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the International Symposium of Electrochemical Society
the International Symposium of Electrochemical Society
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1.
THE EFFECT OF THE OXIDE NETWORK STRUCTURE ON THE IRRADIATION BEHAVIOR OF SiO_2 FILMS ON SILICON
机译:
氧化物网络结构对硅胶片辐照行为的影响
作者:
A. G. Revesz
;
H. L. Hughes
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
2.
STABILITIES AND ELECTRONIC STATES OF INCORPORATED NITROGEN ATOMS AT THE INTERFACE OF SiO_2/Si(001)
机译:
在SiO_2 / Si(001)界面处掺入氮原子的稳定性和电子状态
作者:
Takahiro Yamasaki
;
Chioko Kaneta
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
3.
NITROGEN CONTENT AND INTERFACE TRAP REDUCTION IN SIO_2/4H-SIC
机译:
SiO_2 / 4H-SiC的氮含量和界面陷阱减少
作者:
K. McDonald
;
R. A. Weller
;
S. T. Pantelides
;
L. C. Feldman
;
G. Y. Chung
;
C. C. Tin
;
J. R. Williams
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
4.
LOW-TEMPERATURE OXIDATION FOR GATE DIELECTRICS OF Poly-Si TFTs USING HIGH-DENSITY SURFACE WAVE PLASMA
机译:
使用高密度表面波等离子体的多Si TFT栅极电介质低温氧化
作者:
Kazufumi Azuma
;
Masashi Goto
;
Tetsuya Okamoto
;
Yukihiko Nakata
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
5.
RAPID THERMAL AND ANODIC OXIDATIONS OF LPCVD SILICON NITRIDE FILMS
机译:
LPCVD氮化硅膜的快速热和阳极氧化
作者:
Yen-Po Lin
;
Jenn-Gwo Hwu
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
6.
CATHODOLUMINESCENCE OF THIN FILMS OF SILICON OXIDE ON SILICON
机译:
硅氧化硅薄膜的阴极致发光
作者:
M.V.Zamoryanskaya
;
V.I.Sokolov
;
I.M.Kotina
;
C.G.Konnikov
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
7.
COMPARISON OF CONTAMINATION EFFECTS IN SILICON OXIDE WITH THAT IN HAFNIUM OXIDE AND ZIRCONIUM OXIDE GATE DIELECTRICS
机译:
氧化铪和氧化锆栅电介质氧化硅污染效果的比较
作者:
F. Shadman
;
P. Raghu
;
N. Rana
;
C. Yim
;
E. Shero
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
8.
MOSFET DEGRADATION WITH REVERSE BIASED SOURCE AND DRAIN DURING HIGH-FIELD INJECTION THROUGH THIN GATE OXIDE
机译:
MOSFET通过薄栅氧化物在高场注射期间用反向偏置源和漏极劣化
作者:
B. Patel
;
R. K. Jarwal
;
D. Misra
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
9.
DECOUPLED PLASMA NURIDATION OF ULTRA-THIN GATE OXIDES FOR 60-90 NM TECHNOLOGIES
机译:
去耦的等离子体透明超薄栅极氧化物60-90 nm技术
作者:
M. Bidaud
;
J-P. Carrere
;
F. Boeuf
;
C. Dachs
;
C. Parthasarathy
;
F. Guyader
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
10.
A Neutron Reflectivity Study of Silicon Oxide Thin Films
机译:
氧化硅薄膜的中子反射率研究
作者:
Valerie Bertagna
;
Alain Menelle
;
Sebastien Petitdidier
;
Didier Levy
;
Marie-Louise Saboungi
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
11.
IMPROVED PERFORMANCE WITH LOW TEMPERATURE SILICON NITRIDE SPACER PROCESS
机译:
具有低温氮化硅间隔工艺的性能提高
作者:
Chandra M. Reddy
;
Steven G.H. Anderson
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
12.
RECOVERY AND REVERSIBILITY OF ELECTRICAL INSTABILITIES IN DOUBLE-LAYER DIELECTRIC FILMS
机译:
双层电介质膜中电动稳定性的恢复和可逆性
作者:
S. Evseev
;
A. Cacciato
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
13.
HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON NITRIDE DEPOSITED BY DC MAGNETRON SPUTTERING
机译:
DC磁控溅射沉积的氢化非晶硅氮化物
作者:
K. Mokeddem
;
M. Sayhi
;
M. Aoucher
;
A. C. Chanri
;
M. Abdesselam
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
14.
ATOMIC, ELECTRONIC STRUCTURE AND CHARGE TRANSPORT MECHANISM IN SILICON NITRIDE AND OXYNITRIDE
机译:
氮化硅和氮氧化物中的原子,电子结构和电荷输送机制
作者:
Vladimir A. Gritsenko
;
Kamil A. Nasyrov
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
15.
PREDICTIVE SIMULATION OF VOID FORMATION DURING THE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE AND SILICON DIOXIDE FILMS
机译:
氮化硅沉积和二氧化硅薄膜沉积期间空隙形成的预测模拟
作者:
C. Heitzinger
;
A. Sheikholeslami
;
H. Puchner
;
S. Selberherr
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
16.
PLASMA NITRIDATION OPTIMIZATION FOR SUB-15 A GATE DIELECTRICS
机译:
子15栅极电介质的等离子体氮化优化
作者:
F.N. Cubaynes
;
J. Schmitz
;
C. van der Marel
;
J.H.M. Snijders
;
A. Veloso
;
A. Rothschild
;
C. Olsen
;
L. Date
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
17.
GROWTH OF SiO_2 AT THE Sc_2O_3/Si(100) INTERFACE DURING ANNEALING
机译:
退火期间SC_2O_3 / SI(100)界面的SIO_2的生长
作者:
G.A. Botton
;
E. Romain
;
D. Landheer
;
X. Wu
;
M.-Y. Wu
;
M. Lee
;
Z.-H. Lu
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
18.
ULTRATHIN SILICON OXYNITRIDE GATE DIELECTRICS
机译:
超薄硅氧氮化物栅极电介质
作者:
E.P. Gusev
;
C.P. DEmic
;
T.H. Zabel
;
M. Copel
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
19.
We have investigated the interface and oxide defects in SiC/SiO_2 by electron paramagnetic resonance spectroscopy (EPR) using oxidised porous SiC of 4H and 6H polytypes. Two paramagnetic defects generated by 1000 deg C furnace oxidation in dry oxygen
机译:
通过4H和6H多型,通过电子顺磁共振光谱(EPR)研究了SiC / SiO_2中的界面和氧化物缺陷。在干氧中1000°C炉氧化产生的两个顺磁缺陷
作者:
Krishna C. Saraswat
;
Chi On Chui
;
Paul C. Mclntyre
;
Baylor B. Triplett
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
20.
ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF THIN OXIDE LAYERS BY IMPEDANCE SPECTROSCOPY USING SILICON/OXIDE/ELECTROLYTE (SOE) STRUCTURES
机译:
利用硅/氧化物/电解质(SOE)结构阻抗光谱薄氧化物层的电学特性
作者:
M. Chemla
;
V. Bertagna
;
R. Erre
;
F. Rouelle
;
S. Petitdidier
;
D. Levy
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
21.
GROWTH OF SiO{sub}2 AT THE Sc{sub}2O{sub}3/Si(100) INTERFACE DURING ANNEALING
机译:
在退火期间SC {Sub} 2O {Sub} 3 / SI(100)接口的SIO {SUB} 2的增长
作者:
G. A. Botton
;
E. Remain
;
D. Landheer
;
X. Wu
;
M.-Y. Wu
;
M. Lee
;
Z.-H. Lu
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
22.
PROPERTIES OF ANNEALED SILICON OXYNTTRIDE LAYERS FOR OPTICAL APPLICATIONS
机译:
用于光学应用的退火硅氧化族层的性能
作者:
K. Worhoff
;
G. M. Hussein
;
C. G. H. Roeloffzen
;
L. T. H. Hilderink
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
23.
NOVEL GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICES FOR HIGH PERFORMANCE MOSFETS AND INTEGRATED ON-CHIP OPTICAL CLOCKING
机译:
用于高性能MOSFET的新型锗技术和设备,并集成在芯片上的光学时钟
作者:
Krishna C. Saraswat
;
Chi On Chui
;
Paul C. McIntyre
;
Baylor B. Triplett
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
24.
SILICON DIOXIDE INSULATING FILMS FOR SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY
机译:
用于硅锗技术的二氧化硅绝缘膜
作者:
A. Vijh
;
V.J. Kapoor
;
R.L. Patterson
;
J.E. Dickman
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
25.
SCALING ISSUES FOR ADVANCED SOI DEVICES: GATE OXIDE TUNNELING, THIN BURIED OXIDE, AND ULTRA-THIN FILMS
机译:
高级SOI设备的缩放问题:栅极氧化术隧道,薄层覆盖氧化物和超薄薄膜
作者:
J. Pretet
;
A. Ohata
;
F. Dieudonne
;
F. Allibert
;
N. Bresson
;
T. Matsumoto
;
T. Poiroux
;
J. Jomaah
;
S. Cristoloveanu
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
26.
CYANIDE TREATMENT TO IMPROVE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SI-BASED MOS DIODES WITH AN ULTRATHIN OXIDE LAYER
机译:
氰化物处理以提高超氧化物层的基于Si基MOS二极管的电学特性
作者:
Hikaru Kobayashi
;
Takuya Kobayashi
;
Akira Asano
;
Osamu Maida
;
Masao Takahashi
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
27.
DIRECT-WRITE DEPOSITION OF SILICON OXIDE - THE EXPRESS LANE TOWARDS PATTERNED THIN FILMS
机译:
氧化硅的直接写入沉积 - 朝向图案化薄膜的Express Lane
作者:
Heinz D.Wanzenboeck
;
Stefan Harasek
;
Emmerich Bertagnolli
;
Martin Gritsch
;
Herbert Hutter
;
Josef Brenner
;
Herbert Stoeri
;
Ulf Grabner
;
Gerold Hammer
;
Peter Pongratz
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
28.
QUANTUM MECHANICAL MODELING OF CAPACITANCE-VOLTAGE AND CURRENT-VOLTAGE BEHAVIOR FOR SiO{sub}2 AND HIGH-K DIELECTRICS
机译:
SIO {SUB} 2和高k电介质电容电压和电流 - 电压行为的量子机械建模
作者:
Leonard F. Register
;
Yang-Yu Fan
;
Sivakumar P. Mudanai
;
Sanjay K. Banerjee
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
29.
QUANTUM MECHANICAL MODELING OF CAPACITANCE- VOLTAGE AND CURRENT-VOLTAGE BEHAVIOR FOR SiO_2 AND HIGH-K DIELECTRICS
机译:
SiO_2和高k电介质电容电压和电流 - 电压行为的量子机械建模
作者:
Leonard F. Register
;
Yang-Yu Fan
;
Sivakumar P. Mudanai
;
Sanjay K. Banerjee
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
30.
INVESTIGATIONS OF THE STRUCTURE AND STABILITY OF ALTERNATIVE GATE DIELECTRICS
机译:
替代栅极电介质结构和稳定性的研究
作者:
S. Stemmer
;
Z. Q. Chen
;
P. S. Lysaght
;
J. A. Gisby
;
J. R. Taylor
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
31.
PROPERTIES OF ANNEALED SILICON OXYNITRIDE LAYERS FOR OPTICAL APPLICATIONS
机译:
用于光学应用的退火硅氧氮化物层的性能
作者:
K. Woerhoff
;
G.M. Hussein
;
C.G.H. Roeloffzen
;
L.T.H. Hilderink
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
32.
ATOMISTIC CHARACTERIZATION OF RADICAL NITRIDATION PROCESS ON Si(100) SURFACES
机译:
Si(100)表面的自由基氮化过程的原子特征
作者:
Yukio Yasuda
;
Akira Sakai
;
Shigeaki Zaima
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
33.
NEW RELIABILITY ISSUES OF CMOS TRANSISTORS WITH 1.3 nm THICK GATE OXIDE
机译:
CMOS晶体管具有1.3 nm厚栅极氧化物的新可靠性问题
作者:
M. F. Li
;
B. J. Cho
;
G. Chen
;
W.Y. Loh
;
D. L. Kwong
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
34.
EPR STUDIES OF SIC/SIO_2 INTERFACES IN N-TYPE 4H- AND 6H- OXIDIZED POROUS SIC
机译:
EPR在N型4H-和6H-氧化多孔SiC中的SiC / SiO_2界面研究
作者:
H.J.von Bardeleben
;
J.L. Cantin
;
M. Mynbaeva
;
S.E. Saddow
;
Y.Shishkin
;
R.P. Devaty
;
W.J. Choyke
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
35.
PROPERTIES OF ULTRATHIN HIGH-κ DIELECTRICS ON Si PROBED BY ELECTRON SPIN RESONANCE-ACTIVE DEFECTS: INTERFACES AND INTERLAYERS
机译:
电子旋转共振活性缺陷探测超薄高κ电介质的特性:界面和层间
作者:
Stesmans
;
V.V. Afanasev
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
36.
ELECTRONICALLY ACTIVE DEFECTS IN ULTRA-THIN OXYNITRIDE GATE DIELECTRICS
机译:
超薄氧氮化物栅极电介质中的电子活性缺陷
作者:
D.A. Buchanan
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
37.
ELETRICAL PROPERTIES AND THE RELIABILITY OF SILICON NITRIDE GATE DIELECTRICS FORMED BY VARIOUS PROCESSES AND ANNEALING TREATMENTS
机译:
通过各种方法形成的氮化硅栅极电介质的电性能和可靠性
作者:
Kuei-Shu Chang-Liao
;
J.Y. Pan
;
C.L. Cheng
;
T.K. Wang
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
38.
EPR STUDIES OF SiC/SiO{sub}2 INTERFACES IN N-TYPE 4H- AND 6H-OXIDIZED POROUS SiC
机译:
EPR在N型4H-和6H-氧化多孔SiC中的SiC / SiO {sub} 2界面的研究
作者:
H. J. von Bardeleben
;
J. L. Cantin
;
M. Mynbaeva
;
S. E. Saddow
;
Y. Shishkin
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
39.
THERMALLY DRIVEN ATOMIC TRANSPORT IN SILICON OXYNITRIDE AND HIGH-k FILMS ON SILICON
机译:
硅氧氮化硅和高k薄膜中的热驱动原子输送
作者:
I. J. R. Baumvol
;
F. C. Stedile
;
J. Morais
;
C. Krug
;
C. Radtke
;
E. B. O. da Rosa
;
K. P. Bastos
;
R. P. Pezzi
;
L. Miotti
;
G. V. Soares
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
40.
OPTIMUM STRUCTURE OF DEPOSITED ULTRA THIN SILICON OXYNITRIDE FILM TO MINIMIZE LEAKAGE CURRENT
机译:
沉积超薄氧化硅膜的最佳结构,以最小化漏电流
作者:
Kouichi Muraoka
;
Kazuaki Kurihara
;
Naoki Yasuda
;
Hideki Satake
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
41.
DIPOLES IN SiO_2: BORDER TRAPS OR NOT?
机译:
SiO_2中的偶极子:边境陷阱与否?
作者:
D. M. Fleetwood
;
S. N. Rashkeev
;
Z. Y. Lu
;
C. J. Nicklaw
;
J. A. Felix
;
R. D. Schrimpf
;
S. T. Pantelides
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
42.
WHAT CAN LOW-FREQUENCY NOISE LEARN US ABOUT THE QUALITY OF THIN-GATE DIELECTRICS?
机译:
低频噪声可以了解薄栅极电介质的质量吗?
作者:
E. Simoen
;
A. Mercha
;
C. Claeys
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
43.
A REVIEW OF DEFECT GENERATION IN THE SiO_2 AND AT ITS INTERFACE WITH Si
机译:
SI缺陷生成缺陷生成述评及其与SI的界面
作者:
J.F.Zhang
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
44.
PLASMA DAMAGE IN ULTRA-THIN GATE OXIDE INDUCED BY DIELECTRIC DEPOSITION PROCESSES: AN OVERVIEW ON MAIN MECHANISMS AND CHARACTERIZATION TECHNIQUES
机译:
电介质沉积工艺诱导的超薄栅极氧化物中的等离子体损伤:主机和表征技术的概述
作者:
Jean-Pierre Carrere
;
Jean-Claude Oberlin
;
Sylvie Bruyere
;
Paul Ferreira
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
45.
Si-SiO_2 INTERFACE TRAP PROPERTIES AND DEPEDENCE WITH OXIDE THICKNESS AND WITH ELECTRICAL STRESS IN MOSFETS WITH OXIDES IN THE 1-2 NANOMETER RANGE
机译:
Si-SiO2接口陷阱性质和依赖于氧化物厚度和电气应力在1-2纳米范围内的MOSFET中的电力应力
作者:
D. Bauza
;
F. Rahmoune
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
46.
Si-SiO{sub}2 INTERFACE TRAP PROPERTIES AND DEPEDENCE WITH OXIDE THICKNESS AND WITH ELECTRICAL STRESS IN MOSFETS WITH OXIDES IN THE 1-2 NANOMETER RANGE
机译:
Si-SiO {Sub} 2接口捕集性能和氧化物厚度的折叠性,并在1-2纳米范围内具有氧化物的MOSFET中的电应力
作者:
D. Bauza
;
F. Rahmoune
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
47.
ROLE OF ULTRA THIN SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER IN HIGH PERFORMANCE HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE DIELECTRICS
机译:
超薄氧化硅界面在高性能高介电常数栅极电介质中的作用
作者:
R. Singh
;
M. Fakhruddin
;
K. F. Poole
;
S. V. Kondapi
;
A. Gupta
;
J. Narayan
;
S. Kar
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
48.
ELECTRICAL CHARACTERIZATION TECH-NIQUESFORSEMICONDUCTOR-SILICON DIOXIDE INTERFACE - A REVIEW
机译:
电学特性技术 - Niquesforsemiconductor - 二氧化硅界面 - 综述
作者:
M. Jamal Deen
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
49.
CONDUCTION MODELING OF THICK DOUBLE-LAYER NITRIDE/OXIDE DIELECTRICS
机译:
厚双层氮化物/氧化物电介质的传导建模
作者:
S. Evseev
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
50.
ELECTRICAL CHARACTERIZATION TECH- MQUESFORSEMICONDUCTOR-SILICON DIOXIDE INTERFACE - A REVIEW
机译:
电学特性技术 - Mquesforsemiconductor - 硅二氧化硅界面 - 综述
作者:
M. Jamal Deen
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
51.
MODELING AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF MOS STRUCTURES WITH ULTRA THIN GATE OXIDE
机译:
用超薄栅极氧化物的MOS结构建模与电学特性
作者:
R. Clerc
;
G. Ghibaudo
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
52.
DIPOLES IN SiO{sub}2: BORDER TRAPS OR NOT?
机译:
SIO {sub} 2中的偶极子:边境陷阱与否?
作者:
D. M. Heetwood
;
S. N. Rashkeev
;
Z. Y. Lu
;
C. J. Nicklaw
;
J. A. Felix
;
R. D. Schrimpf
;
S. T. Pantelides
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
53.
ELECTRICAL CHARACTERIZATION TECH-NIQUES FOR SEMICONDUCTOR-SILICON DIOXIDE INTERFACE - A REVIEW
机译:
半导体二氧化硅接口的电气表征技术 - 评论
作者:
M. Jamal Deen
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
54.
COMPREHENSIVE OPTICAL AND COMPOSITIONAL CHARACTERIZATION OF SILICON-BASED THEM FILMS FOR PHOTONICS
机译:
基于硅基薄膜的综合光学和成分表征光子
作者:
J. Wojcik
;
E.A. Irving
;
J.A. Davies
;
W.N. Lennard
;
P. Mascher
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
55.
ANALYSIS OF SHORT-CHANNEL MOSFET BEHAVIOR AFTER GATE OXIDE BREAKDOWN AND ITS IMPACT ON DIGITAL CIRCUIT RELIABILITY
机译:
栅极氧化物分解后的短通道MOSFET行为及其对数字电路可靠性的影响分析
作者:
G. Groeseneken
;
B. Kaczer
;
R. Degraeve
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
|
2003年
56.
CHARACTERIZATION OF MIS TUNNEL JUNCTIONS BY INELASTIC ELECTRON TUNNELING SPECTROSCOPY (IETS)
机译:
非弹性电子隧道光谱法表征MIS隧道连接(IET)
作者:
C. Petit
;
G. Salace
;
D. Vuillaume
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
57.
CHARACTERISTICS OF METAL GATE MOS CAPACITOR WITH HAFNIUM OXYNTTRIDE THIN
机译:
氧化铪的金属栅极MOS电容器特性薄
作者:
Kyu-Jeong Choi
;
Soon-Gil Yoon
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
58.
CHARGE TRAPPING IN HIGH-DOSE Ge-IMPLANTED AND Si-IMPLANTED SILICON-DIOXIDE THIN FILMS
机译:
在高剂量Ge植入和Si注入的二氧化硅薄膜中捕获
作者:
A.N. Nazarov
;
I.N. Osiyuk
;
I.P. Tyagulskii
;
V.S. Lysenko
;
T. Gebel
;
W. Skorupa
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
59.
PROCESS DEPENDENCE OF NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY IN PMOSFETS
机译:
在PMOSFET中处理负偏置温度不稳定性的处理
作者:
Sharad Prasad
;
Erhong Li
;
Lesly Duong
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
60.
CONTRIBUTION OF INDIVIDUAL PROCESS STEPS ON PARTICLE CONTAMINATION DURING PLASMA CVD OPERATION
机译:
各个过程步骤对等离子体CVD操作期间粒子污染的贡献
作者:
H. Setyawan
;
M. Shimada
;
Y. Imajo
;
K. Okuyama
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-02
会议名称:
《the International Symposium of Electrochemical Society》
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2003年
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