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1.
Characteristics of Ge and SiGe pin Photodiodes without Post-growth Annealing
机译:
不进行后生长退火的Ge和SiGe引脚光电二极管的特性
作者:
S. Park
;
S. Takita
;
R. Ichikawa
;
Y. Ishikawa
;
K. Wada
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
2.
Massive Batch Selective Si and SiGe Epitaxial Deposition
机译:
大规模批量选择Si和SiGe外延沉积
作者:
D. Meyer
;
E. Suvar
;
F. Rohlfing
;
T. Grabolla
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
3.
Recent Progress and Challenges in Enabling Embedded Si:C Technology
机译:
启用嵌入式Si:C技术的最新进展和挑战
作者:
B. (Frank) Yang
;
Z. Ren
;
R. Takalkar
;
L. Black
;
A. Dube
;
J. W. Weijtmans
;
J. Li
;
K.Chan
;
J. De Souza
;
A. Madan
;
G. Xia
;
Z. Zhu
;
J.Faltermeier
;
A.Reznicek
;
T.N.Adam
;
A. Chakravarti
;
G. Pei
;
R. Pal
;
B. Yang
;
E. Harley
;
B. Greene
;
A. Gehring
;
M. Cai
;
D. Sadana
;
D.-G. Park
;
D. Mocuta
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
4.
Selective Epitaxial Growth of Germanium on Si Wafers with Shallow TrenchIsolation: An Approach for Ge Virtual Substrates
机译:
浅沟槽隔离在硅晶片上锗的选择性外延生长:Ge虚拟衬底的一种方法
作者:
G. Wang
;
F.E. Leys
;
L. Souriau
;
R. Loo
;
M. Caymax
;
D.P. Brunco
;
J. Geypen
;
H. Bender
;
M. Meuris
;
W. Vandervorst
;
M.M. Heyns
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
5.
Nanosynthesis of Si-Ge-Sn semiconductors and devices via purpose-built hydride compounds
机译:
通过特制氢化物化合物纳米合成Si-Ge-Sn半导体和器件
作者:
J. Kouvetakis
;
J. Tolle
;
R. Roucka
;
V.R. DCosta
;
Y.-Y. Fang
;
A.V.G. Chizmeshya
;
J. Menendez
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
6.
Opportunities for group IV nanowire devices in Si CMOS technology
机译:
Si CMOS技术中的IV组纳米线器件的机会
作者:
E. Tutuc
;
S. K. Banerjee
;
J. Nah
;
K. Varahramyan
;
N. Jain
;
D. Ferrer
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
7.
Schottky Barrier Height Engineering on NiSiGe/SiGe Contacts
机译:
NiSiGe / SiGe触点上的肖特基势垒高度工程
作者:
C. C. Tan
;
C. T. Chua
;
D-Z Chi
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
8.
Effect of Strained-Si Layer Thickness on Dislocation Distribution and SiGeRelaxation in Thin Buffer Layer Strained-Si/SiGe Heterostructures
机译:
应变硅层厚度对薄缓冲层应变硅/硅锗异质结构中位错分布和硅锗弛豫的影响
作者:
Jinggang Lu
;
George Rozgonyi
;
Mike Seacrist
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
9.
Vapor Phase Doping with N-type Dopant into Silicon by Atmospheric PressureChemical Vapor Deposition
机译:
大气压化学气相沉积N型掺杂剂向硅中的掺杂
作者:
Shotaro Takeuchi
;
Ngoc Duy Nguyen
;
Frederik Leys
;
Roger Loo
;
Thierry Conard
;
Wilfried Vandervorst
;
Matty Caymax
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
10.
Low and High Temperature Boron and Phosphorus Doping of Si forJunctions and MEMS purposes
机译:
用于硅结和MEMS的硅的低温和高温硼和磷掺杂
作者:
F. Gonzatti
;
J.M. Hartmann
;
K. Yckache
会议名称:
《》
|
2008年
11.
Extended defects in Ge-condensed SGOI structures fabricatedby using proton and helium implantations
机译:
通过质子和氦气注入制造的Ge凝聚SGOI结构中的扩展缺陷
作者:
D. W. Kwak
;
M. W. Seo
;
D. H. Kim
;
D. W. Lee
;
Y. H. Lee
;
H. Y. Cho
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
12.
Nanowires to replace planar CMOS?
机译:
纳米线替代平面CMOS?
作者:
Aaron V-Y Thean
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
13.
Enhanced Ge MOS Device Performance Through a NovelPost-gate CF4-plasma Treatment Process
机译:
通过新颖的后栅极CF4等离子体处理工艺增强了Ge MOS器件的性能
作者:
Ruilong Xie
;
Muruganandam Thamarai
;
Zhiqiang Sun
;
Mingbin Yu
;
Doreen Mei Ying Lai
;
Lap Chan
;
Chunxiang Zhu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
14.
Si/SiGe Epitaxy and Selective Etch Applications for Advanced Thin-FilmsMOSFET Structures
机译:
用于高级薄膜MOSFET结构的Si / SiGe外延和选择性蚀刻应用
作者:
N. Loubet
;
F. B?uf
;
S. Monfray
;
C. Fenouillet-Beranger
;
S. Denorme
;
G. Bidal
;
T.Skotnicki
;
D. Dutartre
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
15.
Polarity Change of Threshold Voltage Shifts for n-channel Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Stressed by Negative Gate Bias
机译:
负栅极偏置对n沟道多晶硅薄膜晶体管阈值电压漂移的极性变化
作者:
C.-F. Huang
;
Y.-J. Yang
;
C.-Y. Peng
;
H.-C. Sun
;
C. W. Liu
;
Y.-C. Hsu
;
C.-C. Shih
;
J.-S. Chen
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
16.
Characterization Of Si1-xGex Epilayer Thickness, Ge and Doped BoronConcentration with UV-Vis-IR Spectroscopic Ellipsometer
机译:
Si1-xGex外延层厚度,Ge和掺杂硼浓度的紫外可见光谱仪表征
作者:
A.Bondaz
;
L.Kitzinger
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
17.
Spin-Polarized Electron Transport In Silicon
机译:
硅中的自旋极化电子传输
作者:
Ian Appelbaum
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
18.
Stress Manipulation With Strained-Silicon Directly (SSOI) OnInsulator
机译:
直接在绝缘子上使用应变硅(SSOI)进行应力处理
作者:
Aaron V-Y Thean
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
19.
Inductively Coupled Ar/CCl2F4/Cl2 Plasma Etching of Ge
机译:
Ge的电感耦合Ar / CCl2F4 / Cl2等离子体刻蚀
作者:
T. S. Kim
;
S. S. Choi
;
T. S. Jeong
;
S. Kang
;
K. H. Shim
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
20.
Engineering SiGe Growth Using Mechanically Responsive Ultrathin Substrates
机译:
使用机械响应超薄基板来工程SiGe生长
作者:
H.-J. Kim-Lee
;
D. E. Savage
;
C. S. Ritz
;
M. G. Lagally
;
K. T. Turner
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
21.
Selective Epitaxial Growth of Ge-on-Si for Photodiode Applications
机译:
用于光电二极管的Ge-on-Si的选择性外延生长
作者:
M. Kim
;
O. O. Olubuyide
;
J. U. Yoon
;
J. L. Hoyt
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
22.
Ultra-Low-Power SiGe HBTs using High-Precision RT-CVD Epitaxial Growth
机译:
采用高精度RT-CVD外延生长的超低功率SiGe HBT
作者:
K. Oda
;
M. Miura
;
H. Shimamoto
;
K. Washio
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
23.
Study on Stress Memorization by Argon Implantation and Annealing
机译:
氩离子注入和退火记忆应力的研究
作者:
M. Hino
;
K. Nagata
;
T. Yoshida
;
D. Kosemura
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
N. Sugii
;
A. Ogura
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
24.
HCl Selective Etching of Si1-xGex versus Sifor Silicon On Nothing and Multi Gate Devices
机译:
Si1-xGex与Sifor硅上的HCl选择性蚀刻在无及多栅极器件上
作者:
V. Destefanis
;
J.M. Hartmann
;
F. Hüe
;
D. Bensahel
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
25.
Phonon Transport and Thermoelectricity in Silicon Nanostructures
机译:
硅纳米结构中的声子传输和热电
作者:
Hyuk Ju Ryu
;
Clark S. Ritz
;
Levente J. Klein
;
Hendrik F. Hamann
;
Max G. Lagally
;
Mark A. Eriksson
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
26.
Ge Interface Passivation Techniques and Their Thermal Stability
机译:
Ge界面钝化技术及其热稳定性
作者:
D. Kuzum
;
T. Krishnamohan
;
A. Pethe
;
Y. Oshima
;
Y. Sun
;
J. McVittie
;
P. A.Pianetta
;
P. C. McIntyre
;
K. C. Saraswat
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
27.
Strain In Epitaxial Si/SiGe Graded Buffer Structures Grown On Si (100), Si(110) And Si (111) : A Raman Spectroscopy Study
机译:
Si(100),Si(110)和Si(111)上生长的外延Si / SiGe梯度缓冲结构中的应变:拉曼光谱研究
作者:
D. Rouchon
;
V. Destefanis
;
J.M. Hartmann
;
A. Crisci
;
M. Mermoux
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
28.
Elimination of Native Ge Dielectrics at Ge/High-kDielectric Interfaces for Ge MOS Devices
机译:
消除Ge MOS器件在Ge / High-kDielectric接口上的原生Ge电介质
作者:
G. Lucovsky
;
J.P. Long
;
H. Seo
;
B-K Chung
;
S. Lee
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
29.
SiGe:C BiCMOS Technologies for Automotive Radar Applications
机译:
用于汽车雷达应用的SiGe:C BiCMOS技术
作者:
G. G. Fischer
;
S. Glisic
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
30.
Strain Technology underMetal/High-k Damascene-Gate Stacks
机译:
金属/高k镶嵌栅极堆叠下的应变技术
作者:
Hitoshi Wakabayashi
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
31.
SiGe Quantum Rings by Ultra-high Vacuum Chemical Vapor Deposition
机译:
通过超高真空化学气相沉积的SiGe量子环
作者:
C.-H. Lee
;
C. M. Lin
;
C. W. Liu
;
H. T. Chang
;
S. W. Lee
;
P. Shushpannikov
;
V. A.Gorodtsov
;
R. V. Goldstein
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
32.
Integrating Selective Epitaxy in Advanced Logic Memory Devices
机译:
在高级逻辑和存储设备中集成选择性外延
作者:
Satheesh Kuppurao
;
Yihwan Kim
;
Yonah Cho
;
Saurabh Chopra
;
Zhiyuan Ye
;
Errol Sanchez
;
Schubert Chu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
33.
Comparison Between Three Si1-xGex versus Si Selective Etching Processes
机译:
三种Si1-xGex与Si选择性蚀刻工艺的比较
作者:
T. Salvetat
;
V. Destefanis
;
S. Borel
;
J. M. Hartmann
;
O. Kermarrec
;
Y.Campidelli
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
34.
3-D Regional Transit Time Analysis of SiGe HBTs on Thin-Film SOI
机译:
薄膜SOI上SiGe HBT的3-D区域传输时间分析
作者:
M. Bellini
;
J.D. Cressler
;
M. Turowski
;
G. Avenier
;
A. Chantre
;
P. Chevalier
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
35.
Enhanced Ferromagnetic Fe-rich germanide film grown using magnetronsputtering employing a post-deposition anneal
机译:
使用沉积后退火的磁控溅射生长的增强铁磁富铁锗化物薄膜
作者:
A. S. W. Wong
;
G. W. Ho
;
D. Z. Chi
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
36.
Why and How Atom Intermixing Proceeds at Metal/Si Interfaces;Silicide Formation vs. Random Mixing
机译:
为何和如何在金属/硅界面进行原子混合;硅化物的形成与随机混合
作者:
T. Nakayama
;
S. Shinji
;
S. Sotome
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
37.
Optical Bleaching of Thin Film Ge on Si
机译:
硅上锗薄膜的光学漂白
作者:
Xiaochen Sun
;
Jifeng Liu
;
Lionel C. Kimerling
;
Jurgen Michel
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
38.
High hole mobility SGOI substrates obtained by theGermanium condensation technique
机译:
通过锗冷凝技术获得的高空穴迁移率SGOI基板
作者:
L. Souriau
;
T. Nguyen
;
E. Augendre
;
R. Loo
;
V. Terzieva
;
M. Caymax
;
S.Cristoloveanu
;
M. Meuris
;
W. Vandervorst
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
39.
Growth and Thermal Stability of SiGe/Si Superlattices on Bulk Si Wafers
机译:
块状硅晶片上SiGe / Si超晶格的生长和热稳定性
作者:
J.M. Hartmann
;
A.M. Papon
;
J.P. Colonna
;
T. Ernst
;
T. Billon
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
40.
Temperature-dependent Operation of Ge on Si p-I-n Photodetectors
机译:
Si p-I-n光电探测器上Ge的温度依赖性操作
作者:
L. Colace
;
M. Balbi
;
V. Sorianello
;
G. Assanto
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
41.
Epitaxial Growth of Si:C by means of Gas Source MBE
机译:
利用气源MBE外延生长Si:C
作者:
A. Yamada
;
H. Ishihara
;
K. Inoue
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
42.
A Multiscale Model of The Low-Temperature CVD of Silicon
机译:
硅低温CVD的多尺度模型
作者:
C. Cavallotti
;
A. Barbato
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
43.
Regrowth Kinetics Of Self-amorphized Germanium And Evolution Of ImplantDamage
机译:
自非晶锗的再生动力学和植入物损伤的演变
作者:
S. Koffel
;
P. Scheiblin
;
A. Claverie
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
44.
High Ge content SiGe alloys: Doping and contact formation
机译:
高Ge含量的SiGe合金:掺杂和接触形成
作者:
E. Kasper
;
M. Oehme
;
J. Lupaca-Schomber
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
45.
Performance of Ge/Si Receivers at 1310 nm
机译:
Ge / Si接收器在1310 nm处的性能
作者:
M. Morse
;
O. Dosunmu
;
T. Yin
;
Y. Kang
;
H.D. Liu
;
G. Sarid
;
E. Ginsburg
;
R.Cohen
;
S. Litski
;
M.Zadka
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
46.
Etch rates of Ge, GaAs and InGaAs in acids, bases and peroxide based mixtures
机译:
Ge,GaAs和InGaAs在酸,碱和过氧化物混合物中的蚀刻速率
作者:
S. Sioncke
;
D.P. Brunco
;
M. Meuris
;
O. Uwamahoro
;
J. Van Steenbergen
;
E.Vrancken
;
M.M. Heyns
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
47.
Hole Mobilities of Si0.6Ge0.4 Quantum Well Buried-ChannelField Effect Transistors on SOI
机译:
Si0.6Ge0.4量子阱埋沟道场效应晶体管在SOI上的空穴迁移率
作者:
Kiyohisa Fujinaga
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
48.
Formation of Ge3N4/Ge structures using nitrogen radicalsand their thermal stability
机译:
利用氮自由基形成Ge3N4 / Ge结构及其热稳定性
作者:
H. Kondo
;
S. Oda
;
M. Ogawa
;
S. Zaima
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
49.
Photoluminescence of Selectively Grown Epitaxial SiGe:C/Si layers
机译:
选择性生长的外延SiGe:C / Si层的光致发光
作者:
J. Bouvier
;
G. Brémond
;
B. Vandelle
;
F. Brossard
;
D. Dutartre
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
50.
Heteroepitaxial Integration of Single Crystalline Ge(111) Layers on Si(111) via PrO2(111) Heterostructures
机译:
通过PrO2(111)异质结构在Si(111)上单晶Ge(111)层的异质外延集成
作者:
A. Giussani
;
O. Seifarth
;
P. Rodenbach
;
P. Zaumseil
;
G. Weidner
;
H.-J. Müssig
;
P.Storck
;
T. Schroeder
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
51.
Monolithic III-V/Si Integration
机译:
单片III-V / Si集成
作者:
E.A. Fitzgerald
;
M.T. Bulsara
;
Y. Bai
;
C. Cheng
;
W.K. Liu
;
D. Lubyshev
;
J.M.Fastenau
;
Y. Wu
;
M. Urtega
;
W. Ha
;
J. Bergman
;
B. Brar
;
C. Drazek
;
N. Daval
;
F.Letertre
;
W.E. Hoke
;
J.R. LaRoche
;
K.J. Herrick
;
T.E. Kaziore
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
52.
Very high-k tetragonal ZrO2 on Ge with GeO2 passivating interfacial layer
机译:
具有GeO2钝化界面层的Ge上非常高k的四方ZrO2
作者:
P. Tsipas
;
G. Mavrou
;
S.N. Volkos
;
A. Sotiropoulos
;
S. Galata
;
Y. Panayiotatos
;
A.Dimoulas
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
53.
Ge Quantum Well Modulators on Si
机译:
Si上的Ge量子阱调制器
作者:
D. A. B. Miller
;
R. K. Schaevitz
;
J. E. Roth
;
Shen Ren
;
Onur Fidaner
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
54.
Characterization of Fe3Si/Si Schottky Contact for Future Spin-Transistor
机译:
未来自旋晶体管的Fe3Si / Si肖特基接触的特性
作者:
Yuji Kishi
;
Mamoru Kumano
;
Koji Ueda
;
Taizoh Sadoh
;
Masanobu Miyao
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
55.
Dry etch challenges in Gate All Around Devices for sub 32 nm applications
机译:
适用于32纳米以下应用的Gate All Around Devices中的干法蚀刻挑战
作者:
S. Barnola
;
C. Vizioz
;
N. Vulliet
;
C. Dupré
;
T. Ernst
;
P. Gautier
;
C. Arvet
;
B.Guillaumot
;
E. Bernard
;
S. Pauliac-Vaujeour
;
C. Comboroure
;
JM. Hartmann
;
S.Borel
;
T. Chevolleau
;
V. Maffini-Alvaro
;
S. Bécu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
56.
Generation of Realistic Amorphous Al2O3 And ZrO2 Samples By HybridClassical and First-Principle Molecular Dynamics Simulations
机译:
通过混合经典和第一性原理分子动力学模拟生成现实的非晶态Al2O3和ZrO2样品
作者:
Evgueni A Chagarov
;
Andrew C Kummel
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
57.
Novel Metal-Germinade Schottky Barrier Contacts for Si-Photonics Application
机译:
用于硅光子学的新型金属锗肖特基势垒触点
作者:
G. Q. (Patrick) Lo
;
K. W. Ang
;
M. B. Yu
;
D. L. Kwong
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
58.
SiGe HBT featuring fT > 600GHz at cryogenic temperature
机译:
SiGe HBT在低温下的fT> 600GHz
作者:
N. Zerounian
;
E. Ramirez Garcia
;
F. Aniel
;
P. Chevalier
;
B. Geynet
;
A. Chantre
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
59.
AB-INITIO SIMULATION OF FORMATION AND DIFFUSION ENERGIES OFINTRINSIC POINT DEFECTS IN GE
机译:
GE本征点缺陷的形成和扩散能的从头算模拟
作者:
P. ?piewak
;
J. Vanhellemont
;
K. Sueoka
;
K. J. Kurzyd?owski
;
I. Romandic
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
60.
Schottky Barrier Height Extraction in Ohmic Regime:Contacts on Fully-Processed 200mm GeOI Substrates
机译:
欧姆体系中的肖特基势垒高度提取:完全加工的200mm GeOI基板上的触点
作者:
L. Hutin
;
C. Le Royer
;
C. Tabone
;
V. Carron
;
V. Delaye
;
F. Nemouchi
;
F. Aussenac
;
L. Clavelier
;
S. Deleonibus
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
61.
The effect of silicide processing on stress reductionin silicon device structures with strained SiGe elements
机译:
硅化工艺对应变硅锗元素硅器件结构中应力减小的影响
作者:
Igor Peidous
;
Patrick Press
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
62.
Low temperature boron activation in amorphous germanium for three dimensionalintegrated circuits (3D-Ics) using Ni-induced crystallization
机译:
使用Ni诱导结晶的三维集成电路(3D-Ics)中非晶锗中的低温硼活化
作者:
Jin-Hong Park
;
M. Tada
;
H.-Y. Yu
;
D. Kuzum
;
Y. Na
;
K. C. Saraswat
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
63.
Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOISubstrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors
机译:
使用SOI和GOI衬底形成自旋晶体管的半金属源极和漏极的基于Si和Ge的全Heusler合金薄膜
作者:
Y. Takamura
;
A. Nishijima
;
Y. Nagahama
;
R. Nakane
;
S. Sugahara
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
64.
Ge dots in optical microcavities--a possible direction for silicon-based light-emitting devices
机译:
光学微腔中的Ge点-硅基发光器件的可能方向
作者:
Jinsong Xia
;
Ryuichiro Tominaga
;
Satoshi Iwamoto
;
Noritaka Usami
;
Yasuhiko Aragawa
;
Yasuhiro Shiraki
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
65.
Evaluation of DiMethylAminoGermaniumTriChloride as a novel Carbon-Dopantand Germanium Precursor for Germanium and Silicon Germanium ChemicalVapor Deposition
机译:
二甲基氨基锗三氯化物作为锗和硅锗化学气相沉积的新型碳掺杂和锗前体的评估
作者:
F.E. Leys
;
C. Liu
;
X. Shi
;
B. Lamare
;
S. Takeuchi
;
M. Schaekers
;
R. Loo
;
E. Woelk
;
M. Caymax
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
66.
Prospects for Top-Down Fabricated Uniaxial Strained Nanowire MOSFETs
机译:
自上而下制造的单轴应变纳米线MOSFET的前景。
作者:
Judy L. Hoyt
;
Pouya Hashemi
;
Leonardo Gomez
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
67.
New Heating Method for Polycrystallization of Amorphous SiUsing Microwave Plasma Irradiation
机译:
微波等离子体辐照非晶硅多晶化的新加热方法
作者:
Kiyokazu Nakagawa
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
68.
Electrical Activity of Dislocations and Defects in Strained Si and Ge Based Devices
机译:
应变硅和锗基器件中的位错和缺陷的电活动
作者:
E. Simoen
;
G. Eneman
;
P. Verheyen
;
R. Loo
;
M. Bargallo Gonzalez
;
C. Claeys
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
69.
Silicon Nanomembranes Incorporating Mixed Crystal Orientations
机译:
掺有混合晶体取向的硅纳米膜
作者:
Shelley A. Scott
;
Deborah M. Paskiewicz
;
Donald E. Savage
;
Max G. Lagally
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
70.
Formation of SiGe Quasi-Single Crystal Grain on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization
机译:
压痕诱导固相结晶在绝缘子上形成SiGe准单晶晶粒
作者:
T. Sadoh
;
K. Toko
;
M.Miyao
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
71.
Si and SiGe Epitaxy in Perspective
机译:
Si和SiGe外延的观点
作者:
W. B. de Boer
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
72.
Interface and defect control for group IV channel engineering
机译:
IV组通道工程的接口和缺陷控制
作者:
A. Sakai
;
Y. Ohara
;
T. Ueda
;
E. Toyoda
;
K. Izunome
;
S. Takeuchi
;
Y. Shimura
;
O. Nakatsuka
;
M. Ogawa
;
S. Zaima
;
S. Kimura
会议名称:
《》
|
2008年
73.
Low Temperature Epitaxial Growth of Full Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111)Substrates for Spintronics Application
机译:
用于自旋电子学的Ge(111)衬底上全Heusler合金Fe2MnSi的低温外延生长
作者:
Koji Ueda
;
Yuichiro Ando
;
Kenji Yamamoto
;
Mamoru Kumano
;
Kohei Hamaya
;
Taizoh Sadoh
;
Kazumasa Narumi
;
Yoshihito Maeda
;
Masanobu Miyao
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
74.
Solid-Phase Epitaxial Regrowth of Phosphorus Implanted Amorphized Germanium
机译:
磷注入非晶锗的固相外延生长
作者:
E. Simoen
;
A. Brugère
;
A. Satta
;
B. Van Daele
;
B. Brijs
;
O. Richard
;
J. Geypen
;
M. Meuris
;
W. Vandervorst
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
75.
Germanium-based ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex for silicon spintronics
机译:
硅自旋电子学的锗基铁磁半导体Ge1-xFex
作者:
Yusuke Shuto
;
Masaaki Tanaka
;
Satoshi Sugahara
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
76.
Simulation of <110> nMOSFETs with a Tensile Strained Cap Layer
机译:
具有拉伸应变盖层的<110> nMOSFET的仿真
作者:
F. M. Bufler
;
F. O. Heinz
;
A. Tsibizov
;
M. Oulmane
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
77.
Germanium for High Performance MOSFETs and Optical Interconnects
机译:
高性能MOSFET和光学互连用锗
作者:
Krishna C. Saraswat
;
Donghyun Kim
;
Tejas Krishnamohan
;
Duygu Kuzum
;
Ali K. Okyay
;
Abhijit Pethe
;
Hyun-Yong Yu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
78.
Observation of Crystalline Imperfections in Supercritical Thickness Strained Silicon on Insulator Wafers by Synchrotron X-ray Topography
机译:
同步辐射X射线形貌观察绝缘子晶圆上超临界厚度应变硅的晶体缺陷
作者:
T. Shimura
;
T. Inoue
;
Y. Okamoto
;
T. Hosoi
;
H. Edo
;
S. Iida
;
A. Ogura
;
H. Watanabe
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
79.
Reliability of Ti-based Gate Dielectrics on strained-Si0.91Ge0.09 and Ge under Dynamic and AC Stressing
机译:
动态和交流应力下,应变Si0.91Ge0.09和Ge上的Ti基栅介质的可靠性
作者:
C. Mahata
;
M. K. Bera
;
P.K.Bose
;
C. K. Maiti
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
80.
Micro-Raman Studies on Nickel Germanides formed on (110) crystalline Ge
机译:
在(110)晶体Ge上形成的镍锗化物的微观拉曼研究
作者:
C.-Y. Peng
;
C.-F. Huang
;
Y.-J. Yang
;
C. W. Liu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
81.
Photocurrent of Si0.8Ge0.2/Si strained multiple quantum-wells grown by using UHVCVD
机译:
使用UHVCVD生长的Si0.8Ge0.2 / Si应变多量子阱的光电流
作者:
T. S. Kim
;
S. S. Choi
;
T. S. Jeong
;
S. Kangc
;
K. H. Shim
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
82.
Defect Reduction of Ge on Si by Selective Epitaxy and Hydrogen Annealing
机译:
通过选择性外延和氢退火减少Si上Ge的缺陷
作者:
Hyun-Yong Yu
;
Jin-Hong Park
;
Ali K. Okyay
;
Krishna C. Saraswat
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
83.
Enhancement of Local Strain in Si Microstructureby Oxidation Induced Ge Condensation
机译:
氧化诱导的Ge凝聚增强Si微结构中的局部应变
作者:
M. Tanaka
;
T. Tanaka
;
T. Sadoh
;
J. Morioka
;
T. Kitamura
;
M. Miyao
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
84.
SiGe Tunnel Field Effect Transistors
机译:
SiGe隧道场效应晶体管
作者:
I. Eisele
;
H. Lochner
;
M. Schlosser
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
85.
Uniaxially Strained SGOI and SSOI Channelsfor High Performance Multi-Gate CMOS
机译:
用于高性能多门CMOS的单轴应变SGOI和SSOI通道
作者:
T. Irisawa
;
T. Numata
;
T. Tezuka
;
K. Usuda
;
N. Hirashita
;
Y. Moriyama
;
N. Sugiyama
;
S. Takagi
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
86.
SiCP Selective Epitaxial Growth in Recessed Source/Drain Regions yielding to Drive Current Enhancement in n-channel MOSFET
机译:
在凹陷的源极/漏极区域中进行SiCP选择性外延生长,以驱动n沟道MOSFET增强电流
作者:
M. Bauer
;
V. Machkaoutsan
;
Y. Zhang
;
D. Weeks
;
J. Spear
;
S.G. Thomas
;
P. Verheyen
;
C. Kerner
;
F. Clemente
;
H. Bender
;
D. Shamiryan
;
R. Loo
;
A. Hikavyy
;
T. Hoffmann
;
P. Absil
;
S. Biesemans
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
87.
Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO2 on Ge treated by Fluorine
机译:
氟处理的锗在HfO2中的光反射光谱法表征固定氧化物电荷
作者:
T. Kanashima
;
H. Lee
;
Y. Mori
;
H. Imajo
;
M. Okuyama
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
88.
Carbon- and Tin- Incorporated Source/Drain Stressors for CMOS Transistors
机译:
碳和锡结合的CMOS晶体管源极/漏极应力源
作者:
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
89.
3D Integration Techniques Applied to SiGe Power Amplifiers
机译:
应用于SiGe功率放大器的3D集成技术
作者:
Ramana Malladi
;
Alvin Joseph
;
Peter Lindgren
;
Wan Ni
;
Dawn Wang
;
Hanyi Ding
;
Mete Erturk
;
Rosemary Previti-Kelly
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
90.
Atomic layer deposition of high-κ dielectric layers on Ge and III-V MOSchannels
机译:
Ge和III-V MOS通道上高κ介电层的原子层沉积
作者:
A. Delabie
;
A. Alian
;
F. Bellenger
;
G. Brammertz
;
D. P. Brunco
;
M. Caymax
;
T.Conard
;
A. Franquet
;
M. Houssa
;
S. Sioncke
;
S. Van Elshocht
;
J. L. van Hemmen
;
W.Keuning
;
W.M.M. Kessels
;
V. V. Afanasev
;
A. Stesmans
;
M. M. Heyns
;
M. Meuris
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
91.
Epitaxial growth of Ge thick layers on nominal and 6°off Si(001);Ge surface passivation by Si
机译:
Si(001)和6°偏离Si(001)上Ge厚层的外延生长; Si对Ge表面的钝化作用
作者:
J.M. Hartmann
;
H. Grampeix
;
L. Clavelier
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
92.
High-speed, Monolithic CMOS Receivers with Ge on Si Waveguide Photodetectors
机译:
Si波导光电探测器上带有Ge的高速单片CMOS接收器
作者:
Gianlorenzo Masini
;
Subal Sahni
;
Behnam Analui
;
Giovanni Capellini
;
Jeremy Witzens
;
Cary Gunn
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
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2008年
93.
Selective Polycrystalline Si and SiGe Deposition on Epitaxial SiInduced by B-Atomic Layer Doping
机译:
B原子层掺杂诱导的外延Si上的选择性多晶Si和SiGe沉积
作者:
Yuji Yamamoto
;
Klaus K?pke
;
Oksana Fursenkoa
;
Günter Weidnera
;
Junichi Murota
;
Bernd Tillack
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
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2008年
94.
High Performance Ge Devices for Electronic-Photonic Integrated Circuits
机译:
用于电子-光子集成电路的高性能Ge器件
作者:
Jifeng Liu
;
Jurgen Michel
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
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2008年
95.
The Versatile Use of SiGe for High-Performance Devices
机译:
SiGe在高性能器件中的广泛使用
作者:
E.A. Hijzen
;
J.J.T.M. Donkers
;
P. Meunier-Beillard
;
E. Saarnilehto
;
J. ?onsky
;
G.A.M. Hurkx
;
W. van Noort
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
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2008年
96.
The Generation of Acceptor Levels in Ge By the Uniaxial Strain-A Theoretical Approach-
机译:
单轴应变在Ge中生成受主能级-A理论方法-
作者:
Kentro Takai
;
Kenji Shiraishi
;
Atsushi Oshiyama
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
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2008年
97.
Noise Properties of High-Mobility, 80 nm Gate Length MOSFETs onSupercritical Virtual Substrates
机译:
超临界虚拟基板上高迁移率,80 nm栅极长度MOSFET的噪声特性
作者:
B. Gunnar Malm
;
Julius H?llstedt
;
Per-Erik Hellstr?m
;
Mikael ?stling
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
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2008年
98.
The Impact of Carbon on the Warpage of e-SiGe Wafers During Laser Anneal
机译:
碳对激光退火过程中e-SiGe晶圆翘曲的影响
作者:
Deborah Riley
;
Haowen Bu
;
Amitabh Jain
;
Rajesh Khamankar
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
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2008年
99.
Influence of in-situ Boron Dopingon the Surface Roughening of SiGe:B Films
机译:
原位硼掺杂对SiGe:B薄膜表面粗糙度的影响
作者:
R. Tsuchida
;
S. Mori
;
T. Sato
;
N. Uchitomi
;
I. Mizushima
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
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2008年
100.
SiGe Selective Epitaxy: Morphology and Thickness Control for High PerformanceCMOS Technology
机译:
SiGe选择性外延:高性能CMOS技术的形态和厚度控制
作者:
J. R. Holt
;
E. C. T. Harley
;
T. N. Adam
;
S. J. Jeng
;
K. Tabakman
;
R. Pal
;
H. M. Nayfeh
;
L. R. Black
;
J. J. Kempisty
;
M. W. Stoker
;
A. Dube
;
D. J. Schepis
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
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2008年
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