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International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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1.
Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation
机译:
通过电子束辐射在A平面上的4H-SIC外延层中扩展基底平面位错
作者:
Masaki Sudo
;
Yukari Ishikawa
;
Yong-Zhao Yao
;
Yoshihiro Sugawara
;
Masashi Kato
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
basal plane dislocation;
single Shockley stacking fault;
4H-SíC;
A-plane;
electron beam irradiation;
2.
Effect of the Growth Conditions on the Crystal Quality in Solution Growth of SiC Using Cr Solvent without Molten Si
机译:
生长条件对溶液溶液溶液生长液体质量的影响,无熔融Si
作者:
Koki Suzuki
;
Koangyong Hyun
;
Toshinori Taishi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Solution growth;
SiC;
Metal solvent without molten Si;
Polytype;
3.
Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs
机译:
在4H碳化硅MOSFET中确定性能相关的捕获电荷
作者:
Fabian Rasinger
;
Gregor Pobegen
;
Thomas Aichinger
;
Heiko B. Weber
;
Michael Krieger
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC MOSFET;
post oxidation anneal;
TDRC;
electron trapping;
interface defects;
4.
A High Current Gain 4H-SiC BJT of Novel Epitaxial Passivation Structure
机译:
新型外延钝化结构的高电流增益4H-SIC BJT
作者:
Yourun Zhang
;
Wen Wang
;
Mingye Li
;
Fei Guo
;
Juntao Li
;
Xuan Li
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
interface states;
current gain;
bipolar junction transistor;
5.
Evaluation of the Effect of Ultraviolet Light Excitation during Characterization of Silicon Carbide Epitaxial Layers
机译:
碳化硅外延层表征期间紫外光激发效果的评价
作者:
Hrishikesh Das
;
Swapna Sunkari
;
Oener Akdik
;
Andrei Konstantinov
;
Krister Gumaelius
;
Jan-Olov Svedberg
;
Fredrik Allerstam
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
defect scanning;
ultra-violet excitation;
photoluminescence;
surface treatment;
surface passivation;
6.
Suppression of Polytype Transformation with Extremely Low-Dislocation-Density 4H-SiC Crystal in Two-Step Solution Method
机译:
两步溶液法中具有极低脱位密度的4H-SIC晶体的多型转化的抑制
作者:
Kenta Murayama
;
Shunta Harada
;
Fumihiro Fujie
;
Xinbo Liu
;
Ryota Murai
;
Can Zhu
;
Kenji Hanada
;
Miho Tagawa
;
Toru Ujihara
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Top-seeded solution growth;
Step-flow growth;
Polytype transformation;
7.
Addressing the Properties of Ultranano- and Microcrystalline CVD Diamond Films Grown on 4H-SiC Substrates
机译:
解决在4H-SIC基材上生长的超自升和微晶CVD金刚石薄膜的性质
作者:
M.A. Fraga
;
A. Contin
;
G.S. Savonov
;
D.C. Barbosa
;
R.S. Pessoa
;
V.J. Trava Airoldi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
CVD diamond;
4H-SiC;
morphology;
structure;
electrical resistivity;
8.
Solution Growth of SiC from the Crucible Bottom with Dipping under Unsaturation State of Carbon in Solvent
机译:
从坩埚底部溶液生长溶液在溶剂的不饱和状态下浸渍
作者:
T. Taishi
;
M. Takahashi
;
N. Tsuchimoto
;
K. Suzuki
;
K. Hyun
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC bulk crystal;
Solution growth;
Dipping;
Saturation of carbon;
Polytype;
9.
Chemical Trend in Band Structure of 3d-Transition-Metal-Doped AIN Films
机译:
3D-过渡金属掺杂AIN薄膜带结构的化学趋势
作者:
Nobuyuki Tatemizo
;
Saki Imada
;
Yoshio Miura
;
Koji Nishio
;
Toshiyuki Isshiki
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
AIN;
3d-transition-metal;
Intermediate band material;
Density functional theory;
10.
Formation of the Uniform Interface Ni/4H-SiC Ohmic Contact with Titanium as Barrier Layer
机译:
形成均匀接口Ni / 4H-SiC欧姆接触钛作为阻挡层
作者:
Moonkyong Na
;
In Ho Kang
;
Jeong Hyun Moon
;
Wook Bahng
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Ohmic contact;
Nickel;
Titanium;
Contact interface;
11.
Origin Analysis and Elimination of Obtuse Triangular Defects in 4° off 4H-SiC Epitaxy
机译:
4H-SIC外延4°中4°OFF的原点分析和消除钝的三角形缺陷
作者:
K.L. Mao
;
Y.M. Wang
;
B. Li
;
G.Y. Zhao
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon Carbide;
Obtuse Triangular Defects;
Confocal Microscope;
Photoluminescence;
12.
Growth Conditions and In Situ Computed Tomography Analysis of Facetted Bulk Growth of SiC Boules
机译:
SiC槽围攻散装生长的增长条件和原位计算断层扫描分析
作者:
Matthias Arzig
;
Michael Salamon
;
Norman Uhlmann
;
Berthil A. Johansen
;
Peter J. Wellmann
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
In situ CT;
facet;
supersaturation;
anisotropic lateral growth;
packing density;
13.
Study on NO Passivation on the Near Interface Electron and Hole Traps of N-Type 4H-SiC MOS Capacitors by Ultraviolet Light
机译:
紫外光近型4H-SIC MOS电容器近接口电子和孔阱的钝化研究
作者:
Yifan Jia
;
Hongliang Lv
;
Xiaoyan Tang
;
Qingwen Song
;
Yimen Zhang
;
Yuming Zhang
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC MOS capacitors;
NO passivation;
near interface electron traps;
near interface hole traps;
14.
Growth of 150 mm 4H-SiC Epitaxial Layer by a Hot-Wall Reactor
机译:
通过热壁反应器生长150mm 4h-SiC外延层
作者:
Yongqiang Sun
;
Gan Feng
;
Junyong Kang
;
Weining Qian
;
Yiyang Li
;
Kaixi Li
;
Jian H. Zhao
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
150 mm 4H-SiC;
hot-wall reactor;
surface morphology;
15.
The Effect of Stepped Wall of the Graphite Crucible in Top Seeded Solution Growth of SiC Crystal
机译:
石墨坩埚阶梯壁在SiC晶体冠状溶液生长中的效果
作者:
Su-Hun Choi
;
Young-Gon Kim
;
Yun-Ji Shin
;
Seong-Min Jeong
;
Myung-Hyun Lee
;
Chae-Young Lee
;
Jeong-Min Choi
;
Mi-Seon Park
;
Yeon-Suk Jang
;
Won-Jae Lee
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon Carbide;
Crystal Growth;
TSSG;
Crucible modification;
Carbon concentration;
16.
Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs
机译:
在4H-SiC MOSFET中嵌入单光子源的氧化过程依赖性
作者:
Yuta Abe
;
Takahide Umeda
;
Mitsuo Okamoto
;
Shinobu Onoda
;
Moriyoshi Haruyama
;
Wataru Kada
;
Osamu Hanaizumi
;
Ryoji Kosugi
;
Shinsuke Harada
;
Takeshi Ohshima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
single photon source;
MOSFET;
MOS interface;
confocal microscope;
17.
Comparison of Single- and Double-Trench UMOSFETs in 4H-S1C
机译:
4H-S1C中的单沟和双沟UMOSFET的比较
作者:
Madankumar Sampath
;
Dallas T. Morisette
;
James A. Cooper
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
silicon carbide;
trench MOSFET;
UMOSFET;
18.
Impact of a Kelvin Source Connection on Discrete High Power SiC-MOSFETs
机译:
Kelvin源连接对离散高功率SiC-MOSFET的影响
作者:
Christian Bodeker
;
Edgar Ayerbe
;
Nando Kaminski
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC;
MOSFET;
Kelvin Source Connection;
Switching Losses;
Loss Reduction;
19.
Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs Under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V
机译:
通过使用-5V的栅极脱机电压抑制100kHz栅极开关操作下的SiC-MOSFET的PBTI
作者:
Eiichi Murakami
;
Takahiro Furuichi
;
Tatsuya Takeshita
;
Kazuhiro Oda
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC-MOSFET;
reliability;
PBTI;
near-interfacial trap;
interface states;
20.
Effects of Parasitic Region in SiC Bipolar Junction Transistors on Forced Current Gain
机译:
SiC双极连接晶体管寄生区域对强制电流增益的影响
作者:
Satoshi Asada
;
Jun Suda
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC BJT;
conductivity modulation;
forced current gain;
base spreading resistance;
parasitic region;
hole injection;
21.
Triangular Defects Reduction and Uniformity Improvement of 4H-SíC Epitaxial Growth in a Planetary Reactor
机译:
三角缺陷减少和均匀性改善行星反应器中的4H-Síc外延生长
作者:
Weili Lu
;
Jia Li
;
Yulong Fang
;
Jiayun Yin
;
Zhihong Feng
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC;
Epitaxy;
Triangular defects;
Planetary reactor;
22.
The Effect of Nitrogen on the 4H-SiC/SiO_2 Interface Studied with Variable Resonance Frequency Spin Dependent Charge Pumping
机译:
用可变共振频率自旋依赖电荷泵研究氮气对4H-SiC / SiO_2接口的影响
作者:
Mark A. Anders
;
Patrick M. Lenahan
;
Aivars J. Lelis
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Nitrogen;
Interface;
Defects;
Magnetic Resonance;
23.
In Situ Synchrotron X-Ray Topography Observation of Double-Ended Frank-Read Sources in PVT-Grown 4H-SiC Wafers
机译:
原位同步X射线地形观察PVT-生长的4H-SiC晶片中的双端坦率读取源
作者:
Yu Yang
;
Jianqiu Guo
;
Balaji Raghothamachar
;
Michael Dudley
;
Swetlana Weit
;
Andreas N. Danilewsky
;
Patrick J. McNally
;
Brian K. Tanner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
in-situ studies;
Frank-Read source;
heat treatment;
X-ray topography;
24.
Immobilization Phenomenon of Partials Surrounding Double Shockley Stacking Faults in Heavily Nitrogen Doped 4H-SiC Crystal with Thermal Anneal
机译:
围绕双震撼堆叠故障的偏离偏离掺杂4H-SIC晶体的偏离偏离的偏离的偏离现象
作者:
Naohiro Sugiyama
;
Hiromasa Suo
;
Kazuma Eto
;
Yuichiro Tokuda
;
Isaho Kamata
;
Norihiro Hoshino
;
Tomohisa Kato
;
Hidekazu Tsuchida
;
Hajime Okumura
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
double Shockley stacking fault;
immobilization;
partial dislocation;
expansion velocity;
thermal annealing;
photoluminescence;
Hall measurement;
synchrotron x-ray topography;
25.
Automated Mapping of Micropipes in SiC Wafers Using Polarized-Light Microscope
机译:
使用偏振光显微镜在SiC晶片中自动映射
作者:
Sean McGuire
;
Robert Blasi
;
Ping Wu
;
Efstathios Loukas
;
Ejiro Emorhokpor
;
Svetoslav Dimov
;
Xueping Xu
;
Jianqiu Guo
;
Yu Yang
;
Balaji Raghothamachar
;
Mlichael Dudley
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Micropipe Density;
Micropipe;
Defect Counting;
Non-Destructive;
Characterization;
SiC;
26.
Diffusion of the Carbon Vacancy in a-Cut and c-Cut n-Type 4H-SiC
机译:
碳空位扩散在A-CUT和C-CUT N型4H-SIC中
作者:
Marianne E. Bathen
;
Hussein M. Ayedh
;
Lasse Vines
;
lldiko Farkas
;
Erik Janzén
;
Bengt G. Svensson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
Carbon Vacancy;
Anisotropic Diffusion;
Migration Energies;
DLTS;
27.
Structural Characterization of the Growth Front of 4H-SiC Boules Grown Using the Physical Vapor Transport Growth Method
机译:
使用物理蒸汽输送生长方法生长的4H-SiC槽的生长正面的结构表征
作者:
Masashi Sonoda
;
Kentaro Shioura
;
Takahiro Nakano
;
Noboru Ohtani
;
Masakazu Katsuno
;
Hiroshi Tsuge
;
Shinya Sato
;
Tatsuo Fujimoto
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
(0001) facet;
high resolution x-ray diffraction;
x-ray topography;
surface morphology;
28.
Temperature-Dependence Study of the Gate Current SiO_2/4H-SiC MOS Capacitors
机译:
栅极电流SiO_2 / 4H-SIC MOS电容的温度依赖性研究
作者:
Patrick Fiorenza
;
Marilena Vivona
;
Ferdinando lucolano
;
Andrea Severino
;
Simona Lorenti
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
MOS capacitors;
gate current;
deposited SiO_2;
Fowler-Nordheim tunneling;
29.
Characterization of Inhomogeneity in Thermal Oxide SiO_2 Films on 4H-SiC Epitaxial Substrates by a Combination of Fourier Transform Infrared Spectroscopy and Cathodoluminescence Spectroscopy
机译:
通过傅里叶变换红外光谱和阴极发光光谱的组合表征4H-SiC外延衬底上的热氧化物SiO_2膜的惰性性
作者:
Masanobu Yoshikawa
;
Keiko Inoue
;
Junichiro Sameshima
;
Hirohumi Seki
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Characterization of inhomogeneity;
thermal oxide SiO_2 films;
4H-SiC epitaxial substrates;
Fourier transform infrared spectroscopy and cathodoluminescence spectroscopy;
30.
Influence of Triangular Defects on the Electrical Characteristics of 4H-SiC Devices
机译:
三角缺陷对4H-SIC器件电气特性的影响
作者:
J. Schoeck
;
H. Schlichting
;
B. Kallinger
;
T. Erlbacher
;
M. Rommel
;
A.J. Bauer
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Defects;
Diode;
VDMOS;
Photoluminescence;
Triangular Defect;
Wafer Inspection;
31.
Continuous Compact Model of a SiC VDMOSFET Based on Surface Potential Theory
机译:
基于表面电位理论的SiC VDMOSFET的连续紧凑模型
作者:
Beat Jager
;
Yanrui Ju
;
Roger Stark
;
Ulrike Grossner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon Carbide;
VDMOSFET;
Compact Model;
Continuous Model;
Surface Potential;
Charge Based;
Interface Traps;
Quasi-Fermi Potential;
32.
Suppression of Short-Circuit Current with Embedded Source Resistance in SiC-MOSFET
机译:
SiC-MOSFET中嵌入源电阻短路电流的抑制
作者:
Hideyuki Hatta
;
Takaaki Tominaga
;
Shiro Hino
;
Naruhisa Miura
;
Shingo Tomohisa
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC-MOSFET;
Short circuit;
Temperature dependence;
33.
Development of Solvent Inclusion Free 4H-SiC Off-Axis Wafer Grown by the Top-Seeded Solution Growth Technique
机译:
溶剂夹杂物的开发通过顶播溶液生长技术生长的溶剂夹杂物免费的4H-SiC脱轴晶片
作者:
K. Kusunoki
;
K. Seki
;
Y. Kishida
;
H. Kaido
;
K. Moriguchi
;
H. Daikoku
;
M. Kado
;
T. Shirai
;
M. Akita
;
H. Saito
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Solution growth;
4H-SiC;
Solvent inclusion free;
Morphological instability;
34.
TCAD Modeling of a 1200 V SiC MOSFET
机译:
TCAD在SIC MOSFET中的1200型建模
作者:
K. Lee
;
B. Buono
;
M. Domeij
;
J. Franchi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
MOSFET;
TCAD simulation;
Channel mobility;
Temperature;
35.
Depth Profiling of Carrier Lifetime in Thick 4H-SiC Epilayers Using Two-Photon Absorption
机译:
使用双光子吸收的厚4H-SiC脱落器中载体寿命的深度分析
作者:
N.A. Mahadik
;
R.E. Stahlbush
;
P.B. Klein
;
A. Khachatrian
;
S. Buchner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Carrier lifetime profiling;
Silicon Carbide;
36.
Short-Circuit Capability of SiC Cascode
机译:
SiC Cascode的短路能力
作者:
X. Li
;
A. Bhalla
;
P. Alexandrov
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC;
Cascode;
Short-circuit;
Normally-on JFET;
TCAD simulation;
37.
Cross-Section Doping Topography of 4H-SiC VJFETs by Various Techniques
机译:
各种技术的4H-SIC VJFET的横截面掺杂形貌
作者:
K. Tsagaraki
;
M. Nafouti
;
H. Peyré
;
K. Vamvoukakis
;
N. Makris
;
M. Kayambaki
;
A. Stavrinidis
;
G. Konstantinidis
;
M. Panagopoulou
;
D. Alquier
;
K. Zekentes
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SEM;
SSRM;
Silicon Carbide;
TSI-VJFET;
SIMS;
SCM;
38.
Lifetime Enhancement of 4H-SiC PiN Diodes Using High Temperature Oxidation Treatment
机译:
使用高温氧化处理的4H-SiC引脚二极管的寿命增强
作者:
Y. Bonyadi
;
P.M. Gammon
;
O. Alatise
;
R. Bonyadi
;
P.A. Mawby
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
PiN diode;
Carrier Lifetime Enhancement;
Thermal Oxidation;
Clamped Inductive switching;
Forward and Reverse l-V Characteristics;
39.
Design and Manufacturing of 1200V SiC JBS Diodes with Low On-State Voltage Drop and Reverse Blocking Leakage Current
机译:
1200V SIC JBS二极管的设计与制造,具有低导通电压下降和反向阻塞漏电流
作者:
Woongje Sung
;
Kijeong Han
;
B. J. Baliga
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC;
4H-SiC;
Junction Barrier Schottky (JBS) Diode;
Floating Field Rings;
Junction Termination Extension;
Forward Voltage Drops;
Reverse Blocking Leakage Current;
40.
Optimization of 150 mm 4H SiC Substrate Crystal Quality
机译:
优化150 mm 4h SiC衬底晶体质量
作者:
Ian Manning
;
Gilyong Chung
;
Edward Sanchez
;
Yu Yang
;
Jianqiu Guo
;
Ouloide Goue
;
Balaji Raghothamachar
;
Michael Dudley
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
silicon carbide;
4H polytype;
stress reduction;
stacking faults;
wafer bow;
wafer warp;
lattice bending;
power electronics;
bulk crystal growth;
150 mm;
physical vapor transport;
41.
Effect of High Temperature Forming Gas Annealing on Electrical Properties of 4H-SiC Lateral MOSFETs with Lanthanum Silicate and ALD SiO_2 Gate Dielectric
机译:
高温成型气退火对镧硅酸盐的4H-SiC横向MOSFET电性能的影响和ALD SiO_2栅极电介质
作者:
Minseok Kang
;
Kevin Lawless
;
Bongmook Lee
;
Veena Misra
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Lanthanum Silicate;
Atomic layer deposition;
Forming Gas Annealing;
42.
Defects and Polytype Instabilities
机译:
缺陷和PolyType稳定性
作者:
J?rg Pezoldt
;
Andrei Alexandrovich Kalnin
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Polytypism;
phase transition;
dislocation interaction;
43.
Structural Quality, Polishing and Thermal Stability of 3C-SiC/Si Templates
机译:
3C-SIC / SI模板的结构质量,抛光和热稳定性
作者:
Marcin Zielinski
;
Sylvain Monnoye
;
Hugues Mank
;
Catherine Moisson
;
Thierry Chassagne
;
Adrien Michon
;
Marc Portail
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
3C-SiC;
epitaxy;
polishing;
annealing;
44.
Study of Temperature-Dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers
机译:
4H-SiC结障肖特基整流器的温度依赖机制及特性研究
作者:
Yidan Tang
;
Xinyu Liu
;
Yun Bai
;
Shengxu Dong
;
Shaodong Xu
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
on-resistance;
leakage current;
barrier height;
tunneling;
ideality factor;
45.
Analysis of 3-Dimensional 4H-SiC MOS Capacitors Grown by Atomic Layer Deposition of Al_2O_3
机译:
AL_2O_3原子层沉积的三维4H-SIC MOS电容分析
作者:
M. I. Idris
;
N. G. Wright
;
A. B. Horsfall
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
3-Dimentional;
4H-SiC;
Al_2O_3;
sidewall;
interface state density;
ALD;
46.
Hot Filament CVD Growth of 4H-SiC Epitaxial Layers
机译:
4H-SIC外延层的热长丝CVD生长
作者:
Bart Van Zeghbroeck
;
H. Robinson
;
R. R. Brow
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4C-SiC;
Hot filament;
CVD;
epitaxy;
SEM;
AFM;
Raman;
HRXRD;
47.
Reliability of SiC Power Devices against Cosmic Ray Neutron Single-Event Burnout
机译:
宇宙雷中子单事件烧坏的SIC电源设备的可靠性
作者:
Daniel J. Lichtenwalner
;
Akin Akturk
;
James McGarrity
;
Jim Richmond
;
Thomas Barbieri
;
Brett Hull
;
Dave Grider
;
Scott Allen
;
John W. Palmour
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
single-event-burnout (SEB);
cosmic ray failure;
silicon carbide (SiC);
MOSFET;
diode;
48.
Comparison of 3C-SiC and 4H-SiC Power MOSFETs
机译:
3C-SIC和4H-SIC功率MOSFET的比较
作者:
B. Van Zeghbroeck
;
H. Fardi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
3C-SiC;
MOSFET;
on-resistance;
Power;
switching;
losses;
49.
Effect of Design Variations and N_2O Annealing on 1.7kV 4H-SiC Diodes
机译:
设计变化和N_2O退火对1.7kV 4H-SIC二极管的影响
作者:
Y.K. Sharma
;
H. Jiang
;
C. Zheng
;
X. Dai
;
I. Deviny
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC;
JBS diode;
N20 annealing;
Hybrid SiC;
IGBT;
50.
Impact of Cell Layout and Device Structure on On-Voltage Reduction of 6.5-kV n-Channel SiC IGBTs
机译:
电池布局和器件结构对6.5 kV n沟道SiC IGBT的电压降低的影响
作者:
Naoki Watanabe
;
Hiroyuki Yoshimoto
;
Akio Shima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
IGBT;
n-channel;
low conduction loss;
ultra-high voltage;
cell layout;
51.
Effect of Electron Irradiation on Electrical and Electroluminescent Properties of n~+p 4H-SiC Structures
机译:
电子照射对N〜+ P 4H-SIC结构的电气和电致发光性能的影响
作者:
Anatoly M. Strelchuk
;
Anton E. Kalyadin
;
Alexander A. Lebedev
;
Vitali V. Kozlovski
;
Leonid P. Romanov
;
Victor A. Petrov
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
pn structures;
p-base;
electron irradiation;
defect luminescence;
edge luminescence;
IR luminescence;
recombination current;
52.
Influence of Aluminum Incorporation on Mechanical Properties of 3C-SiC Epilayers
机译:
铝掺入对3C-SiC脱壁术机械性能的影响
作者:
Jean-Fran?ois Michaud
;
Marcin Zielinski
;
Jaweb Ben Messaoud
;
Thierry Chassagne
;
Marc Portail
;
Daniel Alquier
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
3C-SiC;
stress;
cantilevers;
deflection;
aluminum;
p-type doping;
53.
Electrical Properties of Schottky-Diodes Based on B Doped Diamond
机译:
基于B掺杂钻石的肖特基二极管的电气特性
作者:
T. Erlbacher
;
A. Huerner
;
Y. Zhu
;
L. Bach
;
A. Schletz
;
V. Zuerbig
;
L. Pinti
;
L. Kirste
;
C. Giese
;
C.E. Nebel
;
A.J. Bauer
;
L. Frey
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Monocrystalline diamond;
Schottky diode;
diamond device;
device modelling;
Schottky barrier lowering;
ideality factor;
54.
Short-Circuit Robustness of SiC Trench MOSFETs
机译:
SIC沟槽MOSFET的短路鲁棒性
作者:
Ronald Green
;
Damian Urciuoli
;
Aivars Lelis
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC MOSFET;
trench gate;
short-circuit withstand time;
MOSFET robustness;
55.
Impact of Embedding Schottky Barrier Diodes into 3.3 kV and 6.5 kV SiC MOSFETs
机译:
将肖特基势垒二极管嵌入到3.3 kV和6.5 kV SiC MOSFET中的影响
作者:
Koutarou Kawahara
;
Shiro Hino
;
Koji Sadamatsu
;
Yukiyasu Nakao
;
Toshiaki Iwamatsu
;
Shuhei Nakata
;
Shingo Tomohisa
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
embedded SBD;
unipolar current;
bipolar degradation;
body diode;
56.
Analysis of Forward Surge Performance of SiC Schottky Diodes
机译:
SiC肖特基二极管前浪涌性能分析
作者:
Rahul Radhakrishnan
;
Nathanael Cueva
;
Tony Witt
;
Richard Woodin
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon Carbide;
SiC;
Diode;
Schottky;
JBS;
MPS;
SBD;
Surge;
Reliability;
57.
Simulations of Heterostructures Based on 3C-4H and 6H-4H Silicon Carbide Polytypes
机译:
基于3C-4H和6H-4H碳化硅聚型的异质结构模拟
作者:
M. Haroon Rashid
;
Ants Koel
;
Toomas Rang
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
polytypes;
heterostructures;
direct bonding;
3C-SiC;
4H-SiC;
6H-SiC;
58.
Effect of High Energy Electron Irradiation on Electrical and Noise Properties of 4H-SiC Schottky Diodes
机译:
高能电子照射对4H-SIC肖特基二极管电气和噪声性能的影响
作者:
A.A. Lebedev
;
V.V. Kozlovski
;
M.E. Levinshtein
;
S.L. Rumyantsev
;
J.W. Palmour
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Schottky diode;
electron irradiation;
low frequency noise;
59.
Surge Driven Evolution of Schottky Barrier Height on 4H-SiC JBS Diodes
机译:
4H-SIC JBS二极管上肖特基势垒高度的激增驱动的演变
作者:
B. Asllani
;
J.B. Fonder
;
P. Bevilacqua
;
D. Planson
;
L.V. Phung
;
P. Brosselard
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
JBS;
Schottky barrier;
Surge Cycling;
Barrier heigh evolution;
Contact annealing;
60.
Role of Trench Bottom Shielding Region on Switching Characteristics of 4H-SiC Double-Trench MOSFETs
机译:
沟槽底部屏蔽区域对4H-SIC双沟MOSFET开关特性的作用
作者:
Shinya Kyogoku
;
Katsuhisa Tanaka
;
Keiko Ariyoshi
;
Ryosuke lijima
;
Yusuke Kobayashi
;
Shinsuke Harada
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
Trench;
MOSFET;
Double-trench;
On-resistance;
Switching loss;
61.
Growth of 4H-SiC Epitaxial Layer through Optimization of Buffer Layer
机译:
通过缓冲层优化的4H-SiC外延层的生长
作者:
N. Piluso
;
A. Severino
;
R. Anzalone
;
M.A. Di Stefano
;
E. Fontana
;
M. Salanitri
;
S. Lorenti
;
A. Campione
;
P. Fiorenza
;
F. La Via
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
Buffer Layer;
epitaxial growth;
defect propagation;
MOSFET;
62.
Surface Engineering of SiC through Nanogrinding and CMP
机译:
通过纳米格林和CMP的SIC的表面工程
作者:
R. Vacassy
;
A. Gibson
;
A. Titov
;
A. Waiters
;
T. Shindo
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon Carbide;
Grinding;
Chemical Mechanical Polishing;
Productivity;
63.
Optical Stressing of 4H-SiC Material and Devices
机译:
4H-SIC材料和器件的光学应力
作者:
Birgit Kallinger
;
Daniel Kaminzky
;
Patrick Berwian
;
Jochen Friedrich
;
Steffen Oppel
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
defects;
bipolar degradation;
reliability;
photoluminescence;
imaging;
64.
Crystal Defect Analysis of Latent Scratch Induced During CMP Process on 4H-SiC Wafer Using Electron Microscopy
机译:
使用电子显微镜在4H-SiC晶片上诱导潜伏划痕的晶体缺陷分析
作者:
Takahiro Sato
;
Hiroaki Matsumoto
;
Seiichi Suzuki
;
Toshiyuki Isshiki
;
Nakamura Kuniyasu
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Latent scratch;
Scanning transmission electron microscopy;
Focused ion beam;
Multi directional observation;
Elastic distortion;
65.
Effect of Ion Implantation-Induced Defects on Leakage Current Characteristics of IEMOS
机译:
离子注入诱导缺陷对岩浆渗漏电流特性的影响
作者:
Yukihiro Furukawa
;
Hideo Suzuki
;
Noriaki Tani
;
Yusuke Kobayashi
;
Naoyuki Ohse
;
Shinsuke Harada
;
Kenji Fukuda
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
silicon carbide;
ion implantation;
activation annealing;
leakage current;
66.
Influence of Al Doping Concentration and Annealing Parameters on TiAl Based Ohmic Contacts on 4H-SiC
机译:
Al掺杂浓度和退火参数对4H-SiC基于TiAl欧姆接触的影响
作者:
M. Kocher
;
M. Rommel
;
T. Erlbacher
;
A.J. Bauer
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Ohmic Contact;
Ti/AI Ohmic Contacts;
Ti3SiC2;
Modeling;
4H SiC;
67.
1MHz Switching Operation of 1200V Full SiC Power Module
机译:
1MHz开关操作1200V全款电源模块
作者:
Kei Hayashi
;
Tsuyoshi Funak
;
Hisato Michikoshi
;
Kenji Fukuda
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC power module;
1 MHz switching;
CeraLink;
C sunnuber;
68.
Surface Erosion of Ion-Implanted 4H-SiC during Annealing with Carbon Cap
机译:
用碳帽退火期间离子植入的4H-SiC的表面侵蚀
作者:
M.K. Linnarsson
;
H.M. Ayedh
;
A. Hallén
;
L. Vines
;
B.G. Svensson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SIMS;
Carbon-cap;
annealing;
69.
Electric Field Characterization of Diamond Metal Semiconductor Field Effect Transistors Using Electron Beam Induced Current
机译:
使用电子束诱导电流的金刚石半导体场效应晶体管的电场表征
作者:
Khaled Driche
;
Hitoshi Umezawa
;
Shinya Ohmagari
;
Hajime Okumura
;
Yoshiaki Mokuno
;
Etienne Gheeraert
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Diamond;
MESFET;
EBIC;
lateral depletion region expansion;
70.
Dislocation Analysis of p Type and Insulating HPHT Diamond Seed Crystals
机译:
p型和绝缘HPHT金刚石种子晶体的错位分析
作者:
Shinichi Shikata
;
Eiichi Kamei
;
Koji Yamaguchi
;
Yuki Tsuchida
;
Hiroyuki Takahashi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Diamond;
p+ substrate;
vertical structure device;
SBD;
71.
Effect of Negative Gate Bias on Single Pulse Avalanche Ruggedness of 1.2 kV Silicon Carbide MOSFETs
机译:
负栅极偏压对1.2 kV碳化硅MOSFET的单脉冲雪崩粗糙度的影响
作者:
Selamnesh Nida
;
Thomas Ziemann
;
Bhagyalakshmi Kakarla
;
Ulrike Grossner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Trench MOSFET;
Avalanche;
Reliability;
UIS;
Thermal runaway;
BJT latching;
Gate Oxide;
72.
Prolonged 500 °C Operation of 100+ Transistor Silicon Carbide Integrated Circuits
机译:
延长500°C的100+晶体管碳化硅集成电路操作
作者:
David J. Spry
;
Philip G. Neudeck
;
Dorothy Lukco
;
Liangyu Chen
;
Michael J. Krasowski
;
Norman F. Prokop
;
Carl W. Chang
;
Glenn M. Beheim
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
JFET;
Integrated Circuit;
High Temperature;
IC;
Venus;
Random Access Memory;
73.
Effects of CF_4 Surface Etching on 4H-SiC MOS Capacitors
机译:
CF_4表面蚀刻对4H-SIC MOS电容的影响
作者:
K. Kobayakawa
;
K. Muraoka
;
H. Sezaki
;
S. Ishikawa
;
T. Maeda
;
S.-l. Kuroki
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Oxide/4H-SiC Interface;
MOS Capacitor;
Dry Etching;
Fluorine;
74.
Electrical Performances and Physics Based Analysis of 10kV SiC Power MOSFETs at High Temperatures
机译:
高温10kV SiC功率MOSFET的电气性能和物理分析
作者:
Siyang Liu
;
B.J. Baliga
;
Yifan Jiang
;
Weifeng Sun
;
S. Bhattacharya
;
Alex Q. Huang
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon Carbide;
10kV;
MOSFET;
High temperature;
Physics;
75.
An Experimental Demonstration of Short Circuit Protection of SiC Devices
机译:
SIC器件短路保护的实验证明
作者:
Eddy Aeloiza
;
Arun Kadavelugu
;
Pietro Cairoli
;
Rostan Rodrigues
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC;
Silicon Carbide;
MOSFET;
Short-Circuit;
Protection;
Wide band-gap;
76.
Fabrication of 2.5kV 4H-SiC PiN Diodes with High Energy Implantation (>12MeV) of Al~+ and B~+
机译:
2.5kV 4H-SiC引脚二极管的制造具有高能植入(> 12mev)的Al〜+和B〜+
作者:
Reza Ghandi
;
Peter Losee
;
Alexander Bolotnikov
;
David Lilienfeld
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon Carbide;
diode;
high energy implantation;
77.
Influence of Lateral Straggling of Implated Aluminum Ions on High Voltage 4H-SiC Device Edge Termination Design
机译:
近距离磨削对高压4H-SIC器件边缘终端设计的影响
作者:
Yifan Jiang
;
Jayant Baliga
;
Alex Q. Huang
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Edge Termination;
Lateral Straggling;
Ion Implantation;
78.
Characterization of pn-Diode Fabricated from Surface Damage-Free 4H-SiC Wafer Using Si-Vapor Etching Process
机译:
使用Si蒸气蚀刻工艺表征由表面损伤4H-SiC晶片制造的PN二极管
作者:
Satoshi Torimi
;
Norihito Yabuki
;
Takuya Sakaguchi
;
Masato Shinohara
;
Youji Teramoto
;
Satoru Nogami
;
Makoto Kitabatake
;
Junji Senzaki
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC;
Si-vapor etching;
pn-diode;
latent scratch;
basal plane dislocation;
bump defect;
79.
Ni-AI-Ti Ohmic Contacts with Preserved form Factor and Few 10~(-4) ?cm~2 Specific Resistance on 0.1-1 ?cm P-Type 4H-SiC
机译:
Ni-Ai-Ti欧姆触点,具有保存的形状因子,少于10〜(-4)Δcm〜2特异性电阻0.1-1Ωcmp型4h-siC
作者:
Roberta Nipoti
;
Maurizio Puzzanghera
;
Mariaconcetta Canino
;
Giovanna Sozzi
;
Paolo Fedeli
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
p-type 4H-SiC;
ohmic contacts;
Ni-AI-Ti;
form factor;
specific contact resistance;
80.
Switching Reliability of SiC-MOSFETs Containing Expanded Stacking Faults
机译:
切换含有扩展堆叠故障的SiC-MOSFET的可靠性
作者:
Ryusei Fujita
;
Kazuki Tani
;
Kumiko Konishi
;
Akio Shima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
SiC-MOSFET;
Body diode;
Stacking fault;
Switching reliability;
81.
Understanding the Chemistry in Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition
机译:
了解碳化硅化学气相沉积中的化学
作者:
?rjan Danielsson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Epitaxial growth;
CVD;
Modeling;
Chemistry;
82.
Deep Level Defects in 4H-SiC Epitaxial Layers
机译:
4H-SIC外延层的深度缺陷
作者:
Ivana Capan
;
Tomislav Brodar
;
Takeshi Ohshima
;
Shin-ichiro Sato
;
Takahiro Makino
;
?eljko Pastuovic
;
Rainer Siegeie
;
Luka Snoj
;
Vladimir Radulovi?
;
José Coutinho
;
Vitor J.B. Torres
;
Kamel Demmouche
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
deep level defects;
neutrons;
ion implantation;
DLTS;
carbon vacancy;
83.
High-Mobility SiC MOSFETs Using a Thin-SiO_2/Al_2O_3 Gate Stack
机译:
使用Thin-SiO_2 / AL_2O_3 GATE堆栈的高迁移率SIC MOSFET
作者:
Jesús Urresti
;
Faiz Arith
;
Konstantin Vassilevski
;
Amit Tiwari
;
Sarah Olsen
;
Nick Wright
;
Anthony ONeill
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiO_2/SiC interface;
MOSFET;
interface traps;
gate oxide;
mobility;
84.
3300V SiC DMOSFETs Fabricated in High-Volume 150 mm CMOS Fab
机译:
3300V SIC DMOSFET,由高卷150 mm CMOS FAB制造
作者:
Blake Powell
;
Kevin Matocha
;
Sauvik Chowdhury
;
Chris Hundley
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
3300 V;
4H-SiC DMOS;
JFET Optimization;
85.
Various Single Photon Sources Observed in SiC pin Diodes
机译:
在SiC引脚二极管中观察到各种单光子源
作者:
H. Tsunemi
;
T. Honda
;
T. Makino
;
S. Onoda
;
S.-I. Sato
;
Y. Hijikata
;
T. Ohshima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Single photon source;
Intrinsic defects;
Photoluminescence;
86.
Dislocation Behavior in Bulk Crystals Grown by TSSG Method
机译:
TSSG方法种植的散装晶体中的位错行为
作者:
Kazuaki Seki
;
Kazuhiko Kusunoki
;
Yutaka Kishida
;
Hiroshi Kaido
;
Koji Moriguchi
;
Motohisa Kado
;
Hironori Daikoku
;
Takayuki Shirai
;
Mitsutoshi Akita
;
Akinori Seki
;
Hiroaki Saito
;
Shunta Harada
;
Toru Ujihara
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
Solution growth;
Dislocation;
87.
Vertical Tri-Gate Power MOSFETs in 4H-SiC
机译:
4H-SIC的垂直三栅极功率MOSFET
作者:
James A. Cooper
;
Naeem Islam
;
Rahul P. Ramamurthy
;
Madankumar Sampath
;
Dallas T. Morisette
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
3G-MOSFET;
Fin-FET;
Trench MOSFET;
88.
SiC JBS Diode Symmetrical Voltage Doubler Represented as the Diffusion-Welded Stack
机译:
SiC JBS二极管对称电压倍增器表示为扩散焊接堆叠
作者:
O. Korolkov
;
R. Land
;
J. Toompuu
;
N. Sleptsuk
;
T. Rang
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
SiC JBS diodes;
symmetrical voltage doubler;
vertical integration;
diffusion welded stacks;
89.
Improved Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs with Atomic Layer Deposited SiO_2
机译:
具有原子层沉积SiO_2的4H-SIC MOSFET中的阈值电压不稳定性
作者:
Minseok Kang
;
Bongmook Lee
;
Veena Misra
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Atomic layer deposition;
Threshold voltage instability;
MOSFET;
ALD;
90.
Local Lifetime Control in 4H-SiC by Proton Irradiation
机译:
通过质子辐射在4H-SiC中局部寿命控制
作者:
P. Hazdra
;
S. Popelka
;
A. Schoner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Proton Irradiation;
Radiation Defects;
Lifetime Control;
Open Circuit Voltage Decay;
91.
Resistivity Increase in 6H-SiC Crystal Grown with Simple Modification in PVT Process
机译:
PVT工艺简单改性,6H-SIC晶体的电阻率增加
作者:
Jung-Woo Choi
;
Jong-Hwi Park
;
Jung-Doo Seo
;
Jung-Gyu Kim
;
Myung-Ok Kyun
;
Kap-Ryeol Ku
;
Young-Gon Kim
;
Su-Hun Choi
;
Won-Jae Lee
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Resistivity;
Process modification;
Impurity sublimation process;
Initial stage;
92.
Lateral GaN MISFETs Fabricated in Mg Ion Implanted Layer
机译:
在Mg离子注入层中制造的侧向GaN MISFET
作者:
Kota Sugamata
;
Hirofumi Tsuge
;
Kiyoji lkeda
;
Michitaka Yoshino
;
Kazuo Kuriyama
;
Tohru Nakamura
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
GaN;
MISFET;
Ion Implantation;
93.
Carrier Lifetimes in 4H-SiC Epitaxial Layers on the C-Face Enhanced by Carbon Implantation
机译:
在4H-SIC外延层中的载体寿命在C皮上通过碳植入增强
作者:
Mitsuhiro Kushibe
;
Johji Nishio
;
Ryosuke lijima
;
Akira Miyasaka
;
Hirokuni Asamizu
;
Hidenori Kitai
;
Ryoji Kosugi
;
Shinsuke Harada
;
Kazutoshi Kojima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SíC;
C-face;
Carrier Lifetime;
Carbon Implantation;
Annealing;
Epitaxial Layer;
94.
Inclusion of Body Bias Effect in SPICE Modeling of 4H-SiC Integrated Circuit Resistors
机译:
在4H-SIC集成电路电阻中的Spice建模中包含身体偏置效应
作者:
Philip G. Neudeck
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Integrated Circuit;
High Temperature;
4H-SiC;
SPICE;
Resistor;
Body Bias Effect;
95.
Practical Design of 4H-SiC Superjunction Devices in the Presence of Charge Imbalance
机译:
电荷不平衡存在下4H-SIC超结装置的实用设计
作者:
Monzurul Alam
;
Dallas T. Morisette
;
James A. Cooper
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
silicon carbide;
superjunctions;
drift regions;
power devices;
96.
Status and Trends in Epitaxy and Defects
机译:
外延和缺陷的状态和趋势
作者:
H. Osawa
;
Y. Mabuchi
;
Y. Nishihara
;
L. Guo
;
N. Ishibashi
;
K. Fukada
;
K. Kamei
;
K. Momose
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SíC;
epitaxial growth;
surface defect;
carbon inclusion;
BPD;
MOSFET;
bipolar;
p-type doping;
thick and low-doped epilayer;
97.
The Development of High Thermal Conductivity SiC Power Modules through the Implementation of Advanced Cooling Techniques Coupled with High Heat Transfer Materials
机译:
高热导流SiC电源模块的开发通过实施先进的冷却技术与高传热材料相结合
作者:
Brandon Passmore
;
Brice McPherson
;
David Simco
;
Alex Lostetter
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
power packaging;
silicon carbide;
advanced heat transfer;
98.
Extension, Closure and Conversion of In-Grown Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
机译:
在4H-SIC脱落器中种植堆叠故障的延伸,闭合和转化
作者:
Zhe Li
;
Tao Ju
;
Bao-Shun Zhang
;
Xuan Zhang
;
Li-Guo Zhang
;
Ze-Hong Zhang
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
4H-SiC;
epitaxial growth;
in-grown stacking faults;
cathodoluminescence;
photoluminescence;
transmission electron microscopy;
99.
Influence of Additives on Surface Smoothness and Polytype Stability in Solution Growth of n-Type 4H-SiC
机译:
添加剂对N型4H-SIC溶液生长的表面光滑度和聚型稳定性的影响
作者:
Naoyoshi Komatsu
;
Takeshi Mitani
;
Yuichiro Hayashi
;
Tomohisa Kato
;
Hajime Okumura
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
solution growth;
impurity;
additive;
surface morphology;
100.
Characterization and Modeling of a SiC MOSFET's Turn-Off Overvoltage
机译:
SIC MOSFET关闭过电压的特征和建模
作者:
Wen Zhang
;
Zheyu Zhang
;
Fred Wang
;
Leon Tolbert
;
Daniel Costinett
;
Benjamin Blalock
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2018年
关键词:
Hard Switching;
Overvoltage;
MOSFET;
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