备用栅极氧化物
作者:
C. A. Billman
;
P. H. Tan
;
K. J. Hubbard
;
D. G. Schlom
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
57.
Long Range Orderin Ultra-Thin SiO_2 Grown on Ordered Si(100)
机译:
在有序Si(100)上生长的超薄SiO_2的长程有序
作者:
Q.B. Hurst
;
N. Herbots
;
J.H. Shaw
;
M.M. Foyd
;
D.J. Smith
;
R.J. Culbertson
;
M.P. Grams
;
J.D. Bradley
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
58.
Low-Temperature Formation of SiO_2 and High Dielectrics Constant Material for ULSI in 21st Century
机译:
面向21世纪ULSI的SiO_2的低温形成和高介电常数材料
作者:
Tadahiro Ohmi
;
Katsuyuki Sekine
;
Ryu Kaihara
;
Yuji Saito
;
Yasuyuki Shirai
;
Masaki Hirayama
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
59.
Low temperature formation of ultra-thin SiO_2 layers using direct oxidation method in a catalytic chemical vapor deposition system
机译:
催化化学气相沉积系统中直接氧化法低温形成超薄SiO_2层
作者:
A. Izumi
;
S. Sohara
;
M. Kudo
;
H. Matsumura
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
60.
Nitrogen profile engineering for tunnel oxynitrides
机译:
隧道氧氮化物的氮剖面工程
作者:
Taro Sugizaki
;
Yoko Tada
;
Ken-Ichi Hikazutani
;
Toshiro Nakanishi
;
Kanetake Takasaki
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
61.
Niridation by no or n_2o of Si-SiO_2 interfaces
机译:
Si-SiO_2界面的无氮化或n_2o氮化
作者:
A. P. Caricato
;
F. Cazzaniga
;
G. F. Cerofolini
;
B. Crivelli
;
M. L. Polignano
;
G. Talarida
;
S. Valeri
;
R. Zonca
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
62.
Nitrogen (N_2) implantation to suppress growth of interfacial oxide in mocvd bst and sputtered bst films
机译:
氮(N_2)注入可抑制Mobvd BST和溅射BST膜中界面氧化物的生长
作者:
Renee Nieh
;
Wen-Jie Qi
;
Yongjoo Jeon
;
Byoung Hun Lee
;
Aron Lucas
;
Laegu Kang
;
Jack C. Lee
;
Mark Gardner
;
Mark Gilmer
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
63.
Large-area pulsed laser deposition of tantalum oxide films
机译:
大面积脉冲激光沉积氧化钽薄膜
作者:
S. Boughaba
;
M. U. Islam
;
G. I. Sproule
;
M. J. Graham
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
64.
Lelectrical characterization of a double barrier direct tunneling diode structure
机译:
双势垒直接隧穿二极管结构的电气特性
作者:
E. M. Dons
;
C. S. Skowronski
;
K. R. Farmer
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
65.
High-k Dielectrics and Dual Metal Gates: Interation Issues for New CMOS Materials
机译:
高k电介质和双金属栅:新型CMOS材料的相互作用问题
作者:
B. Claflin
;
K. Flock
;
G. Lucovsky
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
66.
Incorporation and role of nitrogen during oxynitridation of silicon studied by photoelectron spectroscopy
机译:
用光电子能谱研究氮在硅的氧氮化过程中的结合作用
作者:
Masayuki Suzuki
;
Yoji Saito
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
67.
Two-band tunneling currents and stress-induced leakage in ultra-thin sio_2 films
机译:
超薄sio_2薄膜中的两带隧穿电流和应力引起的泄漏
作者:
S. Okhonin
;
A. Ils
;
D. Bouvet
;
P. Fazan
;
G. Guegan
;
S. Deleonibus
;
F. Martin
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
68.
Surface morphology of ultrathin oxide formed on Si(100)
机译:
Si(100)上形成的超薄氧化物的表面形态
作者:
T. Hattori
;
M. Fujimura
;
H. Nohira
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
69.
Process and manufacturing challenges for high-k gate stack systems
机译:
高k栅堆叠系统的工艺和制造挑战
作者:
M.C. Gilmer
;
T-YLuo
;
H.R. Huff
;
M.D. Jackson
;
S.Kim
;
G. Bersuker
;
P. Zeitzoff
;
L. Vishnubhotla
;
G.A.Brown
;
R. Amos
;
D. Brady
;
V.H. C. Watt
;
G. Gale
;
J. Guan
;
B. Nguyen
;
G. Williamson
;
P. Lysaght
;
K. Torres
;
F. Geyling
;
C.F.H. Gondran
;
J. A. Fair
;
M.T. Sch
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
70.
Formation of High Quality Oxynitride Gate Dielectrics by High Pressure Thermal Oxidation of Si in NO
机译:
在NO中Si的高压热氧化形成高质量氧氮化物栅介质。
作者:
S. C. Song
;
C. H. Lee
;
H. F. Luan D. L. Kwong
;
M. Gardner
;
J. Fulford
;
M. Allen
;
J. Bloom
;
R. Evans
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
71.
Thermal and chemical instability between iridium gate electrode and Ta_2O_5 gate dielectrics
机译:
铱栅电极和Ta_2O_5栅介质之间的热和化学不稳定性
作者:
A. Y. Mao
;
Y. M. Sun
;
J. M. White
;
D. L. Kwong
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
72.
Ultra-thin high quality silicon nitride gate dielectrics prepared by catalytic chemical vapor deposition at low temperatures
机译:
通过低温催化化学气相沉积制备的超薄高质量氮化硅栅极电介质
作者:
Hidekazu Sato
;
Akira Izumi
;
Hideki Matsumura
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
73.
Ultrathin gate oxides with shallow nitrogen implants as effective barriers to boron diffuson
机译:
带有浅氮注入的超薄栅极氧化物可有效阻挡硼扩散
作者:
Yoshi Ono
;
Yanjun Ma
;
Sheng-Teng Hsu
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
74.
Ultrathin tantalum pent-oxide films for ulst gate dielectrics
机译:
用于超薄栅极电介质的超薄五氧化二钽薄膜
作者:
Yasushiro Nishioka
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
75.
Ultrathin TiO_2 Gate Dielectric Formation by Annealing of Sputtered Ti on Nitrogen Passivated Si Substrates in Nitric Oxide Ambient
机译:
一氧化氮环境中钝化氮钝化硅衬底上溅射钛退火形成超薄TiO_2栅介电层
作者:
H. F. Luan
;
A. Y. Mao
;
S. J. Lee
;
T. Y. Luo
;
D. L. Kwong
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
76.
Structure and bonding in nitrided oxide films by sims and xps
机译:
用Sims和XPS分析氮化膜的结构和键合
作者:
S. W. Novak
;
J. R. Shalenberger
;
D. A. Cole
;
J.W. Marino
会议名称:
《》
|
1999年
77.
Self-consistent mosfet tunneling simulations-trends in the gate and substrate currents and the drain-current turnaround effect with oxide scaling
机译:
自洽的mosfet隧穿模拟-栅极和衬底电流的趋势以及氧化物缩放导致的漏极电流周转效应
作者:
H. Z. Massoud
;
J. P. Shiely
;
A. Shanware
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
78.
Sub-nanometric resolution depth profiling of ultrathin ono structures
机译:
超薄ono结构的亚纳米分辨率深度剖析
作者:
C. Radtke
;
T.D.M. Salgado
;
C. Krug
;
J. de Andrade
;
I.J.R. Baumvol
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
79.
Study of thermal stability of cvd Ta_2O_5/Si interface
机译:
cvd Ta_2O_5 / Si界面的热稳定性研究
作者:
A. Y. Mao
;
K. A. Son
;
J. M. White
;
D. L. Kwong
;
D. A. Roberts
;
R. N. Vrtis
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
|
1999年
80.
Relationship between interfacial roughness and dielectric reliability for silicon oxynitride gate dielectrics processed with nitric oxide
机译:
一氧化氮处理的氮氧化硅栅极电介质的界面粗糙度与介电可靠性之间的关系
作者:
J. Sapjeta
;
M. L. Green
;
J. P. Chang
;
P. J. Silverman
;
T. W. Sorsch
;
B. E. Weir
;
W. Gladden
;
Y. Ma
;
C. Y. Sung
;
W. N. Lennard
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
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1999年
81.
Remote plasma enhanced-metal organic chemical vapor deposition of zirconium oxide/silicon oxide alloy, (ZrO_2)_x-(SiO_2)_(1-x)(x<=0.5), thin films for advanced high-k gate dielectrics
机译:
氧化锆/氧化硅合金的远程等离子体增强金属有机化学气相沉积,(ZrO_2)_x-(SiO_2)_(1-x)(x <= 0.5),用于高级高k栅极电介质的薄膜
作者:
D. Wolfe
;
K. Flock
;
R. Therrien
;
R. Johnson
;
B. Rayner
;
L. Gunther
;
N. Brown
;
B. Claflin
;
G. Lucovsky
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
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1999年
82.
Role of sil ver doping in the improvement of electrical properties of (Ba,Sr)TiO_3 thin films
机译:
硅掺杂对改善(Ba,Sr)TiO_3薄膜电学性能的作用
作者:
Anuranjan Srivastava
;
D. Kumar
;
Rajiv K. Singh
;
Harish Venkataraman
;
William R. Eisenstadt
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
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1999年
83.
Modeling soft breakdown of ultra-thin gate oxide layers
机译:
模拟超薄栅氧化层的软击穿
作者:
Michel Houssa
;
P.W. Mertens
;
M.M. Heyns
会议名称:
《Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A.》
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1999年
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