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Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)
Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)
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1.
Fabrication of IGZO Sputtering Target and Its Applications to the Preparation of Thin-film Transistor (TFT) Devices
机译:
IGZO溅射靶的制备及其在制备薄膜晶体管器件中的应用
作者:
Chun-Chieh Lo
;
Tsung-Eong Hsieh
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
2.
Dy~(3+) Emission from GaAIN Powder and Radio-Frequency Sputtered Thin Film
机译:
GaAIN粉末和射频溅射薄膜的Dy〜(3+)发射
作者:
Jonathan H. Tao
;
Joanna McKittrick
;
Jan B. Talbot
;
Kailash C. Mishra
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
3.
Investigation and Fabrication of Bottom Gate ZnO: Al TTFTs with Various Thicknesses of ZnO Buffer Layers
机译:
具有不同厚度的ZnO缓冲层的底栅ZnO:Al TTFT的研究与制作
作者:
Yung-Hao Lin
;
Hsin-Ying Lee
;
Ching-Ting Lee
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
4.
Quasi-Ballistic Hole Transport in an AlGaN/GaN Nanowire
机译:
AlGaN / GaN纳米线中的准弹道空穴传输
作者:
M.A. Mastro
;
H.-Y. Kim
;
J. Ahn
;
J. Kim
;
J. Hite
;
C.R. Eddy Jr
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
5.
Etch Pits of 4H-Silicon Carbide Surface Formed Using Chlorine Trifluoride Gas
机译:
用三氟化氯气体形成的4H-碳化硅表面的蚀坑
作者:
Hitoshi Habuka
;
Kazuchika Furukawa
;
Keiko Tanaka
;
Yusuke Katsumi
;
Naoto Takechi
;
Katsuya Fukae
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
6.
AlGaN/GaN HEMT Based Biosensor
机译:
基于AlGaN / GaN HEMT的生物传感器
作者:
Siddharth Alur
;
Tony Gnanaprakasa
;
Yaqi Wang
;
Yogesh Sharma
;
Jing Dai
;
Jong Wook Hong
;
Aleksandr L. Simonian
;
Michael J. Bozack
;
Claude Ahyi
;
Minseo Park
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
7.
ZnO nanorod/p-GaN heterestructured light-emitting diodes passivated using photoelectrochemical method
机译:
光电化学方法钝化的ZnO纳米棒/ p-GaN异质结构发光二极管
作者:
Jheng-Tai Yan
;
Ching-Ting Lee
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
8.
High responsivity ultraviolet photodetector based onp-GaN/i-ZnO nanorod - ZnO: In nanorod
机译:
基于p-GaN / i-ZnO纳米棒/ n- ZnO的高响应紫外光电探测器:纳米棒
作者:
Chia-Hsun Chen
;
Jheng-Tai Yan
;
Ching-Ting Lee
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
9.
Aluminum-Doped Zinc Oxide Thin Films for Opto-Electronic Applications
机译:
光电电子用铝掺杂氧化锌薄膜
作者:
N. Hirahara
;
B. Onwona-Agyeman
;
M. Nakao
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
10.
Drain Leakage Current in MuGFETs at High Temperatures
机译:
高温下MuGFET中的漏极漏电流
作者:
Jorge Giroldo Jr.
;
Marcello Bellodi
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
11.
InGaN-Based Light Emitting Diodes with an A1N Sacrificial Buffer Layer for Chemical Lift-Off Process
机译:
具有AlN牺牲缓冲层的InGaN基发光二极管,用于化学剥离工艺
作者:
Chia-Feng Lin
;
Jing-Jie Dai
;
Ming-Shiou Lin
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
12.
Low-Resistivity and High-Transmittance Indium Gallium Zinc Oxide Films Prepared by Co-Sputtering In_2Ga_2ZnO_7 and In_2O_3 Targets
机译:
共溅射In_2Ga_2ZnO_7和In_2O_3靶材制备的低电阻高透射率铟镓锌氧化物薄膜
作者:
H. J. Chang
;
K. M. Huang
;
C. H. Chu
;
S. F. Chen
;
T. H. Huang
;
M. C. Wu
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
13.
InGaN light-emitting diode structure on a photoelectrochemical treated GaN: Si layer
机译:
光电化学处理的GaN:Si层上的InGaN发光二极管结构
作者:
Kuei-Ting Chen
;
Chun-Min Lin
;
Chia-Feng Lin
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
14.
Electron Paramagnetic Resonance Studies of Shallow Donors Behavior in Hydrogenated ZnO Films
机译:
氢化ZnO薄膜中浅施主行为的电子顺磁共振研究
作者:
L. L. Lai-ina
;
N. A. Tsvetkov
;
.J. H. Yang
;
K. S. Lim
;
O. I. Shevaleevskiy
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
15.
Cuprous Oxide Solution Preparation and Application to Cu_2O-ZnO Solar Cells
机译:
氧化亚铜溶液的制备及其在Cu_2O-ZnO太阳能电池中的应用
作者:
A. Du Pasquier
;
Z. Duan
;
N. Pereira
;
Y. Lu
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
16.
Studies of Electron Trapping in ZnO Semiconductor
机译:
ZnO半导体中电子陷阱的研究
作者:
L. Chernyak
;
E. Flitsiyan
;
M. Shatkhin
;
Z. Dashevsky
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
17.
Epitaxial Growth of ZnO on LiAlCh and LiGaO_2 Substrates by Chemical Vapor Deposition
机译:
化学气相沉积法在LiAlCh和LiGaO_2衬底上外延生长ZnO
作者:
Cheng-Huan Chen
;
Jun-Yi Yu
;
Teng-Hsing Huang
;
Liuwen Chang
;
Mitch M.C.Chou
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
18.
Light Extraction Enhancement of n-side up Light-Emitting Diodes without Electrodes Covering by Wafer Bonding and Textured Surfaces
机译:
晶圆键合和纹理化表面可增强无电极覆盖的n面朝上的发光二极管的光提取
作者:
R. H. Horng
;
Y. A. Lu
;
D. S. Wuu
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
19.
a-plane GaN for Hydrogen Sensing Applications
机译:
用于氢感测应用的a面GaN
作者:
Kwang Hyeon Baik
;
Wantae Lim
;
S.J. Pearton
;
Yu-Lin Wang
;
F. Ren
;
Jeongyeol Yang
;
Soohwan Jang
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
20.
Passivation of Deep Levels at the SiO2/SiC Interface
机译:
SiO2 / SiC界面处的深层钝化
作者:
A. F. Basile
;
J. Rozen
;
X. D. Chen
;
S. Dhar
;
J. R. Williams
;
L. C. Feldman
;
P. M. Mooney
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
21.
pnpn and npn Heterostructural Optoelectronic Devices
机译:
pnpn和npn异质结构光电器件
作者:
Der-Feng Guo
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
22.
npn Heterostruetural Optoelectronic Switch with Collector Confinement Layer
机译:
具有集电极限制层的npn异型光电开关
作者:
Der-Feng Guo
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
23.
Development of Enhancement Mode AIN/Ultrathin AlGaN/GaN HEMTs by Selective Wet Etching
机译:
通过选择性湿法刻蚀开发增强型AIN /超声波AlGaN / GaN HEMT
作者:
T. J. Anderson
;
M. J. Tadjer
;
M. A. Mastro
;
J. K. Hite
;
K. D. Hobart
;
C. R. Eddy Jr
;
F. J. Kub
会议名称:
《Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52)》
|
2010年
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