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International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology
International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology
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1.
Feasibility and Applicability of Integrated Metrology using Spectroscopic Ellipsometry in a Cluster Tool
机译:
在簇工具中使用光谱椭圆形测量综合计量的可行性和适用性
作者:
J. Ph. Piel
;
P. Boher
;
J. L. Stehle
;
C. Pickering
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
2.
Experimental Investigation and 3D Simulation of Contrast Reversal Effects in Scanning Capacitance Microscopy
机译:
扫描电容显微镜对比反转效应的实验研究与3D模拟
作者:
P. Malberti
;
L. Ciampolini
;
M. Ciappa
;
W. Fichtner
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
3.
Measurement of Silicon Dioxide Film Thicknesses by X-ray Photoelectron Spectroscopy
机译:
X射线光电子能谱测量二氧化硅膜厚度
作者:
C. J. Powell
;
A. Jablonski
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
4.
Gate Oxide Formation under Mild Conditions for Scanning Capacitance Microscopy
机译:
温和条件下的栅极氧化物形成用于扫描电容显微镜
作者:
Duncan E. McBride
;
Joseph J. Kopanski
;
Barbara J. Belzer
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
5.
A Numerical/Experimental Investigation of Microcontamination in a Rotating Disk Chemical Vapor Deposition Reactor
机译:
旋转盘化学气相沉积反应器中微肠系的数值/实验研究
作者:
R. W. Davis
;
E. F. Moore
;
J. E. Maslar
;
D. R. Burgess
;
D. M. Kremer
;
S. H. Ehrman
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
6.
Characterization of silicon-oxynitride dielectric thin films using grazing incidence x-ray photoelectron spectroscopy
机译:
氧化入射X射线光电子谱表征氧氮化硅介电薄膜的特征
作者:
Eric Landree
;
Terrence Jach
;
David Brady
;
Arun Karamcheti
;
Jesse Canterbury
;
Will Chism
;
Alain C. Diebold
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
7.
Optical Metrology for DMD~(TM) Characterization
机译:
DMD〜(TM)表征光学计量
作者:
Seth A. Miller
;
Rabah Mezenner
;
Dennis Doane
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
8.
High Depth Resolution Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) Analysis of Si_(1-x)Ge_x:C HBT Structures
机译:
高深度分辨率二次离子质谱(SIMS)SI_(1-X)GE_X:C HBT结构的分析
作者:
S. Lu
;
M. Kottke
;
S. Zollner
;
W. Chen
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
9.
Aggressive scaling of Cu/low k: impact on metrology
机译:
Cu /低k的积极缩放:对计量的影响
作者:
Karen Maex
;
Sywert H. Brongersma
;
Francesca Iacopi
;
Kris Vanstreels
;
Youssef Travaly
;
Mikhail Baklanov
;
Jan DHaen
;
Gerald Beyer
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Scaling;
Cu;
lowd;
interface characterization;
10.
The Limits of CD Metrology
机译:
CD计量的限制
作者:
Bryan J. Rice
;
Heidi Cao
;
Michael Grumski
;
Jeanette Roberts
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
CD metrology;
CD SEM;
scatterometry;
AFM;
Dual beam;
11.
Complimentary Optical Metrology Techniques Used for Characterization of High-K Gate Dielectrics
机译:
用于表征高k门电介质的免费光学计量技术
作者:
J. Price
;
A. C. Diebold
;
Ramon Carriles
;
Yongqiang An
;
Jinhee Kwon
;
M. C. Downer
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Spectroscopic Ellipsometry;
Second Harmonic Generation;
High-K Film;
High-K Interface;
Thin Film;
Optecal Properties;
12.
Techniques for Improving SIMS Depth Resolution: C60+ Primary Ions and Backside Depth Profile Analysis
机译:
改进SIMS深度分辨率的技术:C60 +主要离子和背面深度剖面分析
作者:
Eric Windsor
;
Greg Gillen
;
David Bright
;
Peter Chi
;
Albert Fahey
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
13.
Depth-Resolved Composition and Chemistry of Ultra-Thin Films by Angle-Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy
机译:
通过角度分辨的X射线光电子光谱分析超薄膜的深度分辨的组合物和化学
作者:
C. R. Brundle
;
G. Conti
;
H. Graoui
;
M. Foad
;
S. Hung
;
C. Wang
;
C. Wang
;
P. Mack
;
J. Wolstenholme
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
thin films;
analysis;
depth profile;
XPS;
A;
MEIS;
14.
HRTEM for Nano-Electronic Materials Research
机译:
HRTEM用于纳米电子材料研究
作者:
M. J. Kim
;
R. M. Wallace
;
B. E. Gnade
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
HRTEM;
nanostructure;
nanochemistry;
high-k dielectrics;
low-k dielectrice;
strain;
15.
The Use of Model Data to Characterize Depth Profile Generation from Angle Resolved XPS
机译:
使用模型数据来表征从角度已解决的XPS的深度分布生成
作者:
P. Mack
;
B. J. McIntosh
;
R. G. White
;
J. Wolstenholme
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
dielectric films;
angle resolved XPS;
depth resolution;
16.
X-ray Photoelectron Spectroscopy of High- Dielectrics
机译:
高介质的X射线光电子能谱
作者:
A. Mathew
;
K. Demirkan
;
C.-G. Wang
;
G. D. Wilk
;
D. G. Watson
;
R. L. Opila
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
photoemission;
High-k Dielectrics;
Maximum Entropy;
Hafnium Silicates;
Gate Dieletric;
17.
Gate Spacer Width Monitoring Study with Scatterometry Based on Spectroscopic Ellipsometry
机译:
基于光谱椭圆形测定法的散射测定栅极间隔宽度监测研究
作者:
V. Vachellerie
;
S. Kremer
;
A. Elazami
;
P. Morin
;
C. Julien
;
D. Duca
;
D. Guiheux
;
N. Bicais
;
S. Pokrant
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Scatterometry;
Spectroscopic Ellipsometry;
Gate Spacer;
18.
Recent Advances in Lithography and High Level Critical Dimension Metrology Needs for Lithography
机译:
光刻和高水平关键维度计量的最新进展
作者:
Scott Hector
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Critical dimension control;
CD;
immersion;
DFM;
19.
In-Line Detection and Measurement of Molecular Contamination in Semiconductor Process Solutions
机译:
半导体工艺溶液中分子污染的在线检测和测量
作者:
Jason Wang
;
Michael West
;
Ye Han
;
Robert C. McDonald
;
Wenjing Yang
;
Bob Ormond
;
Harmesh Saini
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
20.
Recent Developments in Electrical Metrology for MOS Fabrication
机译:
MOS制造电气计量的最新发展
作者:
Robert J. Hillard
;
Mark C. Benjamin
;
George A. Brown
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
SDE;
SiON;
4PP;
21.
Source/Drain Junctions and Contacts for 45 nm CMOS and Beyond
机译:
源/漏极连接和触点45 nm cmos及以后
作者:
Mehmet C. Ozturk
;
Jing Liu
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
CMOS;
source/drain junctions;
series resistance;
22.
The Relation Between Crystalline Phase, Electronic Structure, and Dielectric Properties in High-K Gate Stacks
机译:
高k栅极堆叠结晶相,电子结构和介电性能之间的关系
作者:
S. Sayan
;
M. Croft
;
N. V. Nguyen
;
T. Emge
;
J. Ehrstein
;
I. Levin
;
J. Suehle
;
R. A. Bartynski
;
E. Garfunkel
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Band Offisets;
Dielectric BAnd-gapL;
Hafnium dioxide(HfO_2);
High-K dielectrics;
MOS Gate Stack;
Photoemission;
Zirconium Dioxide(ZrO_2);
23.
Ultraprecision CD Metrology for Sub-100 nm Patterns by AFM
机译:
AFM亚100nm模式的Ultraprecision CD计量
作者:
Satoshi Gonda
;
Kazuto Kinoshita
;
Hironori Noguchi
;
Tomizo Kurosawa
;
Hajime Koyanagi
;
Ken Murayama
;
Tsuneo Terasawa
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
atomic force microscopy;
scanning force microscopy;
interferometry;
linewidth;
24.
COCOS (Corona Oxide Characterization of Semiconductor) Non-Contact Metrology for Gate Dielectrics
机译:
COCOS(半导体氧化物表征半导体)栅极电介质非接触计量
作者:
Marshall Wilson
;
Jacek Lagowski
;
Lubek Jastrzebski
;
Alexandre Savtchouk
;
Vladimir Faifer
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
25.
Optical Constants for Metrology of Hydrogenated Amorphous Silicon-Nitrogen Alloys on Si
机译:
Si中氢化非晶硅 - 氮合金计量的光学常数
作者:
Stefan Zollner
;
Elizabeth Apen
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
26.
Power Spectral Density Functions for Si Wafer Surfaces Using Six Measurement Techniques
机译:
使用六种测量技术的SI晶片表面的功率谱密度函数
作者:
Egon Marx
;
Igor J. Malik
;
Thomas Bristow
;
Noel Poduje
;
John C. Stover
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
27.
FASTC2D: Software for Extracting 2D Carrier Profiles from Scanning Capacitance Microscopy Images
机译:
FASTC2D:用于从扫描电容显微镜图像中提取2D载波配置文件的软件
作者:
B. G. Rennex
;
J. J. Kopanski
;
J. F. Marchiando
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
28.
Development of an in-line X-ray reflectivity technique for metal film thickness measurement
机译:
用于金属膜厚度测量的线X射线反射率技术的研制
作者:
D. Windover
;
E. Barnet
;
J. Summers
;
C. Gribbin
;
T.-M. Lu
;
A. Kumar
;
H. Bakhru
;
S. L. Lee
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
29.
Automated SEM and TEM Sample Preparation Applied to Copper/Low k Materials
机译:
适用于铜/低K材料的自动化SEM和TEM样品制备
作者:
R. Reyes
;
F. Shaapur
;
D. Griffiths
;
A. C. Diebold
;
B. Foran
;
E. Raz
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
30.
Backside Picosecond Timing Measurements on CMOS Integrated Circuits
机译:
CMOS集成电路的背面PICOSECOND定时测量
作者:
J. C. Tsang
;
J. A. Kash
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
31.
Junction Depth Measurement using Carrier Illumination
机译:
结束深度测量使用载波照明
作者:
Peter Borden
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
32.
Modeling Soft Breakdown Under Constant Voltage Stress in Ultra Thin Gate Oxides with PSpice Circuit Simulator
机译:
用PSPICE电路模拟器在超薄栅极氧化物中恒压应力下的软击定
作者:
Serge Evseev
;
Robert J. Hillard
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
33.
Gate Dielectric Metrology Using Advanced TEM Measurements
机译:
使用高级TEM测量的栅极电介质计量
作者:
David A. Muller
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
34.
Optical and Electrical Thickness Measurements of Alternate Gate Dielectrics: a Fundamental Difference
机译:
交替栅极电介质的光学和电厚度测量:基本差异
作者:
C. A. Richter
;
N. V. Nguyen
;
E. P. Gusev
;
T. H. Zabel
;
G. B. Alers
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
35.
High Resolution Dopant Profiling Using a Tunable AC Scanning Tunneling Microscope
机译:
使用可调谐交流扫描隧道显微镜的高分辨率掺杂剂分析
作者:
Zachary J. Donhauser
;
Gregory S. McCarty
;
Lloyd A. Bumm
;
Paul S. Weiss
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
36.
Product Wafer Measurements of MOS Gate Dielectric Quality with a Small Diameter Elastic Probe
机译:
产品晶圆测量MOS栅极电介质质量,小直径弹性探头
作者:
Robert J. Hillard
;
Robert G. Mazur
;
Stephen M. Ramey
;
William H. Howland
;
Gilbert A. Gruber
;
Richard Siergiej
;
Serge Evseev
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2001年
37.
The Opportunities and Challenges of Bringing New Metrology Equipment to Market
机译:
将新计量设备推向市场的机遇和挑战
作者:
David S. Perloff
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
metrology;
inspection;
process control;
equipment;
technology;
venture capital;
38.
Dopant Dose Metrology for Ultra-Shallow Implanted Wafers using Electron-Induced X-Ray Spectrometry at Pattern-Size Scale
机译:
掺杂剂剂量计量对于使用电子诱导的X射线光谱法在图案尺寸尺度下的超浅注入晶片
作者:
Pierre-F. Staub
;
Chrystel Hombourger
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Metrology;
Process Control;
Shallow Implants;
Thin Films;
39.
DB FIB For In-Line Process Control
机译:
DB FIB用于在线过程控制
作者:
Harald Bloe
;
Ulrich Mantz
;
Craig Henry
;
Ralf Lehmann
;
Doug Hahn
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
DualBeam;
Structural Metrlolgy;
Cross section;
process Control;
FIBand SEM System;
40.
Atomic Layer Deposition of High k Dielectric and Metal Gate Stacks for MOS Devices
机译:
用于MOS器件的高k电介质和金属栅极堆的原子层沉积
作者:
Yoshihide Senzaki
;
Kisik Choi
;
Paul D. Kirsch
;
Prashant Majhi
;
Byoung Hun Lee
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
41.
Feasibility Study for High Energy SEM-Based Reference Measurement System for Litho Metrology
机译:
Litho Metrology高能量SEM基准测量系统的可行性研究
作者:
Michael Bishop
;
David Joy
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Reference Measurement System;
SEM;
overlay;
edge detectionL;
line edge roughness;
42.
Complete Imageless solution for overlay front-end manufacturing
机译:
完整的覆盖前端制造的不知意解决方案
作者:
David Herisson
;
Virginie LeCacheux
;
Mathieu Touchet
;
Vincent Vachellerie
;
Laurent Lecarpentier
;
Franck Felten
;
Marco Polli
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Overlay;
imageless;
recipe creation;
43.
Thermally Stable MoXSiYNZ as a Metal Gate Electrode for Advanced CMOS Devices
机译:
热稳定的Moxsiynz作为高级CMOS器件的金属栅电极
作者:
P. Zhao
;
J. Kim
;
M. J. Kim
;
B. E. Gnade
;
R. M. Wallace
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
metal gate;
Mo;
Mosi_2;
MoN;
workfunction;
thermal stability;
flatband voltage;
44.
Development of Sample Planning for Wafer Defect Inspection
机译:
晶圆缺陷检验示例规划的开发
作者:
T. Nagai
;
A. Hamaguchi
;
Y. Yamazaki
;
M. Yamasaki
;
Y. Kaga
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
sampling plan;
defect inspection;
gain variation;
payback period;
principal component analysis;
45.
Advantages of Non-Contact Measurements of Sheet Resistance Together with Leakage Current for USJ Characterization
机译:
用于USJ表征的钢板电阻的非接触式测量的优点
作者:
V. N. Faifer
;
M. I. Current
;
T. M. H. Wong
;
V. V. Souchkov
;
T. Nguyen
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
sheet resistance;
leakage current;
junction photo-voltage;
46.
Scatterometer Sensitivity for Statistical Process Control: Importance of Modeling for In-direct Measurements
机译:
散射仪灵敏度统计过程控制:直接测量建模的重要性
作者:
Brian Smith
;
Scott Bushman
;
Chris Baum
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
scatterometry;
statistical-process-control;
gauge strdy;
47.
Model-Based Infrared Metrology for Advanced Technology Nodes and 300 mm Wafer Processing
机译:
用于高级技术节点的模型的红外计量和300 mm晶片处理
作者:
Peter A. Rosenthal
;
Carlos Duran
;
Josh Tower
;
Alex Mazurenko
;
Ulrich Mantz
;
Peter Weidner
;
Alexander Kasic
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Infrared;
model-based;
reflectometry;
D;
48.
A Novel Approach to Inspect Abnormalities on the Deep Trench Capacitors in DRAM
机译:
一种在DRAM中检查深沟电容器异常的新方法
作者:
H. W. Liu
;
E. Cheng
;
Y. M. Lin
;
S. Fan
;
K. Pan
;
J. L. Lue
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Deep Trench;
FIB;
3D;
49.
Novel Non-contact Dielectric Constant Metrology for Low-k Films
机译:
低k薄膜的新型非接触介电常数计量
作者:
Vladimir V. Talanov
;
Robert L. Moreland
;
André Scherz
;
Andrew R. Schwartz
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Near-field microwave probe;
low-k film;
50.
Optical Flatness Metrology for 300 mm Silicon Wafers
机译:
300毫米硅晶片的光学平坦度计量
作者:
Ulf Griesmann
;
Quandou Wang
;
Thomas D. Raymond
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
300mm silicon wafers;
wafer thickness variation(TTV and GBIR);
wafer flatness;
51.
Self-calibrating Approach for Non-Contact Electrical Doping Profiling
机译:
非接触式电掺杂分析的自校准方法
作者:
D. Marinskiy
;
P. Edelman
;
C. Almeida
;
G. Polisski
;
J. DAmico
;
M. Wilson
;
L. Jastrzebski
;
J. Lagowski
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
doping;
resistivity;
depth profiling;
self-calibration;
non-contact;
52.
Fiber-optics Low-coherence Integrated Metrology for In-Situ Non-contact Characterization of Novel Materials and Structures
机译:
光纤低相干综合计量,用于原位非接触式表征新型材料和结构
作者:
Wojciech J. Walecki
;
Alexander Pravdivtsev
;
Kevin Lai
;
Manuel Santos II
;
Georgy Mikhaylov
;
Mihail Mihaylov
;
Ann Koo
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Thin-Film Metroligy;
Diagnostics;
In-Situ;
Thin Film Stress Metrology;
aInterferometry;
53.
A New NIST Database for the Simulation of Electron Spectra for Surface Analysis (SESSA): Application to Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy of HfO2, ZrO2, HfSiO4, and ZrSiO4 Films on Silicon
机译:
用于仿真表面分析的电子光谱(Sessa)的新NIST数据库:在硅上的HFO2,ZrO2,HFSIO4和ZRSIO4薄膜的角度分辨X射线光电子能谱应用
作者:
C. J. Powell
;
W. Smekal
;
W. S. M. Werner
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Auger electron sectroscopy;
film thickness;
gate oxides;
Hfo_2;
HfSiO_4;
simulation;
surface analysis;
X-ray photoelectron spectroscopy;
ZrO_2;
ZrSiO_4;
54.
Near Surface Photo-Voltage For Silicon Wafer Metrology
机译:
硅晶圆测量近表面光电电压
作者:
Edward Tsidilkovski
;
Kenneth Steeples
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
photovoltage;
Silicon;
Implant;
Epi;
Contamination;
Metrology;
55.
Surface Wave Metrology for Copper/Low-k Interconnects
机译:
铜/低k互连的表面波计量
作者:
M. Gostein
;
A. A. Maznev
;
A. Mazurenko
;
J. Tower
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Surface acoustic waves(SAWs);
interconnects;
copper;
ECD;
CMP;
low-k;
anisotropic;
56.
In-Line Compositional and Thickness Metrology Using XPS for Ultra-Thin Dielectric Films
机译:
使用XPS用于超薄介电膜的在线成分和厚度计量
作者:
J. Kelly Truman
;
Emir Gurer
;
C. Thomas Larson
;
David Reed
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
gate dielectrics;
capacitor dielectricsL;
300mm;
metrology;
57.
Interferometric Metrology for Sub-90-nm Node Phase-Shifting Photomasks
机译:
子90-nm节点相移光掩模的干涉计量
作者:
Andrew J. Merriam
;
James J. Jacob
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
phase metrology;
photomask;
phase phase shift mask;
58.
Physical Characterization of Novel Metal Electrodes for Hf-based Transistors
机译:
基于HF基晶体管新型金属电极的物理特征
作者:
P. S. Lysaght
;
H.-C. Wen
;
H. Alshareef
;
K. Choi
;
R. Harris
;
H. Luan
;
Y. Senzaki
;
G. Lian
;
M. Campin
;
M. Clark
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
59.
Electric Current Induced Thermomechanical Fatigue Testing of Interconnects
机译:
电流诱导互连的热机械疲劳试验
作者:
R. R. Keller
;
R. H. Geiss
;
Y.-W. Cheng
;
D. T. Read
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Electrical testion;
electron backscatter diffraction;
interconnect reliability;
thermomechanical cycling;
thermomechanical fatihue;
thin film fatigue;
60.
Optical Topography Measurement of Patterned Wafers
机译:
光学地形测量图案晶圆
作者:
Xavier Colonna de Lega
;
Peter de Groot
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Surface Topography;
Patterned Wafer;
Interference Microsopy;
61.
Characterization of Threading Dislocations in Strained-Si/SiGe Heterostructures Using Preferential Two-Step Etching and MOS-EBIC
机译:
优先两步蚀刻和MOS-EBIC的应变-Si / SiGe异质结构中螺纹脱位的表征
作者:
J. Lu
;
A. Czerwinski
;
L. Kordas
;
W. Zhao
;
G. Rozgonyi
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Strain Si;
SiGe;
Threading Dislocations;
preferential Etching;
EBIC;
62.
Thermal Stability Studies of Advanced Gate Stack Structures on Si (100)
机译:
Si(100)高级闸门堆结构的热稳定性研究
作者:
P. Sivasubramani
;
P. Zhao
;
M. J. Kim
;
M. J. Kim
;
R. M. Wallace
;
L. F. Edge
;
D. G. Schlom
;
G. N. Parsons
;
V. Misra
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
High-k gate dielectric;
metal gate;
Hf;
LaAlO_3;
Ru;
backside SIMS;
thermal stability;
63.
Benchmarking Four Point Bend Adhesion Testing: The Effect of Test Parameters On Adhesion Energy
机译:
基准四点弯曲粘附试验:试验参数对粘附能的影响
作者:
Zhenjiang Cui
;
Girish Dixit
;
Li-Qun Xia
;
Alex Demos
;
Bok H. Kim
;
Derek Witty
;
Hichem Msaad
;
Reinhold H. Dauskardt
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
64.
IR Spectroscopic Characterization of the Buried Metal Interface of Metal-Molecule-Silicon Vertical Diodes
机译:
金属分子硅垂直二极管的掩埋金属界面的IR光谱表征
作者:
Christina A. Hacker
;
Curt A. Richter
;
Lee J. Richter
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
infrared spectroscopy;
organic monolayer;
metal interface;
RAIRS;
65.
In-Line Control and Rapid Process Development of Nitrided Gate Oxides
机译:
氮化栅氧化物的在线控制和快速过程开发
作者:
Duncan Rogers
;
Tapani Laaksonen
;
Ajith Varghese
;
Christian Otten
;
Mike Kasner
;
Husam Alshareef
;
Richard Kuan
;
Malcolm Bevan
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
X-ray photoelectron spectroscopy;
surface photovoltage;
corona-oxide-semiconductor;
ellipsometry;
nitrided gate oxide;
66.
SCM and SSRM Study on Boron Penetration and SSR Channel Formation in Sub-100nm MOSFETs
机译:
SCM和SSRM对硼渗透和SSR频道形成在10NM MOSFET中的研究
作者:
Y. G. Wang
;
H. Bu
;
L. Adam
;
J. Wu
;
Y. Chen
;
K. Liu
;
S. Zhao
;
S. Tang
;
D. B. Scott
;
C. Machala
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Scanning capacitance microscopy;
scanning spreading resistance microscopy;
bevel;
boron penetration;
super-steep-retrograde channel;
pn junction;
67.
Characterization of Atomic Layer Deposition using X-Ray Reflectometry
机译:
X射线反射测量法表征原子层沉积
作者:
Donald Windover
;
Nicholas Armstrong
;
James P. Cline
;
P. Y. Hung
;
Alain Diebold
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
X-Ray Reflectometry;
Atomic Layer Depositionj;
Hafnium Oxide;
Bayesian statistics;
Thin Films;
68.
Noninvasive Monitoring of Ion Energy in an Inductively Coupled Plasma Reactor
机译:
电感耦合等离子体反应器中离子能的非侵入性监测
作者:
Mark A. Sobolewski
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
69.
ToF-SIMS Applications in Microelectronics: Quantification of Organic Surface Contamination
机译:
微电子中的TOF-SIMS应用:有机表面污染的量化
作者:
C. Trouiller
;
T. Signamarcheix
;
M. Juhel
;
S. Petitdidier
;
H. Fontaine
;
M. Veillerot
;
L. F. Tz. Kwakman
;
C. Wyon
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
ToF-SLMS;
Quantification;
Cooled sample;
W-TDGCMS;
70.
Characterization and Control of Etch Processes Using Multiple Metrologies
机译:
使用多重算术的蚀刻过程的表征和控制
作者:
Scott Bushman
;
Francis Celii
;
Scott Martin
;
Luis Tristan
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Scatterometry;
Qualification;
Control;
71.
2-D Temperature Mapping in Fluorocarbon Plasmas
机译:
碳氟化碳等离子体中的2-D温度测绘
作者:
Kristen L. Steffens
;
Mark A. Sobolewski
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
plasma;
fluorocarbon;
PLIF;
CF;
optical diagnostics;
mapping;
72.
Nanoscale Characterization of Metal/Semiconductor Nanocontacts
机译:
金属/半导体纳米接触的纳米级表征
作者:
C. Tivarus
;
K.-B. Park
;
M. K. Hudait
;
S. A. Ringel
;
J. P. Pelz
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
BEEM;
schottky barrier;
nanocontacts;
FErmi level pinning;
quantum Wells;
III-V semiconductors;
73.
Nondestructive Thickness Determination of High-k Dielectric HfO2 and Interfacial Oxide by Spectroscopic Ellipsometry
机译:
通过光谱椭圆形测量测定高k电介质HFO2和界面氧化物的无损厚度
作者:
Guanghua Song
;
Xiaolong Yang
;
Meng Tao
;
Jianyu Huang
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Ellipsometry;
nondestructive characterization;
and high-k dielectric;
74.
Spectroscopic Ellipsometry Applications in Advanced Lithography Research
机译:
先进光刻研究中的光谱椭圆形应用
作者:
R. A. Synowicki
;
Greg K. Pribil
;
James N. Hilfiker
;
Kevin Edwards
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Spectroscopic Ellipsometry;
Immersion Lithography;
Infrared Ellipsometry;
Optical MIcrolithography;
75.
Combined XRR and RS Measurements of Nickel Silicide Films
机译:
结合硅化镍膜的XRR和RS测量
作者:
J.-P. Gonchond
;
C. Wyon
;
F. Cacho
;
G. Braeckelmann
;
G. Rolland
;
L. F. Tz. Kwakman
;
Y. Tsach
;
D. K. Agnihotri
;
J. P. Formica
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
x ray reflectivity;
sheet resistance;
x ray diffraction;
nickel silicide;
phase transformation;
76.
In-line Quantitative Dose Metrology of Ultra-thin Gate Oxide
机译:
超薄栅极氧化物的在线定量剂量计量
作者:
Yunjung Jee
;
Kibeom Park
;
T. K. Kim
;
Han-Soo Cho
;
T. M. Eom
;
Sungchan Cho
;
C. S. Jun
;
Taesung Kim
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
dose monitoring;
thin filn film thickness;
high k gate dielectrics;
oxynitirdes;
x-ray fluorescence;
LEXES;
77.
Particle Size Metrology: Comparison Between Aerosol Electrical Mobility and Laser Surface Light Scattering Techniques
机译:
粒度计量:气溶胶电动迁移率和激光表面光散射技术的比较
作者:
Thomas A. Germer
;
George W. Mulholland
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
differential mobility;
light scattering;
and particle;
78.
Controlling Environmental Effects on Optical Measurements of Gate Dielectric Thickness
机译:
控制栅极电介质厚度光学测量的环境影响
作者:
Elisa U
;
Jonathan VanBuskirk
;
Heath Pois
;
Vladimir Zhukov
;
Stephen Morris
;
Sue Kelso
;
Chris Collings
;
Jim McWhirter
;
Thierry Nguyen
;
Saroja Ramamurthi
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Gate Dielectric;
Airborne Molecular Contamination;
Desorption;
79.
Multi-Technology Measurements of Nitrided Oxide and High-K Gate Stacks
机译:
氮化氧化物和高k门堆的多技术测量
作者:
Stephen J. Morris
;
Eileen Clifford
;
Osman Sorkhabi
;
Youxian Wen
;
Heath Pois
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Metrology;
GAte Dielectrics;
Nitrided Oxide;
High-k Materials;
80.
A Case Study of Ion Implant In-Line Statistical Process Control
机译:
离子植入在线统计过程控制的案例研究
作者:
Zhiyong Zhao
;
Kenneth Ramczyk
;
Darcy Hall
;
Linda Wang
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
In-line SPC;
implant;
Therma Wave;
device sensitivity;
sheet resistanceR;
SIMS;
wafer electrical testL;
yield;
81.
Optical Metrology Performance Analysis: Approach and Metrics
机译:
光学计量性能分析:方法和指标
作者:
Leo Asinovski
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
82.
Calculation of Pore Size Distributions in Low-k Films
机译:
低K薄膜孔径分布的计算
作者:
Peter I. Ravikovitch
;
Aleksey Vishnyakov
;
Alexander V. Neimark
;
Manuela R. Carrott
;
Patrícia A. Russo
;
Peter J. Carrott
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
porosimetry;
adsorption;
pore size distribrtion;
toluene;
SANS;
83.
Quantification of Shallow-junction Dopant Loss during CMOS Process
机译:
CMOS过程中浅结掺杂剂损耗的定量
作者:
G. H. Buh
;
T. Park
;
Y. Jee
;
S. J. Hong
;
C. Ryoo
;
J. Yoo
;
J. W. Lee
;
G. H. Yon
;
C. S. Jun
;
Y. G. Shin
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
ultra-shallow junction;
dopant loss;
sheet resistance;
X-ray Emission Spectrometry;
84.
Non-destructive Characterizing of Lateral Doping Effects
机译:
非破坏性表征侧向掺杂效应
作者:
P. Borden
;
E. Budiarto
;
S. Felch
;
H. Graoui
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Lateral diffusion;
doping;
junction depth;
source;
drain;
implant angle;
USJ;
ultra-shallow junction;
85.
Limits of Optical and X-ray Metrology Applied to Thin Gate Dielectrics
机译:
应用于薄栅极电介质的光学和X射线计量的限制
作者:
Stefan Zollner
;
Yong Liang
;
Richard B. Gregory
;
Peter L. Fejes
;
David Theodore
;
Z. Yu
;
D. H. Triyoso
;
J. Curless
;
Clarence Tracy
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
86.
Metrology for Emerging Devices and Materials
机译:
新兴设备和材料的计量学
作者:
Eric M. Vogel
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Nanoelectronics;
Emerging Devices;
Beyond CMOS;
87.
Development of Robust AFM Technique for Roughness and Morphology Characterization of Gate Stack Thin Films
机译:
用于粗糙度AFM技术的开发,用于栅极堆薄膜的粗糙度和形貌特征
作者:
Charles C. Wang
;
Pu Ye
;
Fu Li
;
Yi Ma
;
Yuri S. Uritsky
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
88.
Growth And Characterization of Ultrathin Metal Films For ULSI Interconnects
机译:
ULSI互连超薄金属膜的生长和表征
作者:
J. Shin
;
D. Gay
;
Y.-M. Sun
;
J. M. White
;
J. G. Ekerdt
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Ruthenium;
X-ray photoelectron Spectroscopy;
Ion Scattering Spectroscopy;
Chemical Vapor Deposition;
89.
Design For Manufacture In Overlay Metrology
机译:
覆盖计量中制造的设计
作者:
Mike Adel
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Microelectronics:LSI;
VLSI;
ULSI;
integratid circuit fabrication technology;
Nanoscale pattern formation;
Lithography;
masks and pattern transfer;
90.
Collaboration: The Semiconductor Industry's Path To Survival And Growth
机译:
合作:半导体产业的生存和增长的道路
作者:
Michael R. Polcari
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Microelectronics;
Semiconductor Devices;
Nanoeletronics Devices;
91.
Metrology Challenges for 45 nm Strained-Si Devices
机译:
45 nm紧张-SI器件的计量挑战
作者:
V. Vartanian
;
M. Sadaka
;
S. Zollner
;
A. V.-Y. Thean
;
T. White
;
B.-Y. Nguyen
;
M. Zavala
;
L. McCormick
;
L. Prabhu
;
D. Eades
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
92.
The Aberration Corrected SEM
机译:
像差校正SEM
作者:
David C. Joy
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
CD-SEM;
aberrations;
resolution;
depth of field;
optical transfer function;
93.
Issues in Line Edge and Linewidth Roughness Metrology
机译:
线边缘和线宽粗糙度计量的问题
作者:
J. S. Villarrubia
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
line edge roughness(LER);
measurement bias;
94.
High Resolution Profiling Using Ion Scattering and Resonant Nuclear Reactions
机译:
使用离子散射和共振核反应的高分辨率分析
作者:
R. P. Pezzi
;
R. M. Wallace
;
M. Copel
;
I. J. R. Baumvol
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
DEpth profiling;
Medium energy ion scattering;
Resonant Nuclear Reaction Analysis;
95.
Determination of Ultra-shallow Junction (USJ) Quality with an Elastic Material Probe (EM-Probe)
机译:
用弹性材料探头测定超浅结(USJ)质量(EM-探针)
作者:
Mark C. Benjamin
;
Robert J. Hillard
;
C. Win Ye
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
leakage;
SDE;
USJ;
96.
Effluent Stream Monitoring Of An Al2O3 Atomic Layer Deposition Process Using Optical Emission Spectroscopy
机译:
使用光发射光谱法的Al2O3原子层沉积工艺的流出物流监测
作者:
John P. Loo
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Effluent Stream Monitoring;
Optical Emission Spectroscopy;
Atomic Layer Keposition;
Al_2O_3;
Process Wavelength Detemination;
Process Fault Detection;
97.
Quantitative Analysis of 1D Ultra-Shallow Junctions Using Off-Axis Electron Holography
机译:
使用脱轴电子全能的1D超浅结的定量分析
作者:
M. R. McCartney
;
M. G. Han
;
Jing Li
;
Peter Fejes
;
Qianghua Xie
;
Gordon Tam
;
Sandeep Bagchi
;
Bill Taylor
;
James Conner
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Ultra-shallow junctions;
electron holography;
dopant profiles;
98.
Cross Section and Critical Dimension Metrology in Dense High Aspect Ratio Patterns with CD-SAXS
机译:
横截面和临界尺寸计量与CD-SAXS密集的高纵横比模式
作者:
Ronald L. Jones
;
Eric K. Lin
;
Qinghuan Lin
;
Steven J. Weigand
;
Denis T. Keane
;
John P. Quintana
;
Wen-li Wu
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
x-ray scattering;
critical dimension;
line wedth;
line grating;
sidewall angle;
99.
Opportunities and Risks in Semiconductor Metrology
机译:
半导体计量的机遇和风险
作者:
Peter Borden
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
Metrology;
IC processing;
front-end;
back-end;
100.
Practical Applications of XRR-XRF Metrology Tool
机译:
XRR-XRF计量工具的实际应用
作者:
Emmanuel Nolot
;
André Michallet
会议名称:
《International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology》
|
2005年
关键词:
X-;
y;
X-Ray Fluorescence(XRF);
copper barrier;
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