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Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)
Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)
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1.
Radiation Induced Charge Loss Mechanisms Across the Dielectrics of Floating Gate Flash Memories
机译:
跨浮栅闪存的介电体的辐射诱导电荷损失机制
作者:
G. Cellere
;
A. Cester
;
A. Paccagnella
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
2.
Curing Dielectric Layers for Microelectronics with Microwaves: Chemistry, Mechanisms, and Applications
机译:
用微波固化微电子学的介电层:化学,机理和应用
作者:
R. L. Hubbard
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
3.
Polysilicon Interface Engineering for Improved PIP Capacitors
机译:
改进PIP电容器的多晶硅接口工程
作者:
Janet M. Towner
;
John J. Naughton
;
Jagdish Prasad
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
4.
Interface Engineering by PVD-based In-Situ Fabrication Method for Advanced Metal/High-k Gate Stacks
机译:
基于PVD的高级金属/高k栅堆叠的原位制造方法的接口工程
作者:
Heiji Watanabe
;
Shinya Horie
;
Hiroaki Arimura
;
Naomu Kitano
;
Takashi Minami
;
Motomu Kosuda
;
Takayoshi Shimura
;
Kiyoshi Yasutake
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
5.
Optimizing the Interface of Spin-on Oxide and the Active area of Transistor in Sub70nm DRAM structures for better Electrical Performance
机译:
优化Sub70nm DRAM结构中自旋氧化物的界面和晶体管的有源区域,以获得更好的电性能
作者:
A. Das
;
H-P. Sperlich
;
H. Heidemeyer
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
6.
MOSCAP's and MOSFET's on I1I-V Channel Materials with Si, Ge and SiGe Interface Passivation Layer
机译:
具有Si,Ge和SiGe接口钝化层的I1I-V沟道材料上的MOSCAP和MOSFET
作者:
Jack C. Lee
;
InJo Ok
;
H. Kim
;
F. Zhu
;
M. Zhang
;
S. Park
;
J. Yum
;
H. Zhao
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
7.
Transfer of Positive Fixed Charge between Si and SiO_2 in Si/SiO_2 Interface with Hydrogen Migration
机译:
Si / SiO_2界面中Si和SiO_2之间正固定电荷的转移与氢迁移
作者:
J. Ushio
;
T. Maruizumi
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
8.
Bias Temperature Instability Characterization of Advanced Gate Stacks
机译:
先进栅堆叠的偏置温度不稳定性表征
作者:
Shinji Fujieda
;
Masayuki Terai
;
Motofumi Saitoh
;
Akio Toda
;
Yoshinao Miura
;
Ziyuan Liu
;
Yuden Teraoka
;
Akitaka Yoshigoe
;
Markus Wilde
;
Katsuyuki Fukutani
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
9.
Extensive Study of the Correlation between Contact Etch Stop Nitride Material Properties and Negative Bias Temperature Instabilities Measured in pMOSFETS
机译:
接触蚀刻停止氮化物材料特性与pMOSFET中测得的负偏置温度不稳定性之间的相关性的广泛研究
作者:
P. Morin
;
D. Benoit
;
F. Perrier
;
C Chaton
;
M. Charleux
;
J. Regolini
;
K. Barla
;
P. Ferreira
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
10.
Resistance Switching Characteristics of Metal Oxides and Schottky Junction for Nonvolatile Memory Applications
机译:
非易失性存储应用中金属氧化物和肖特基结的电阻转换特性
作者:
R. Dong
;
D. S. Lee
;
W. F. Xiang
;
D. J. Seong
;
S. J. Oh
;
H. J. Choi
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
11.
Dramatic Improvement of V_(fb) Shift and G_m~(max) with Ultra-thin and Ultra-low-leakage SiN-based SiON Gate Dielectrics
机译:
超薄和超低泄漏SiN基SiON栅极电介质极大地改善了V_(fb)位移和G_m〜(max)
作者:
K. Muraoka
;
D. Matsushita
;
Y. Nakasaki
;
K. Kato
;
S. Kikuchi
;
K. Sakuma
;
Y. Mitani
;
K. Eguchi
;
M. Takayanagi
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
12.
Plasma Etching Technology for Low-k Porous SiOCH Films
机译:
低k多孔SiOCH薄膜的等离子刻蚀技术
作者:
M. Hori
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
13.
CON-TACT~R Planarization Process of Spin-on Dielectrics for Device Fabrication
机译:
器件制造中旋涂电介质的CON-TACT〜R平面化工艺
作者:
Wu-Sheng Shih
;
Jiro Yota
;
Ketan Itchhaporia
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
14.
Influence of Oxide Breakdown Percolation Resistance on MOSFETs
机译:
氧化物击穿渗流电阻对MOSFET的影响
作者:
K. L. Pey
;
V. L. Lo
;
C. H. Tung
;
W. T. Lim
;
D. S. Ang
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
15.
A Comparison of the Effects of Silicon Oxide and Silicon Nitride Host Matrices on the Photoluminescence from Si Nanocrystals after High Temperature Annealing
机译:
高温退火后氧化硅和氮化硅主体基质对Si纳米晶体光致发光的影响比较
作者:
T. Roschuk
;
O. H. Y. Zalloum
;
J. Wojcik
;
H. Zhang
;
P. Mascher
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
16.
Photoluminescence from Magnetron Sputtered SiO_2 Films Co-doped with (Er, Ge) under Excitation of a 325 nm He-Cd Laser Line
机译:
325 nm He-Cd激光激发下磁控溅射掺(Er,Ge)的SiO_2薄膜的光致发光
作者:
C. L. Heng
;
O. H. Y. Zalloum
;
E. Chelomentsev
;
P. Mascher
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
17.
Microscopic Mechanism of Silicon Thermal Oxidation Process
机译:
硅热氧化过程的微观机理
作者:
Hiroyuki Kageshima
;
Masashi Uematsu
;
Toru Akiyama
;
Tomonori Ito
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
18.
A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation
机译:
硅热氧化反应动力学方程的新方程式
作者:
Takanobu Watanabe
;
Iwao Ohdomari
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
19.
SiN Conductivity and Capacitor Reliability
机译:
SiN电导率和电容器可靠性
作者:
G. I. Drandova
;
J. M. Beall
;
K. D. Decker
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
20.
Innovative Low damage Silicon Nitride Passivation of 100nm In_(0.45)AlAs/In_(0.4)GaAs Metamorphic HEMTs with Remote ICPCVD
机译:
具有远程ICPCVD的100nm In_(0.45)AlAs / In_(0.4)GaAs变质HEMT的创新型低损伤氮化硅钝化
作者:
Donghwan Kim
;
Jimin Maeng
;
Sungwon Kim
;
Jincherl Her
;
Seongjin Yeon
;
Harqkyun Kim
;
Kwangseok Seo
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
21.
Electrical Characterization of Advanced Gate Dielectrics
机译:
先进栅极电介质的电气特性
作者:
T.P. Ma
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
22.
Electrical instability in high-k gate stacks: as-grown vs. generated defects
机译:
高k栅堆叠中的电气不稳定性:生长缺陷与生成缺陷
作者:
Gennadi Bersuker
;
Patrick Lysaght
;
Rino Choi
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
23.
Accurate TDDB Lifetime Prediction of High-k Stacked Gate Dielectrics with Regarding High Density Initial Traps
机译:
关于高密度初始陷阱的高k堆叠栅极电介质的TDTD寿命精确预测
作者:
Kenji Okada
;
Hiroyuki Ota
;
Toshihide Nabatame
;
Akira Toriumi
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
24.
New Polyimidcs Coating Technology for Next Generation Semiconductor Application
机译:
适用于下一代半导体应用的新型Polyimidcs涂层技术
作者:
Kohji Katoh
;
Masayuki Ohe
;
Hiroshi Komatsu
;
Takeharu Motobe
;
Takashi Hattori
;
Takumi Ueno
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
25.
Morphology and Composition of Selected High-k Materials and Their Relevance to Dielectric Properties of Thin-Films
机译:
所选高k材料的形貌和组成及其与薄膜介电性能的关系
作者:
G. Lippert
;
J. Dabrowski
;
I. Costina
;
G. Lupina
;
M. Ratzke
;
P. Zaumseil
;
H.-J. Muessig
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
26.
Investigation of Scaling Limits for PECVD SiN and ALD HfO_2/Al_2O_3 Integrated MIM Capacitors
机译:
PECVD SiN和ALD HfO_2 / Al_2O_3集成MIM电容器的比例极限研究
作者:
D. Dornisch
;
G. Wilk
;
G. Li
;
K.M. Ring
;
D.J. Howard
;
Marco Racanelli
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
27.
Rare-Earth Metal Oxides and Their Silicates/Aluminates as Future Gate Dielectric Films
机译:
稀土金属氧化物及其硅酸盐/铝酸盐作为未来的栅极介电膜
作者:
Akira Sakai
;
Mitsuo Sakashita
;
Masaki Ogawa
;
Shigeaki Zaima
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
28.
Toward Understanding the Wide Distribution of Time Scales in Negative Bias Temperature Instability
机译:
理解负偏置温度不稳定性中时间尺度的广泛分布
作者:
B. Kaczer
;
T. Grasser
;
R. Fernandez
;
G. Groeseneken
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
29.
An assessment of effective mobility variation during negative bias temperature stress
机译:
负偏压温度应力下有效迁移率变化的评估
作者:
J. F. Zhang
;
M. H. Chang
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
30.
Contribution of As-grown Hole Traps to NBTI
机译:
孔洞陷阱对NBTI的贡献
作者:
M.H.Chang
;
Y.Wang
;
J.F.Zhang
;
C.Z.Zhao
;
W.D.Zhang
;
M.Xu
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
31.
Mechanism of Static and Dynamic Bias Temperature Instability in p- and n- MOSFETs
机译:
p型和n型MOSFET静态和动态偏置温度不稳定性的机制
作者:
Anri Nakajima
;
Shiyang Zhu
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
32.
NBTI Mechanism Based on Hole-Injection for Accurate Lifetime Prediction
机译:
基于空穴注入的NBTI机制用于精确的寿命预测
作者:
Akinobu Teramoto
;
Rihito Kuroda
;
Tadahiro Ohmi
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
33.
Dielectric and Electrode Thin Films for Stack-Cell Structured DRAM Capacitors with Sub 50-nm Design Rules
机译:
具有低于50nm设计规则的堆叠单元结构DRAM电容器的介电和电极薄膜
作者:
Seong Keun Kim
;
Sang Woon Lee
;
Minha Seo
;
Jeong Hwan Han
;
Sang Young Lee
;
Cheol Seong Hwang
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
34.
The Physical Origins of Fast and Slow Components in NBTI Degradation for p-MOS Transistors with SiON Gate Dielectric
机译:
带有SiON栅介质的p-MOS晶体管NBTI降解中快慢成分的物理起源
作者:
Ming-Fu Li
;
C. Shen
;
T.Yang
;
G. Chen
;
Darning Huang
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
35.
Further Advances in the Electrical Characterization of Silicon-Insulator Interface Traps Using Charge Pumping
机译:
使用电荷泵的硅绝缘子界面陷阱的电学表征的进一步进展
作者:
D. Bauza
;
S. Bayon
;
O. Ghobar
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
36.
SrTiO_3 Thin Film Growth by Atomic Layer Deposition Using Ti(O-iPr)_2(thd)_2, Sr(thd)_2, and H_2O
机译:
Ti(O-iPr)_2(thd)_2,Sr(thd)_2和H_2O原子层沉积制备SrTiO_3薄膜
作者:
Sang Woon Lee
;
Oh Seong Kwon
;
Jeong Hwan Han
;
Cheol Seong Hwang
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
37.
CaCu_3Ti_4O_(12), a Novel Material for Capacitive Applications: Thin Film Growth and Characterization
机译:
CaCu_3Ti_4O_(12),一种用于电容应用的新型材料:薄膜生长和表征
作者:
Raffaella Lo Nigro
;
Roberta G. Toro
;
Graziella Malandrino
;
Ignazio L. Fragala
;
Patrick Fiorenza
;
Vito Raineri
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
38.
Stress-Induced Leakage Current in Magnetic Tunnel Junctions with Thin AlO_x Barrier
机译:
薄AlO_x势垒的磁性隧道结中的应力感应泄漏电流
作者:
Tadashi Mihara
;
Yoshinari Kamakura
;
Masato Morifuji
;
Kenji Taniguchi
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
39.
Impact of Positive Charges in Gate Dielectric on NBTI Degradation and Characterization
机译:
栅介质中正电荷对NBTI降解和表征的影响
作者:
Lei Jin
;
Mingzhen Xu
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
40.
Non-Uniform Distribution of Electron Traps Generated by Fowler-Nordheim Stress in Silicon Dioxides
机译:
Fowler-Nordheim应力在二氧化硅中产生的电子陷阱的不均匀分布
作者:
X. F. Zheng
;
W. D. Zhang
;
J. F. Zhang
;
M. H. Chang
;
Y. Hao
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
41.
Modeling and Characterization on Negative Bias Temperature Instability in p- Channel MOSFETs
机译:
p沟道MOSFET负偏置温度不稳定性的建模与表征
作者:
J. B. Yang
;
T. P. Chen
;
S. S. Tan
;
C. M. Ng
;
L. Chan
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
42.
On-Wafer Test Method of Metal-Insulator-Metal Capacitor Life Using Time Dependent Dielectric Breakdown
机译:
基于时间的介电击穿的金属-绝缘体-金属电容器寿命的晶圆测试方法
作者:
Bhola N. De
;
Mohsen Shokrani
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
43.
Low Temperature Silicon Nitride Deposition by Inductively Coupled Plasma CVD for GaAs Applications
机译:
用于GaAs应用的电感耦合等离子体CVD低温氮化硅沉积
作者:
Harqkyun Kim
;
Youngkyu Lee
;
Yunju Ra
;
G.P. Li
;
Jiro Yota
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
44.
New Characterization Methodology Of Borderless Silicon Nitride Charge Kinetics Using C(V) Hysteresis Loops
机译:
利用C(V)磁滞回线实现无边界氮化硅电荷动力学的新表征方法
作者:
G. Beylier
;
S. Bruyere
;
P. Mora
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
45.
Effects of High-Temperature Porogens on Materials Properties of Novel 2-Phase Low-k Dielectrics
机译:
高温致孔剂对新型两相低k电介质材料性能的影响
作者:
Mu-Lung Che
;
Cheng-Ying Huang
;
Shindy Choang
;
Yu-Hen Chen
;
Ying-Lang Wang
;
Jihperng Leu
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
46.
Three-Dimensional Compositional Characterization of High-k Gate Dielectrics with LEAP Atom Probe Tomography
机译:
LEAP原子探针层析成像技术对高k栅极介电材料的三维成分表征
作者:
R. M. Ulfig
;
K. Thompson
;
R. L. Alvis
;
J.H. Bunton
;
B. P. Gorman
;
D. J. Larson
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
47.
High-Mobility and Low-V_(th) Metal Gate CMOSFETs with Ultra-Thin HfSiON Gate Dielectrics Using TaSiN/TaSi_x Stacked Electrode and Selective Substrate Fluorine Implantation
机译:
使用TaSiN / TaSi_x堆叠电极和选择性衬底氟注入技术的超薄HfSiON栅极电介质的高迁移率和低V_th金属栅极CMOSFET
作者:
Seiji Inumiya
;
Takeo Matsuki
;
Takayuki Aoyama
;
Yasuo Nara
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
48.
The Impact of F and N Incorporation Technique on Advanced Gate Stacks
机译:
F和N掺入技术对高级栅叠的影响
作者:
Jiro Yugami
;
Takeshi Hayashi
;
Yukio Nishida
;
Masao Inoue
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
49.
Aqueous-Base-Developable Benzocyclobutene (BCB)-Based Material - An Emerging Dielectric Material for Microelectronics
机译:
水基可开发的苯并环丁烯(BCB)基材料-新兴的微电子介电材料
作者:
Y.-H. So
;
E. Stark
;
S. Kisting
;
D. Scheck
;
K. Baranek
;
M. Toepper
;
T. Baumgartner
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging dielectrics; 20070506-10;20070506-10; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
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