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Conference on Gallium Nitride Materials and Devices
Conference on Gallium Nitride Materials and Devices
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1.
Growth of bulk GaN by HVPE on pressure grown seeds
机译:
HVPE对压力种植的散装GaN的生长
作者:
I. Grzegory
;
B. Lucznik
;
M. Bockowski
;
B. Pastuszka
;
M. Krysko
;
G. Kamler
;
G. Nowak
;
S. Porowski
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
low dislocation density GaN;
pressure grown GaN seeds;
bulk GaN by HVPE;
2.
Direction Dependent Homoepitaxial Growth and Bandgap of GaN Nanowires
机译:
方向依赖于颈纳米线的同性恋生长和带隙
作者:
Mahendra K Sunkara
;
Hongwei Li
;
Alan H. Chin
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
gallium nitride;
nanowires;
homo-epitaxy;
surface diffusion;
3.
Direction dependent homoepitaxial growth and bandgap of GaN nanowires
机译:
方向依赖于颈纳米线的同性恋生长和带隙
作者:
Mahendra K. Sunkara
;
Hongwei Li
;
Alan H. Chin
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
gallium nitride;
nanowires;
homo-epitaxy;
surface diffusion;
4.
Growth of bulk GaN by HVPE on pressure grown seeds
机译:
HVPE对压力种植的散装GaN的生长
作者:
I. Grzegory
;
B. Lucznik
;
M. Bokowski
;
B. Pastuszka
;
M. Kry?ko
;
G. Kamler
;
G. Nowak
;
S. Porowski
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
low dislocation density GaN;
pressure grown GaN seeds;
bulk GaN by HVPE;
5.
Investigation of the strain distribution of GaN/AlN wurtzite structure material self-organized truncated pyramid shaped quantum dot
机译:
甘/ AlN纯钛结构材料应变分布的研究自组织截短金字塔形量子点
作者:
Yumin Liu
;
Zhongyuan Yu
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
quantum dots;
strain;
GaN/AIN;
low dimension strucgture;
6.
Characterization of GaN epitaxial films grown on SiN_x and TiN_x porous network templates
机译:
SIN_X和TIN_X多孔网络模板上生长的GAN外延膜的特征
作者:
J. Xie
;
Y. Fu
;
UE. Oezguer
;
Y. T. Moon
;
F.Yun
;
H. Morkoc
;
H. O. Everitt
;
A. Sagar
;
R. M. Feenstra
;
C. K. Inoki
;
T. S. Kuan
;
L. Zhou
;
D. J. Smith
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
MOCVD;
SiN_x;
TiN_x;
porous network;
dislocation;
SEM;
TEM;
XRD;
TPRL;
7.
Investigation the strain distribution of GaN/AlN Wurtzite structure material self-organized truncated pyramid shaped quantum dot
机译:
调查GaN / AlN纯矿石结构材料的应变分布自组织截短金字塔形量子点
作者:
Yumin Liu
;
Zhongyuan Yu
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
quantum dots;
strain;
GaN/AlN;
low dimension structure;
8.
Growth and characterization of AlInN/GaInN quantum wells for high-speed intersubband devices at telecommunication wavelengths
机译:
电信波长高速梭井器件alinn / Gainn量子阱的生长与表征
作者:
C. Skierbiszewski
;
G. Cywinski
;
M. Siekacz
;
A. Feduniewicz-Zmuda
;
L. Nevou
;
L. Doyennette
;
M. Tchernycheva
;
F. H. Julien
;
J. Smalc
;
P. Prystawko
;
M. Krysko
;
S. Grzanka
;
I. Grzegory
;
J. Z. Domagala
;
T. Remmele
;
M. Albrecht
;
S. Porowski
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
intersubband absorption;
molecular beam epitaxy;
superlattices;
GaN;
9.
Characterization of GaN epitaxial films grown on SiNx and TiNx porous network templates
机译:
SINX和TINX多孔网络模板生长的GAN外延薄膜的特征
作者:
J. Xie
;
Y. Fu
;
U. Ozg
;
Y. T. Moon
;
F. Yun
;
H. Morko
;
H. O. Everitt
;
A. Sagar
;
R. M. Feenstra
;
C. K. Inoki
;
T. S. Kuan
;
L. Zhou
;
D. J. Smith
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
MOCVD;
SiN;
TiN;
Prous Network;
Dislocation;
SEM;
TEM;
XRD;
TPRL;
10.
Growth and characterization of AlInN/GaInN quantum wells for high-speed intersubband devices at telecommunication wavelengths
机译:
电信波长高速梭井器件alinn / Gainn量子阱的生长与表征
作者:
C. Skierbiszewski
;
G. Cywiński
;
M. Siekacz
;
A. Feduniewicz-Zmuda
;
L. Nevou
;
L. Doyennette
;
M. Tchernycheva
;
F. H. Julien
;
J. Smalc
;
P. Prystawko
;
M. Kryko
;
S. Grzanka
;
I. Grzegory
;
J. Z. Domagaa
;
T. Remmele
;
M. Albrecht
;
S. Porowski
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
intersubband absorption;
molecular beam epitaxy;
superlattices;
GaN;
11.
GROWTH AND CHARACTERIZATION OF AlGaN/GaN EPITAXIAL LAYERS BY MOCVD ON SIC SUBSTRATES FOR RF DEVICE APPLICATIONS
机译:
MoCVD在RF器件应用中MOCVD对AlGaN / GaN外延层的生长和表征
作者:
Ashok K. Sood
;
Raj winder Singh
;
Yash R. Puri
;
Frederick W. Clarke
;
Oleg Laboutin
;
Paul M. Deluca
;
Roger E. Welser
;
Jie Deng
;
James C. M. Hwang
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
12.
Growth and characterization of AlGaN/GaN epitaxial layers by MOCVD on SiC substrates for RF device applications
机译:
MoCVD在RF器件应用中MOCVD对AlGaN / GaN外延层的生长和表征
作者:
Ashok K. Sood
;
Rajwinder Singh
;
Yash R. Puri
;
Frederick W. Clarke
;
Oleg Laboutin
;
Paul M. Deluca
;
Roger E. Wesler
;
Jie Deng
;
James C. M. Hwang
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
13.
Solar-blind AlGaN 256?256 p-i-n detectors and focal plane arrays
机译:
太阳盲ALGAN 256?256 P-I-N探测器和焦平面阵列
作者:
M. B. Reine
;
A. Hairston
;
P. Lamarre
;
K. K. Wong
;
S. P. Tobin
;
A. K. Sood
;
C. Cooke
;
M. Pophristic
;
S. Guo
;
B. Perez
;
R. Singh
;
C. R. Eddy Jr
;
U. Chowdhury
;
M. M. Wong
;
R. D. Dupuis
;
T. Li
;
S. P. DenBaars
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
AlGaN;
solar-blind detectors;
UV detectors;
UV photodiodes;
UV Focal Plane Arrays;
14.
Review of recent efforts on the growth and characterization of nitride-based diluted magnetic semiconductors
机译:
回顾近期氮化物基稀磁半导体的增长和表征的努力
作者:
Matthew H. Kane
;
Martin Strassburg
;
Ali Asghar
;
Nola Li
;
Will Fenwick
;
Ian T. Ferguson
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
spintronics;
diluted magnetic semiconductor;
GaMnN;
ferromagnetic semiconductor;
MOCVD;
15.
Deep UV AlGaN light emitting diodes grown by gas source molecular beam epitaxy on sapphire and AlGaN/sapphire substrates
机译:
Sapphire和AlGaN / Sapphire基材上的气源分子束外延生长的深紫色AlGaN发光二极管
作者:
S. Nikishin
;
B. Borisov
;
V. Kuryatkov
;
A. Usikov
;
V. Dmitriev
;
M. Holtz
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
16.
Recovery of GaN surface after reactive ion etching
机译:
反应离子蚀刻后的GaN表面恢复
作者:
Qian Fan
;
S. Chevtchenko
;
Xianfeng Ni
;
Sang-Jun Cho
;
Hadis Morkoc
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
17.
Studies of electron trapping in III-nitride semiconductors
机译:
III-氮化物半导体电子捕获的研究
作者:
Olena Lopatiuk
;
Andrei Osinsky
;
Eden Prairie MN 55344 USA
;
Leonid Chernyak
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
III-nitrides;
p-type GaN;
electron trapping;
acceptors;
diffusion length;
cathodoluminescence;
18.
Recovery of GaN surface after reactive ion etching
机译:
反应离子蚀刻后的GaN表面恢复
作者:
Qian Fan
;
S. Chevtchenko
;
Xianfeng Ni
;
Sang-Jun Cho
;
Hadis Morko
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
19.
Studies of electron trapping in Ⅲ-nitride semiconductors
机译:
Ⅲ-氮化物半导体电子捕获的研究
作者:
Olena Lopatiuk
;
Andrei Osinsky
;
Leonid Chernyak
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
Ⅲ-nitrides;
p-type GaN;
electron trapping;
acceptors;
diffusion length;
cathodoluminescence;
20.
Solar-blind AlGaN 256x256 p-i-n detectors and focal plane arrays
机译:
太阳盲ALGAN 256x256 P-I-N探测器和焦平面阵列
作者:
M. B. Reine
;
A. Hairston
;
P. Lamarre
;
K. K. Wong
;
S. P. Tobin
;
A. K. Sood
;
C. Cooke
;
M. Pophristic
;
S. Guo
;
B. Perez
;
R. Singh
;
C. R. Eddy Jr.
;
U. Chowdhury
;
M. M. Wong
;
R. D. Dupuis
;
T. Li
;
S. P. DenBaars
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
AlGaN;
solar-blind detectors;
UV detectors;
UV photodiodes;
UV focal plane arrays;
21.
Review of Recent Efforts on the Growth and Characterization of Nitride-based Diluted Magnetic Semiconductors
机译:
回顾近期氮化物基稀磁半导体的增长和表征的努力
作者:
Matthew H. Kane
;
Martin Strassburg
;
Ali Asghar
;
Nola Li
;
Will Fenwick
;
Ian T. Ferguson
;
SPIE-The International Society for Optical Engineering
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
spintronics;
diluted magnetic semiconductor;
GaMnN;
ferromagnetic semiconductor;
MOCVD;
22.
Deep UV AlGaN light emitting diodes grown by gas source molecular beam epitaxy on sapphire and AlGaN/sapphire substrates
机译:
Sapphire和AlGaN / Sapphire基材上的气源分子束外延生长的深紫色AlGaN发光二极管
作者:
S. Nikishin
;
B. Borisov
;
V. Kuryatkov
;
A. Usikov
;
V. Dmitriev
;
M. Holtz
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
23.
Carrier screening effect in AlGaN quantum-well avalanche photodiode
机译:
Algan量子井雪崩光电二极管中的载体筛选效果
作者:
Sheng-Kun Zhang
;
Wubao Wang
;
Robert R. Alfano
;
Amir. M. Dabiran
;
Andrew M. Wowchak
;
Peter P. Chow
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Carrier screening;
polarization field;
AlGaN avalanche diode;
quantum well;
24.
Improved Surface Morphology and Edge Definition for OhmicContacts to AlGaN/GaN Heterostructures
机译:
改善欧姆联系的表面形态和边缘定义到AlGaN / GaN异质结构
作者:
Yung-Ling Lan
;
Hung-Cheng Lin
;
Hsueh-Hsing Liu
;
Geng-Yen Lee
;
Fan Ren
;
Stephen J.Pearton
;
Mao-Nan Chang
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
ohmic contacts;
AlGaN/GaN heterostructures;
Surface morphology;
thermal stability;
25.
Investigation of vertical current-voltage characteristics ofAl(Ga)N/GaN RTD-like heterostructures
机译:
垂直电流 - 电压特性的研究(GA)N / GaN RTD样异质结构
作者:
J. Lee
;
Q. Fan
;
X. Ni
;
U. Ozgur
;
V. Litvinov
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
RTD-like vertical double barrier structure;
GaN/A1N in situ SiN nanonetwork;
MOCVD;
26.
Nitride-based p-i-n photodetectors with Ni catalyst processing
机译:
基于氮化物的P-I-N光电探测器,具有Ni催化剂加工
作者:
Chin-Hsiang Chen
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Nitride;
pin;
photodetectors;
Ni;
catalyst;
27.
Characteristics of Narrow-bandgap InN Semiconductors Grown on Ga-Polarand N-Polar GaN Templates by Pulsed Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
机译:
脉冲冶金汽相外延在GA-PIALAND N极GaN模板上生长的窄带凝思半导体的特点
作者:
Hongping Zhao
;
Hua Tong
;
Alexandra M. Driscoll
;
Muhammad Jamil
;
G. S. Huang
;
Nelson Tansu
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
MOVPE;
InN;
Photoluminescence;
Band gap;
28.
Recent development of nitride LEDs and LDs
机译:
最近的氮化物LED和LD的发展
作者:
Atsuo Michiue
;
Takashi Miyoshi
;
Tomoya Yanamoto
;
Tokuya Kozaki
;
Shin-ichi Nagahama
;
Yukio Narukawa
;
Masahiko Sano
;
Takao Yamada
;
Takashi Mukai
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
GaN;
InGaN;
White-LED;
Blue-LD;
efficiency;
high-power LD;
29.
GaN-based vertical cavities on highly reflective and crack-free nitridedistributed Bragg reflectors
机译:
GaN基垂直腔在高度反射和无裂缝型硝化分布式布拉格反射器上
作者:
X. Ni
;
R. Shimada
;
T. D. Kang
;
J. H. Leach
;
U. Ozgur
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
vertical cavity;
distributed Bragg reflectors;
crack-free;
high reflectivity;
selective growth;
30.
Growth of high quality AlN on sapphire by using a low-temperatureAlN interlayer
机译:
利用低温中间夹层使用低温对蓝宝石的高品质ALN的生长
作者:
Hsueh-Hsing Liv
;
Guan-Ting Chen
;
Yung-Ling Lan
;
Geng-Yen Lee
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
31.
Reduction of efficiency droop in InGaN-based blue LEDs
机译:
基于InGaN的蓝色LED效率下垂的减少
作者:
X. Ni
;
X. Li
;
J. Xie
;
Q. Fan
;
R. Shimada
;
Ozgur
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Light emitting diodes;
efficiency droop;
multiple quantum well;
InGaN;
p-type doping;
hole injection;
32.
Temperature Dependence of Blue InGaN Lasers
机译:
蓝色ingan激光的温度依赖性
作者:
Stefanie Bruninghoff
;
Sonke Tautz
;
Matthias Sabathil
;
Desiree Queren
;
Stephan Lutgen
;
Uwe Strauβ
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
InGaN Laser;
temperature behavior;
wall plug efficiency;
33.
Nitride Laser Diode Arrays
机译:
氮化物激光二极管阵列
作者:
K. Holc
;
M. Leszczynski
;
T. Suski
;
R. Czernecki
;
H. Braun
;
U. Schwarz
;
P. Perlin
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
laser arrays;
laser bars;
mini arrays;
gallium nitride lasers;
nitride arrays;
34.
Improved hydrogen detection sensitivity of a Pt/Ga_20_3/GaN diode
机译:
改进了Pt / Ga_20_3 / GaN二极管的氢检测灵敏度
作者:
Jheng-Tai Yan
;
Chun-Yen Tseng
;
Chia-Hsun Chen
;
Ching-Ting Lee
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Ga_2O_3;
GaN;
hydrogen;
MIS;
sensors;
diodes;
35.
Growth and characterization of isotopic~nat Ga~(l5N) by molecular-beamepitaxy
机译:
分子绝缘分子分子〜Nat Ga〜(L5N)的生长和表征
作者:
Yong-zhao Yao
;
Takeshi Ohgaki
;
Kenji Matsumoto
;
Isao Sakaguchi
;
Yoshiki Wada
;
HajimeHaneda
;
Takashi Sekiguchi
;
Naoki Ohashi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
gallium nitride;
isotope;
molecular-beam epitaxy;
36.
Ferroelectric field effect transistor with a double-gatestructure on AlGaN/GaN heterostructures
机译:
具有双牙龈性的铁电场效应晶体管在AlGaN / GaN异质结构上
作者:
Bo Xiao
;
Jinqiao Xie
;
Vitaliy Avrutin
;
Qian Fan
;
Mo Wu
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
FeFET;
MODFET;
lead zirconate titanate;
nitride;
heterostructure;
ferroelectricmemory;
nonvolatile memory;
37.
Array of GaN-based Transverse-Junction Blue Light Emitting Diodeswith Regrown n-Type Regimes
机译:
GaN基横向结蓝光发光二极管阵列重新开始N型制度
作者:
Shi-Hao Guol
;
H.-W. Huang
;
C.S. Lin
;
J.-K. Sheu
;
C.-J. Tin
;
C.-H. Kuo
;
Jin-Wei Shi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Light emitting diode;
Gallium nitride;
38.
Light Extraction Improvement of GaN-based Light EmittingDiodes using Patterned Undoped GaN Bottom Reflection Gratings
机译:
采用图案未掺杂的GaN底部反射光栅的GaN的光发光多氧二极管的光提取改进
作者:
Simeon Trieu
;
Xiaomin Jin
;
Bei Zhang
;
Tao Dai
;
Kui Bao
;
Xiang-Ning Kang
;
Guo-Yi Zhang
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Gallium Nitride;
light-emitting-diode;
grating;
39.
Surface charge lithography for GaN micro- and nanostructuring
机译:
GaN微型和纳米结构的表面电荷光刻
作者:
Ion M. Tiginyanu
;
Veaceslav Popa
;
Andrei Sarua
;
Peter J. Heard
;
Olesea Volciuc
;
MartinKuball
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Nanostructuring;
GaN;
photoelectrochemical etching;
focused ion beam;
nanowires;
suspended membranes;
maskless device fabrication;
40.
Surface control of GaN alloys for photonic and electronic devices
机译:
光子和电子设备GaN合金的表面控制
作者:
Tamotsu Hashizume
;
Nanako Shiozaki
;
Kota Ohi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
photonic;
electronic devices;
Surface control;
41.
Transient current spectroscopy of lattice matchedInAlN/AlN/GaN HFETs for identification of traps resulting ingate lag
机译:
晶格匹配的瞬时电流光谱法/ ALN / GaN HFET,用于捕获陷阱的陷阱滞后
作者:
J. H. Leach
;
Q. Fan J. Xie
;
M. Wu
;
U.Ozgur
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
identification;
spectroscopy;
lattice matched;
42.
Effect of ambient on electrical and optical properties of GaN
机译:
环境对GaN的电气和光学性质的影响
作者:
M.A. Reshchikov
;
M. Foussekis
;
A.A. Baski
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
GaN;
surface photovoltage;
SPV;
band-bending;
SKPM;
43.
Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE
机译:
通过ECR-MBE制造定位控制的INN NANOCTUMNS
作者:
T. Araki
;
D. Fukuoka
;
H. Tamiya
;
S. Harui
;
T. Yamaguchi
;
H. Miyakec
;
K. Hiramatsu
;
Y. Nanishi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
InN;
nanocolumn;
MBE;
FIB;
44.
Multiple functional UV devices based on III-Nitride quantum wellsfor biological warfare agent detection
机译:
基于III-氮化物量子阱的多功能UV器件为生物战层检测
作者:
Qin Wang
;
Susan Savage
;
Sirpa Persson
;
Bertrand Noharet
;
Stephane Junique
;
Jan Y. Andersson
;
Vytautas Liuolia
;
Saulius Marcinkeviclus
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
III-Nitride quantum wells;
UV photodiode and biological warfare agent detection;
45.
Employment of III-Nitride/Silicon Heterostructures forDual-Band UV/IR Photodiodes
机译:
使用III-氮化物/硅异质结构辅助带UV / IR光电二极管
作者:
R. Pillai
;
D. Starikov
;
C. Boney
;
A. Bensaoula
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Dual-Band UV/IR Photodiodes;
Employment;
Heterostructures;
46.
Fabrication technique for moth-eye structure using low-energyelectron-beam projection lithography for high-performance blue-light-emitting diode on SiC substrate
机译:
用于在SiC基板上使用低电能电射线投影光刻的蛾眼结构的制造技术,用于在SiC基板上的高性能蓝色发光二极管
作者:
T. Seko
;
S. Mabuchi
;
F. Teramae
;
A. Suzuki
;
Y. Kaneko
;
R. Kawai
;
S. Kamiyama
;
M. Iwaya
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
moth-eye;
SiC;
LED;
nitride;
light extraction;
periodic cone;
electron beam;
47.
Femtosecond pump-probe characterization of high-pressure grownAlGa_(1-x)N single crystals
机译:
FemtoSecond泵 - 探针表征高压生成(1-x)n单晶
作者:
Jie Zhang
;
A. Belousov
;
S. Katrych
;
J. Jun
;
J. Karpinski
;
B. Batlogg
;
Roman Sobolewski
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Al_xGa_(1-x)N single crystals;
wide-bandgap semiconductors;
femtosecond pump-probe spectroscopy;
two-photon absorption;
optical autocorrelation;
48.
Current Spreading and Its Related Issuesin GaN-based Light Emitting Diodes
机译:
基于GaN的发光二极管的当前传播及其相关问题
作者:
Jong-In Shim
;
Joosun Yun
;
Hyunsung Kim
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
current spreading;
circuit modeling;
electrostatic discharge;
internal quantum efficiency;
time-resolvedphotoluminescence;
49.
Employment of III-Nitride/Silicon Heterostructures forDual-Band UV/IR Photodiodes
机译:
使用III-氮化物/硅异质结构辅助带UV / IR光电二极管
作者:
R. Pillai
;
D. Starikov
;
C. Boney
;
A. Bensaoula
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Heterostructures;
Employment;
semiconductor materials;
50.
Green light emission from selectively grown InGaN multiplequantum well stripes oriented along 111-201 direction
机译:
绿色光源从有选择性地增长的IngaN QuantiQualum井条纹沿111-201方向定向
作者:
W Feng
;
V. V. Kuryatkov
;
M. Pandikunta
;
S. A. Nikishin
;
M. Holtz
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
InGaN;
selective epitaxy;
pyramidal stripes;
green emission;
cathodoluminescence;
51.
Improvement in Light Extraction Efficiency ofHigh Brightness InGaN-Based Light Emitting Diodes
机译:
高亮度Ingan基发光二极管光提取效率的提高
作者:
Tzer-Perng Chen
;
Ta-Cheng Hsu
;
Chuan-yu Luo
;
Ming-Chi Hsu
;
Tsung-Xian Lee
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
InGaN;
LED;
internal quantum efficiency;
light extraction efficiency;
surface texturing;
52.
Investigation of the electrical activity of V-defects in GaNusing scanning force microscopy
机译:
对扫描力显微镜术中V缺陷电活动的研究
作者:
Andre Lochthofen
;
Wolfgang Mertin
;
Gerd Bacher
;
Lutz Hoeppel
;
Stefan Bader
;
Jurgen Off
;
Berthold Hahn
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
V-defect;
GaN;
Kelvin Probe Force Microscopy;
Conductive Atomic Force Microscopy;
53.
AlGaN/GaN HEMT And ZnO Nanorod-Based Sensors for ChemicalAnd Bio-Applications
机译:
基于AlGaN / GaN HEMT和ZnO纳米棒的化学和Bio-Application传感器
作者:
B. H. Chu
;
B.S. Kang
;
H.T. Wang
;
C. Y. Chang
;
T. Lele
;
Y. Tseng
;
A. Goh
;
A. Sciullo
;
W. S.Wu
;
J.n Lin
;
B.P. Gila
;
S.J. Pearton
;
J.W. Johnson
;
E.L. Piner
;
K.J. Linthicum
;
F. Ren
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Nanorod-Based;
Chemical;
AlGaN/GaN HEMT;
54.
Blue GaN-based vertical cavity surface emitting lasers by CW currentinjection at 77K.
机译:
基于蓝GaN的垂直腔表面发射激光在77K时CW射击射击器。
作者:
H. C. Kuo
;
S. W. Chen
;
T. T. Kao
;
C. C. Kao
;
J. R. Chen
;
T. C. Lu
;
S. C. Wang
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
GaN;
VCSEL;
DBR;
electrical pumping;
55.
Wurtzitic semiconductors heterostructures grown on (hk..) orientedsubstrates: the interplay between spontaneous and piezoelectricpolarization fields, elastic energy and the modification of QuantumConfined Stark Effect.
机译:
Wurtzitic半导体异质结构在(HK ..)定向上升:自发性和压电分子化场之间的相互作用,弹性能量和量子整合颗粒效应的改性。
作者:
Bernard Gil
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
nitride semiconductors;
quantum confined stark effect;
semi polar substrates;
non polar substrates;
polarsubstrates elastic energy;
piezoelectricity;
pyroelectricity;
56.
Terahertz emission and spectroscopy on InN epilayer andnanostructure
机译:
Inn Epilayer Andnanostructure的太赫兹排放和光谱
作者:
H. Ahn
;
C.-L.Pan
;
S. Gwo
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Indium Nitride;
nanostructures;
THz emission;
THz time-domain spectroscopy;
non-Drude model;
57.
Recent Advances of High Voltage AlGaN/GaN Power HFETs
机译:
高压AlGaN / GaN功率HFET的最新进展
作者:
Yasuhiro Uemoto
;
Tetsuzo Ueda
;
Tsuyoshi Tanaka
;
Daisuke Ueda
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
GaN;
high voltage;
low on-state resistance;
normally-off;
hole injection;
Si;
sapphire;
via hole;
laser drill;
58.
High-power AIGaN/GaN HFETs on Si substratesfor power-switching applications
机译:
SI基板上的高功率AIGAN / GAN HFETs用于电源切换应用
作者:
Nariaki Ikeda
;
Jiang Lee
;
Syuusuke Kaya
;
Masayuki Iwami
;
Takehiko Nomura
;
Sadahiro Katoh
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
GaN HFETs;
Si substrate;
current collapse;
59.
Electrical defects in AlGaN and InAIN
机译:
Algan和Inain的电气缺陷
作者:
D. Johnstone
;
Jacob H. Leach
;
Vladimir A. Kovalskii
;
Qian Fan
;
Jingqiao Xie
;
HadisMorkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
nitride semiconductor;
InAIN;
AlGaN;
deep level defects;
DLTS;
TAS;
60.
Piezoelectric Quantum 1/f Noise in AlGaN HFETs and Reliability
机译:
AlGaN HFET的压电量子1 / F噪声和可靠性
作者:
Peter H. Handel
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
Piezoelectric Quantum 1/f noise;
AlGaN/GaN HFETs optimiztion and reliability;
Noise in HFETs andMODFETs;
1/f noise-based FET/HFET reliability optimization and testing;
61.
Design of insulator/AlGaN structures in MIS AlGaN/GaN HFETsfor higher device performance
机译:
在MIS AlGaN / GaN HFETs中的绝缘子/ AlGaN结构设计更高的设备性能
作者:
Narihiko Maeda
;
Masanobu Hiroki
;
Takatomo Enoki
;
Takashi Kobayashi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
GaN-based HFET;
AlGaN/GaN HFET;
MIS HFET;
insulated-gate;
Al_2O_3/Si3N4;
channel doping;
insulatorengineering;
62.
Multi-color light-emitting diodes based on GaN microstructures
机译:
基于GaN微结构的多色发光二极管
作者:
M. Funato
;
Y. Kawakami
;
Y. Narukawa
;
T. Mukai
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
InGaN/GaN quantum wells;
light-emitting diodes;
micro-facetted structures;
multi-color emission;
external control of emission color;
63.
Growth and conductivity control of high quality AlGaNand its application to high-performance ultraviolet laser diodes
机译:
高品质Alganand的生长和电导控制其在高性能紫外激光二极管中的应用
作者:
H. Amano
;
K. Nagamatsu
;
K. Takeda
;
T. Mori
;
H. Tsuzuki
;
M. Iwaya
;
S. Kamiyama
;
I. Akasaki
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
AlGaN;
ELO;
AIN;
High temperature MOVPE;
UV LD;
64.
Emission of biased green quantum wells in time and wavelength domain
机译:
在时间和波长域中发射偏置的绿色量子阱
作者:
Ulrich T. Schwarz
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
InGaN LED;
efficiency;
droop;
rate equations;
built—in potential;
Auger losses;
65.
Growth of high-quality large GaN crystal by Na flux LPE method.
机译:
Na Flux LPE方法的高质量大GaN晶体的生长。
作者:
F. Kawamura
;
M. Imade
;
M. Yoshimura
;
Y. Mori
;
Y. Kitaoka
;
T. Sasaki
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
GaN;
Single crystal;
Substrate;
Na flux;
LPE;
66.
Hot phonons in InAlN/A1N/GaN heterostructure 2DEGchannels
机译:
Inaln / A1N / GaN异质结构2degChannels中的热声
作者:
Arvydas Matulionis
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
microwave noise;
two-dimensional electron gas;
high electric field;
hot phonons;
GaN-based channels1;
67.
Two dimensional electron gas in GaN heterojunction field effect transistorsstructures with AIN spacer
机译:
GaN异质结场效应晶体管结构中的二维电子气体与AIN垫片
作者:
Qian Fan
;
Jacob H. Leach
;
Jinqiao Xie
;
Umit Ozgur
;
Hadis Morkoc
;
L. Zhou
;
D. J. Smith
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
transistors;
dimensional electron;
spacer layer parameters;
68.
Predicting the performance of a power amplifier using large-signalcircuit simulations of an AlGaN/GaN HFET model
机译:
使用AlGaN / GaN HFET模型的大信号电路模拟预测功率放大器的性能
作者:
Griff L. Bilbro
;
Danqiong Hou
;
Hong Yin
;
Robert J. Trew
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
GaN;
HFET;
HEMT;
modeling;
microwave;
large-signal;
simulation;
69.
222-282 nm AlGaN and InAlGaN based deep-UV LEDs fabricated onhigh-quality AlN template
机译:
222-282 NM AlGan和InalGan基于深紫色LED,制造了高质量的ALN模板
作者:
Hideki Hirayama
;
Norimichi Noguchi
;
Sachie Fujikawa
;
Jun Norimatsu
;
Norihiko Kamata
;
Takayoshi Takano
;
Kenji Tsubaki
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
deep-UV LED;
AlGaN;
A1N;
quaternary InAlGaN;
threading dislocation density;
MOCVD;
70.
Room temperature polariton lasing in III-nitride microcavities, acomparison with blue GaN-based vertical cavity surface emittinglasers
机译:
室温偏振片在III族氮化物微腔中,具有蓝色GaN的垂直腔表面发射器的Acomparison
作者:
Raphael Butte
;
Gabriel Christmann
;
Eric Feltin
;
Antonino Castiglia
;
Jacques Levrat
;
GatienCosendey
;
Alexei Altoukhov
;
Jean-Francois Carlin
;
Nicolas Grandjean
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2009年
关键词:
III-nitride;
GaN;
microcavity;
room temperature;
VCSEL;
laser;
strong coupling regime;
polariton;
71.
Output Power Enhancement of Light Emitting Diodes with Defect Passivation layer
机译:
具有缺陷钝化层的发光二极管的输出功率提高
作者:
Ming-Hua Lo
;
Po-Min Tu
;
Yuh-Jen Cheng
;
Chao-Hsun Wang
;
Cheng-Wei Hung
;
Shih-Chieh Hsu
;
Hao-Chung Kuo
;
Hsiao-Wen Zan
;
Shing-Chung Wang
;
Chun-Yen Chang
;
Che-Ming Liu
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
GaN;
defect passivation;
72.
Plasmon-assisted dissipation of LO-mode heat in nitride 2DEG channels
机译:
氮化物2deg通道中的LO模式热的等离子体辅助耗散
作者:
Arvydas Matulionis
;
Juozapas Liberis
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
microwave noise;
two-dimensional electron gas;
high electric field;
hot phonons;
GaN-based channels;
73.
Efficiency retention at high current injection levels in m-plane InGaN light emitting diodes
机译:
M平面IngaN发光二极管中高电流注入水平的效率保留
作者:
X. Li
;
X. Ni
;
J. Lee
;
M. Wu
;
U. Ozgiir
;
H. Morkoc
;
T. Paskova
;
G. Mulholland
;
K.R. Evans
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
m-plane GaN;
light emitting diodes;
internal quantum efficiency;
external quantum efficiency;
InGaN;
74.
Effect of UV exposure on the surface charge behavior for GaN
机译:
紫外线暴露对GaN的表面充电行为的影响
作者:
M. Foussekis
;
J. D. Ferguson
;
X. Ni
;
H. Morkoc
;
M. A. Reshchikov
;
A. A. Baski
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
GaN;
surface photovoltage;
SPV;
band-bending;
SKPM;
75.
Internal quantum efficiency of m-plane InGaN on Si and GaN
机译:
Si和GaN上的M平面Ingan的内部量子效率
作者:
J. Lee
;
X. Ni
;
M. Wu
;
X. Li
;
R. Shimada
;
U.Ozgur
;
A. A. Baski
;
H. Morkoc
;
T. Paskova
;
G. Mulholland
;
K.R. Evans
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
Light emitting didoes;
m-plane GaN;
internal quantum efficiency;
GaN on Si;
76.
Performance improvement of InGaN-based laser diodes by epitaxial layer structure design
机译:
外延层结构设计的IngaN基激光二极管性能改进
作者:
Jianping Liu
;
Yun Zhang
;
Zachary Lochner
;
Seong-Soo Kim
;
Hyunsoo Kim
;
Jae-Hyun Ryou
;
Shyh-Chiang Sheil
;
P. Doug Yoder
;
Russell D. Dupuis
;
Qiyuan Wei
;
Kewei Sun
;
Alec Fischer
;
Fernando Ponce
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
laser diodes;
InGaN waveguide layers;
metalorganic chemical vapor deposition;
77.
The Comprehensive Characteristics of Quaternary AlInGaN with Various TMI Molar Rate
机译:
各种TMI摩尔率的第四纪化工率的综合特征
作者:
Sheng-Fu Yu
;
Shoou-Jinn Chang
;
Sheng-Po Chang
;
Ray-Ming Lin
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
AlInGaN;
MOCVD;
lattice-matched;
78.
Achieving p-In_xGa_(1-x)N alloys with high In contents
机译:
实现高分内容高的p-in_xga_(1-x)n合金
作者:
B. N. Pantha
;
A. Sedhain
;
J. Li
;
J. Y. Lin
;
H. X. Jiang
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
InGaN;
p-type doping;
acceptor energy level;
MOCVD;
Hall Effect measurement;
PL;
79.
Development of high-power UV LEDs for epoxy curing applications
机译:
用于环氧固化应用的高功率UV LED的开发
作者:
W.H. Liu
;
C.F. Chu
;
C.C. Cheng
;
K.H.Hsu
;
Y.T. Chung
;
Y.K.Wang
;
C.C. Li
;
J.Y. Chu
;
F.H. Fan
;
H.C. Cheng
;
Y.W. Chen
;
Y.H. Chang
;
L.W.Shan
;
T.Doan
;
C. Tran
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
UV LED;
VLED;
UV Curing;
80.
Analytical methods to study loss mechanisms and lifetime investigations of blue InGaN laser diodes
机译:
用于研究损失机制的分析方法和蓝色Ingan激光二极管的寿命研究
作者:
J. Muller
;
G. Bruderl
;
M. Schillgalies
;
A. Breidenassel
;
S. Tautz
;
D. Dini
;
T. Lermer
;
S. Lutgen
;
U. StrauB
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
InGaN laser;
degradation;
81.
Novel Device Concepts for High Efficiency InGaN-Based Light-Emitting Diodes
机译:
高效IngaN的发光二极管的新型设备概念
作者:
Hongping Zhao
;
Guangyu Liu
;
Yik-Khoon Ee
;
Xiao-Hang Li
;
Hua Tong
;
Jing Zhang
;
G.S. Huang
;
Nelson Tansu
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
III-Nitride;
InGaN QWs;
light emitting diodes;
MOCVD epitaxy;
light extraction efficiency;
82.
Non-polar m-plane GaN film and polarized InGaN/GaN LED grown on LiAlO_2 (001) substrates
机译:
在Lialo_2(001)基板上生长的非极性M平面GaN薄膜和偏光Ingan / GaN LED
作者:
R. Zhang
;
Z.L. Xie
;
B. Liv
;
X.Q. Xiu
;
D.Y. Fu
;
Z. Zhang
;
P. Han
;
Y.D. Zheng
;
S. M. Zhou
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
non-polar GaN;
k p Hamiltonian approach;
anisotropic strain;
polarized InGaN/GaN LED;
polarization degree;
83.
Magnetic Cages of GaN Nanoclusters Doped with Gd and Nd
机译:
GaN纳米能器的磁笼掺杂有GD和ND
作者:
Vijay Kumar
;
John M. Zavada
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
Magnetic Cages;
GaN;
Nd;
84.
Original GaN-based LED structure on ZnO template by MOCVD
机译:
MoCVD原始GaN基于GaN模板的LED结构
作者:
Ray-Ming Lin
;
Sheng-Fu Yu
;
Miin-Jang Chen
;
Wen-Ching Hsu
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
ZnO;
LED;
MOCVD;
85.
Analytical Calculation of the Quantum 1/f Coherence Parameter for HFETs
机译:
HFETS量子1 / F相干参数的分析计算
作者:
Peter H. Handel
;
Taher S. Sherif
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
Quantum 1/f noise;
Quantum 1/f Effect;
HFET;
FET;
MODFET;
HEMT;
Coherence;
86.
Enhancement of light extraction efficiency on blue light-emitting diodes by moth-eye structure
机译:
通过蛾眼结构提高蓝色发光二极管的光提取效率
作者:
T. Kondo
;
A. Suzuki
;
F. Teramae
;
T. Kitano
;
Y. Kaneko
;
R. Kawai
;
K. Teshima
;
S. Maeda
;
S. Kamiyama
;
M. Iwaya
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
moth-eye structure;
SiC;
LED;
nitride;
light extraction;
periodic cone;
electron beam lithography;
87.
On carrier spillover in c- and m-plane InGaN Light Emitting Diodes
机译:
在C-和M平面Ingan发光二极管中的载体溢出
作者:
J. Lee
;
X. Li
;
X. Ni
;
U.Ozgur
;
H. Morkoc
;
T. Paskova
;
G. Mulholland
;
K.R. Evans
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
Light emitting didoes;
m-plane GaN;
internal quantum efficiency;
carrier spillover;
88.
Ab initio study of structural properties for zincblende AlInN: Comparison of LDA and GGA
机译:
AB Initio Zincblende Alinn结构性质研究:LDA和GGA的比较
作者:
Bo-Ting Liou
;
Bang-Yenn Wu
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
Zincblende AlInN;
ab initio;
LDA;
GGA;
lattice constant;
bulk modulus;
89.
Non-polar m-plane GaN on patterned Si(112) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属化学气相沉积图案化Si(112)衬底上的非极性M平面GaN
作者:
X. Ni
;
M. Wu
;
J. Lee
;
X. Li
;
A. A. Baski
;
U. Ozgiir
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
m-plane;
non-polar;
nitride;
MOCVD;
Si;
internal quantum efficiency;
90.
Reduction in operating voltage of UV laser diode
机译:
UV激光二极管的工作电压的降低
作者:
Tomoki Ichikawa
;
Kenichiro Takeda
;
Yuji Ogiso
;
Kengo Nagata
;
Motoaki Iwaya
;
Satoshi Kamiyama
;
Hiroshi Amano
;
Isamu Akasaki
;
Harumasa Yoshida
;
Masakazu Kuwabara
;
Yoji Yamashita
;
Hirofumi Kan
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
AlGaN;
GaN;
ultraviolet;
laser diodes;
operating voltage;
91.
Molecular Beam Epitaxial Growth, Fabrication, and Characterization of InN/Si Nanowire Heteroj unction Solar Cells
机译:
Inn / Si纳米线杂核空调太阳能电池的分子束外延生长,制造和表征
作者:
Yi-Lu Chang
;
Zetian Mi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
indium nitride;
solar cell;
nanowire;
and monolithic integration;
92.
Role of Interface Roughness on Lateral Transport in InGaN/GaN LEDs: diffusion length, dislocation spacing, and radiative efficiency
机译:
界面粗糙度在IngaN / GaN LED中横向运输的作用:扩散长度,位错间距和辐射效率
作者:
I-Lin Lu
;
Yuh-Renn Wu
;
John M. Hinkley
;
Jasprit Singh
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
LEDs;
Interface;
dislocation spacing;
93.
Growth of self-standing GaN substrates
机译:
自站立GaN基板的生长
作者:
Hyun-Jae Lee
;
Katsushi Fujii
;
Takenari Goto
;
Chinkyo Kim
;
Jiho Chang
;
Soon-Ku Hong
;
Meoungwhan Cho
;
Takafumi Yao
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
HVPE;
GaN substrate;
Self-separation;
Evaporable buffer layer;
94.
InGaN light emitting diodes with highly transparent ZnO:Ga electrodes
机译:
IngaN发光二极管具有高度透明的ZnO:GA电极
作者:
H.Y. Liu
;
X. Li
;
X. Ni
;
V. Avrutin
;
U Ozgur
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
InGaN;
transparent conductive oxide;
GZO;
ZnO;
multiple quantum well;
light emitting diodes;
current crowding;
95.
Comparison of different template structures for high quality and selfseparation thick GaN growth
机译:
不同模板结构对高质量和自析厚GaN生长的比较
作者:
Yen-Hsiang Fang
;
Chu-Li Chao
;
Tung-Wei Chi
;
Kuei-Ming Chen
;
Po-Chun Liu
;
Jenq-Dar Tsay
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
Air-bridges;
nanorods;
thermal expansion;
lattice mismatch;
96.
Realization of high efficiency AlGaInN-based ultraviolet light emitters
机译:
基于高效藻类的紫外光发光器实现
作者:
Seong-Ran JEON
;
Sung-Jai LEE
;
In-Ki KANG
;
Jai Bum KIM
;
Nam Hwang
;
Sung-Jin SON
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
Quaternary AlGaInN;
ultraviolet light-emitting diode;
defect;
internal quantum efficiency;
97.
Nano-ultrasonic based on GaN nano-layers
机译:
基于GaN纳米层的纳米超声波
作者:
Chi-Kuang Sun
;
Yu-Chieh Wen
;
Yi-Hsin Chen
;
Kung-Hsuan Lin
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
Nanoultrasonics;
GaN;
piezoelectricity;
nanoacoustic waves;
98.
Scanning near-field optical spectroscopy of AlGaN-based light emitting diodes
机译:
扫描基于Algan的发光二极管的近场光谱
作者:
Andrea Pinos
;
Saulius Marcinkevicius
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
AlGaN;
UV light emitting diodes;
scanning near-field optical spectroscopy;
99.
Thermal Conductivity Measurement of Pulsed-MOVPE InN Alloy Grown on GaN / Sapphire by 3ω Method
机译:
用3Ω方法在GaN / Sapphire上生长的脉冲 - Movpe Inn合金的导热率测量
作者:
Hua Tong
;
Jing Zhang
;
Hongping Zhao
;
Guangyu Liu
;
Vincent A. Handara
;
Juan A. Herbsommer
;
Nelson Tansu
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
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2010年
关键词:
thermal conductivity;
InN;
GaN;
thermoelectric;
Pulsed-MOVPE;
3ω method;
extended slope technique;
100.
Transmission electron microscopy and XRD investigations of InAlN/GaN thin heterostructures for HEMT applications
机译:
透射电子显微镜和XRD调查对HEMT应用的Inaln / GaN薄异质结构
作者:
Arantxa Vilalta-Clemente
;
Magali Morales
;
Marie P. Chauvat
;
Yadira Arroyo-Rojas Dasilva
;
Marie A. Poisson
;
Michael Heuken
;
Christoph Giesen
;
Pierre Ruterana
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2010年
关键词:
InAlN;
HEMT;
TEM;
XRD;
Dislocation;
AFM;
strain;
heterostructures;
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