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Thin film transistors 12
Thin film transistors 12
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1.
Thinning the active layer of TFTs
机译:
薄化TFT的有源层
作者:
M.L. Samb
;
H. Dong
;
E. Jacques
;
G. Sissoko
;
A. Seidou-Maiga
;
T. Mohammed-Brahim
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
2.
Effect of Grain Growth Control by Atmospheric Micro-Thermal- Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Strips on TFT Characteristics
机译:
非晶硅条的大气微热等离子体射流结晶控制晶粒生长对TFT特性的影响
作者:
S. Morisaki
;
S. Hayashi
;
S. Yamamoto
;
T. Nakatani
;
S. Higashi
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
3.
Characteristics of Poly-Si Thin Film Transistors with Highly Biaxially Oriented Linearly Arranged Poly-Si Thin Films Using Double Line Beam Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization
机译:
双线束连续波激光横向结晶的高双轴线性排列多晶硅薄膜多晶硅薄膜晶体管的特性
作者:
M. Yamano
;
S. I. Kuroki
;
T. Hirata
;
T. Sato
;
K. Kotani
;
T. Kikkawa
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
4.
Self-Aligned Bottom-Gate InGaZnO Thin-Film Transistor with Source and Drain Regions Formed by Selective Deposition of Fluorinated SiNx Passivation
机译:
自对准底栅InGaZnO薄膜晶体管,其源极和漏极区由选择性沉积氟化SiNx钝化形成
作者:
Mamoru Furuta
;
Jingxin Jiang
;
Gengo Tatsuoka
;
Dapeng Wang
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
5.
Analysis of Thermal Degradation in Oxide Thin Film Transistors
机译:
氧化物薄膜晶体管的热降解分析
作者:
Y. Uraoka
;
S.Urakawa
;
Y.Ishikawa
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
6.
Effect of Negative Oxygen Ions on a-IGZO Thin Films by Superimposed RF/DC Magnetron Sputtering
机译:
叠加RF / DC磁控溅射对a-IGZO薄膜上负氧离子的影响
作者:
D. H. Kim
;
J. N. Jang
;
S. B. Yoon
;
MunPyo Hong
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
7.
Solution Processed Oxide Thin Film Transistors
机译:
固溶处理氧化物薄膜晶体管
作者:
Christophe Avis
;
Jin Jang
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
8.
The Role of Passivation Layer during Thermal Annealing for Oxide Semiconductor Thin Films
机译:
钝化层在氧化物半导体薄膜热退火过程中的作用
作者:
Chi-Sun Hwang
;
Sang-Hee Ko Park
;
Sung-Heang Cho
;
Min Ki Ryu
;
Himchan Oh
;
Su Jae Lee
;
Jong-Heon Yang
;
Chunwon Byun
;
Jonghyurk Park
;
Kyung Ik Cho
;
Hye-yong Chu
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
9.
Contact Effects in Organic Thin Film Transistors with Different Device Structures
机译:
不同器件结构的有机薄膜晶体管的接触效应
作者:
L. Mariucci
;
M. Rapisarda
;
A. Valletta
;
S. Calvi
;
M. Benwadih
;
R. Coppard
;
G. Fortunate
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
10.
Crystalline Oxide Semiconductor Using CAAC-IGZO and its Application
机译:
CAAC-IGZO的晶体氧化物半导体及其应用
作者:
S. Yamazaki
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
11.
Nano-crystalline Oxide Semiconductor Materials for Display and Semiconductor Device Applications
机译:
用于显示和半导体器件应用的纳米晶氧化物半导体材料
作者:
Sanghun Jeon
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
12.
Pedagogical approach for higher education in microelectronics and nanotechnologies in France: specific actions on the thin film technologies
机译:
法国微电子学和纳米技术高等教育的教学方法:薄膜技术的具体行动
作者:
O. Bonnaud
;
T. Mohammed-Brahim
;
A. Bsiesy
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
13.
A Bottom-up SiNW AMOSFET Fabrication Approach Giving SOI Level Performance
机译:
自底向上的SiNW AMOSFET制造方法可提供SOI级性能
作者:
W. J. Nam
;
S. Pan
;
P. Garg
;
S. J. Fonash
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
14.
Fabricating High-Performance Silicon Thin-Film Transistor by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique
机译:
弯月面力介电层转移技术制备高性能硅薄膜晶体管
作者:
Kohei Sakaike
;
Muneki Akazawa
;
Akitoshi Nakagawa
;
Seiichiro Higashi
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
15.
Single-Grain Si TFTs Fabricated on a Precursor from Doctor-Blade Coated Liquid-Si
机译:
用刮刀涂液硅在前体上制成的单颗粒硅TFT
作者:
J. Zhang
;
M. Trifunovic
;
M. van der Zwan
;
H. Takagishi
;
T. Shimoda
;
R. Ishihara
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
16.
Extraction of Trap Densities in TFTs using C-V Characteristics
机译:
利用C-V特性提取TFT的陷阱密度
作者:
Mutsumi Kimura
;
Tokiyoshi Matsuda
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
17.
Improvement of Electrical Properties and Bias Stability of InGaZnO Thin-Film Transistors by Fluorinated Silicon Nitride Passivation
机译:
氟化氮化硅钝化改善InGaZnO薄膜晶体管的电性能和偏置稳定性
作者:
Jingxin Jiang
;
Toda Tatsuya
;
Gengo Tatsuoka
;
Dapeng Wang
;
Mamoru Furuta
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
18.
Drain Bias Effect on the Instability of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors under Negative Gate Bias and Illumination Stress
机译:
负偏压和照明应力下漏极偏压对非晶InGaZnO薄膜晶体管不稳定性的影响
作者:
Dapeng Wang
;
Mai Phi Hung
;
Jingxin Jiang
;
Tatsuya Toda
;
Mamoru Furuta
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
19.
Effects of the Bombardment of Negative Oxygen Ions on Gate Bias Stability of InGaZnO Thin Film Transistors
机译:
负氧离子轰击对InGaZnO薄膜晶体管栅极偏置稳定性的影响
作者:
D. H. Kim
;
S. B. Yoon
;
MunPyo Hong
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
20.
Interpretation of Defect States in Sputtered IGZO Devices Using I-V and C-V Analysis
机译:
使用I-V和C-V分析解释溅射IGZO器件中的缺陷状态
作者:
T. Mudgal
;
N. Walsh
;
N. Edwards
;
R.G. Manley
;
K.D. Hirschman
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
21.
Flash Lamp Annealing Effect on Stability of Oxide TFT
机译:
闪光灯退火对氧化物TFT稳定性的影响
作者:
S. J. Moon
;
K. M. Yu
;
S. H. Jeong
;
J. Y. Kim
;
B. K. Kim
;
H. J Kim
;
E. J. Yun
;
B. S. Bae
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
22.
Gate Insulator for High Mobility Oxide TFT
机译:
高迁移率氧化物TFT的栅极绝缘体
作者:
S.-H. K. Park
;
H.-O. Kim
;
S. H. Cho
;
M. K. Ryu
;
J. H Yang
;
J. B. Ko
;
C. S. Hwang
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
23.
Thin Film Transistors As Driving Devices for Attached Devices
机译:
薄膜晶体管作为连接设备的驱动设备
作者:
Yue Kuo
;
Geng Wei Chang
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
24.
Flexible Sensors Based on Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor
机译:
基于低温多晶硅薄膜晶体管的柔性传感器
作者:
G. Fortunate
;
L. Maiolo
;
F. Maita
;
A. Minotti
;
S. Mirabella
;
V. Strano
;
G. Metta
;
D. Ricci
;
A. Pecora
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
25.
Nonvolatile Memory device using mobile protons via insertion hydrogen neutral beam treatment process between SiO_2 deposition processes at room temperature
机译:
室温下通过SiO_2沉积工艺在插入氢中性束处理工艺中使用移动质子的非易失性存储器件
作者:
Jin Nyoung Jang
;
Dong Hyeok Lee
;
Sanghun Jeon
;
Jeunghak Park
;
MunPyo Hong
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
26.
PREFACE
机译:
前言
作者:
Yue Kuo
会议名称:
《Thin film transistors 12》
|
2014年
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