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International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks
International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks
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1.
Enhanced Dielectric Constant of HfO{sub}2 and Al{sub}2O{sub}3 Thin-Films with Silver Nanoparticles
机译:
具有银纳米粒子的HFO {Sub} 2和Al {Sub} 2O×3薄膜的增强介电常数
作者:
Ramasamy Ravindran
;
Maslina Othman
;
Minseong Yun
;
N. Biswas
;
N. Mehta
;
S. Guha
;
K. Gangopadhyay
;
Shubhra Gangopadhyay
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
2.
Improvement in NBTI of Metal Gate pMOSFETs with Sub-1nm EOT HfSiON Gate Dielectrics by Ar/N{sub}2/H{sub}2 (D{sub}2) Plasma Nitridation
机译:
AR / N {SOU} 2 / H {SUB} 2(D {SUB} 2)等离子体氮化具有亚1nm eot hfsion栅极电介质的金属栅极PMOSFET的NBTI的改进
作者:
Seiji Inumiya
;
Takayuki Aoyama
;
Yasuo Nara
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
3.
Dielectric Properties Of High-k Materials: A Theoretical View
机译:
高K材料的介电性能:理论观点
作者:
P. Delugas
;
V. Fiorentini
;
A. Filippetti
;
G. Pourtois
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
4.
Impact of Dielectric Material Selection on Electrical Characteristics of High-k/Ge Devices
机译:
介电材料选择对高K / GE设备电特性的影响
作者:
Koji Kita
;
Hideyuki Nomura
;
Tomonori Nishimura
;
Akira Toriumi
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
5.
Polaron-like Charge Trapping in Oxygen Deficient and Disordered HfO{sub}2: Theoretical Insight
机译:
富极电荷捕获氧气缺陷和无序的HFO {Sub} 2:理论洞察力
作者:
J. L. Gavartin
;
D. Munos-Ramo
;
A. L. Shluger
;
G. Bersuker
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
6.
Experimental Study of the Impact of SO Phonon Scattering in High-κ Gate Dielectric MOSFETs
机译:
高κ门电介质MOSFET中所以SO SO散射冲击的实验研究
作者:
S. A. Atarah
;
M. M. De Souza
;
J. Peterson
;
G. Bersuker
;
G. Brown
;
C. Young
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
7.
Indium-Tin-Oxide Embedded in Zirconium-Doped Hafnium Oxide High-k Dielectric Films for Hole-Based Nonvolatile Memories
机译:
嵌入锆掺杂氧化铪的氧化铟锡高k介电膜,用于孔的非易失性存储器
作者:
Adam Birge
;
Chen-Han Lin
;
Yue Kuo
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
8.
Laminated CeO{sub}2/HfO{sub}2 High-k Gate Dielectrics Grown by Pulsed Laser Deposition in Reducing Ambient
机译:
层压CEO {SUB} 2 / HFO {SUB} 2通过脉冲激光沉积在减少环境中生长的高k栅极电介质
作者:
K. Karakaya
;
B. Barcones
;
A. Zinine
;
Z. M. Rittersma
;
P. Graat
;
J. G. M. van Berkum
;
M. A. Verheijen
;
G. Rijnders
;
D. H. A. Blank
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
9.
Materials and Processes for High k Gate Stacks: Results from the FEP Transition Center
机译:
高k门堆栈的材料和过程:FEP过渡中心的结果
作者:
C. M. Osburn
;
S. A. Campbell
;
A. Demkov
;
E. Eisenbraun
;
E. Garfunkel
;
T. Gustafsson
;
A. I. Kingon
;
J. Lee
;
D. J. Lichtenwalner
;
G. Lucovsky
;
T. P. Ma
;
J. P. Maria
;
V. Misra
;
R. J. Nemanich
;
G. N. Parsons
;
D. G. Schlom
;
S. Stemmer
;
R. M. Wallace
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
10.
Alternative Gate Dielectric Materials
机译:
替代栅极介电材料
作者:
S. Van Elshocht
;
A. Hardy
;
S. De Gendt
;
C. Adelmann
;
P. K. Baumann
;
D. P. Brunco
;
M. Caymax
;
T. Conard
;
P. Delugas
;
P. Lehnen
;
O. Richard
;
E. Rohr
;
D. Shamiryan
;
R. Vos
;
T. Witters
;
P. Zimmerman
;
M. K. Van Bael
;
J. Mullens
;
M. Meuris
;
M. Heyns
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
11.
Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100)
机译:
化学和电子结构的深度分析以及超薄HFSION的缺陷(100)
作者:
S. Miyazaki
;
A. Ohta
;
S. Inumiya
;
Y. Nara
;
K. Yamada
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
12.
Threshold Voltage Instability and Low Frequency Noise in Hafnium-Based Gate Dielectrics
机译:
基于铪的栅极电介质中的阈值电压不稳定性和低频噪声
作者:
F. Crupi
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
13.
Physics of Metal/High-k Interfaces
机译:
金属/高k接口的物理学
作者:
Takashi Nakayama
;
Kenji Shiraishi
;
Seiichi Miyazaki
;
Yasushi Akasaka
;
Takashi Nakaoka
;
Kazuyoshi Torii
;
Akio Ohta
;
Parhat Ahmet
;
Kenji Ohmori
;
Naoto Umezawa
;
Heiji Watanabe
;
Toyohiro Chikyow
;
Yasuo Nara
;
Hiroshi Iwai
;
Keisaku Yamada
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
14.
Factors Influencing Characteristics of Hafnium Based High-K Dielectrics
机译:
影响铪基高钾电介质特性的因素
作者:
D. H. Triyoso
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
15.
On the Issue of Work Function Tuning of Nickel Silicide Gates
机译:
镍硅化物门的工作功能调整问题
作者:
Nivedita Biswas
;
Bongmook Lee
;
Veena Misra
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
16.
Ultra-thin (EOT~0.31m) and low leakage dielectrics of La-aluminate deposited directly on Si substrate
机译:
超薄(EOT〜0.31M)和La-alminate的低漏电介质直接沉积在Si衬底上
作者:
Masamichi Suzuki
;
Mitsuhiro Tomita
;
Takeshi Yamaguchi
;
Noburu Fukushima
;
Masato Koyama
;
Akira Nishiyama
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
17.
Influence of Process Parameters on Leakage Current of Metal-Organic based HfSiO{sub}x Dielectrics
机译:
工艺参数对金属基于金属 - 有机HFSIO {SUB} x电介质的影响
作者:
A. Avellan
;
M. Patz
;
E. Erben
;
A. Ivanov
;
S. Kudelka
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
18.
NBTI Effects in pMOSFETS with TiN/Hf-Silicate Based Gate Stacks
机译:
与基于锡/ HF硅酸盐的栅极堆叠的PMOSFET中的NBTI效应
作者:
N. A. Chowdhury
;
D. Misra
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
19.
Advanced Nano-analysis of a High-k Dielectric Stack
机译:
高k电介质堆的先进纳米分析
作者:
M. MacKenzie
;
A. J. Craven
;
D. W. McComb
;
S. De Gendt
;
F. T. Docherty
;
C. M. McGilvery
;
S. McFadzean
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
20.
Numerical Analysis of Gate Stacks
机译:
闸门堆栈的数值分析
作者:
M. Karner
;
S. Holzer
;
W. Goes
;
M. Vasicek
;
M. Wagner
;
H. Kosina
;
S. Selberherr
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
21.
Composition Control of TaSi{sub}xN{sub}y Thin Films by Chemical Vapor Deposition for Future n-MOSFET Metal Gate Electrode
机译:
通过化学气相沉积未来N-MOSFET金属栅电极的化学气相沉积的Tasi {Sub} Xn {Sub} Y薄膜的组成控制
作者:
Yoshihiro Sugita
;
Takayuki Aoyama
;
Yasuo Nara
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
22.
Reliability and Stability Issues for Lanthanum Silicate as a High-K Dielectric
机译:
作为高k电介质的硅酸盐的可靠性和稳定性问题
作者:
Daniel J. Lichtenwalner
;
Jesse S. Jur
;
Steven Novak
;
Veena Misra
;
Angus I. Kingon
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
23.
Charge Trapping Characteristics of W-La{sub}2O{sub}3-nSi MIS Capacitors After Post-Metallization Annealing in N{sub}2
机译:
在n {sub} 2中金属化退火后的W-LA {SUB} 2O {SUB} 3-NSI MIS电容器的电荷捕获特性
作者:
Joel Molina
;
Kiichi Tachi
;
Kuniyuki Kakushima
;
Parhat Ahmet
;
Kazuo Tsutsui
;
Nobuyuki Sugii
;
Takeo Hattori
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
24.
Interface States In Hf-based Stacks And Their Impact On The Reliability Of These Alternative Oxides
机译:
基于HF的堆栈中的接口状态及其对这些替代氧化物的可靠性的影响
作者:
X. Garros
;
G. Reimbold
;
O. Louveau
;
F. Martin
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
25.
Development of 300mm MOCVD - HfSiO{sub}x Process
机译:
开发300mm mocvd - hfsio {sub} x进程
作者:
X. Shi
;
M. Schaekers
;
L. Date
;
A. Rothschild
;
J. L. Everaert
;
S. Van Elshocht
;
E. Rosseel
;
S. Kher
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
26.
Wide Controllability of Flatband Voltage in La{sub}2O{sub}3 Gate Stack Structures - Remarkable Advantages of La{sub}2O{sub}3 over HfO{sub}2
机译:
La {Sub} 2O {Sub} 3栅极堆栈结构中的宽带电压的可控性 - La {sub} 2o {sub} 3的显着优势。在hfo {sub} 2
作者:
K. Ohmori
;
P. Ahmet
;
K. Shiraishi
;
K. Yamabe
;
H. Watanabe
;
Y. Akasaka
;
N. Umezawa
;
K. Nakajima
;
M. Yoshitake
;
T. Nakayama
;
K. S. Chang
;
K. Kakushima
;
Y. Nara
;
M. L. Green
;
H. Iwai
;
K. Yamada
;
T. Chikyow
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
27.
Capacitance-voltage Characterization of Atomic-Layer-Deposited Al{sub}2O{sub}3/InGaAs and Al{sub}2O{sub}3/GaAs Metal-Oxide-Semiconductor Structures
机译:
原子层沉积Al {Sub} 2O {Sub} 3 / InGaAs和Al {Sub} 2O {Sub} 3 / GaAs金属氧化物 - 半导体结构的电容 - 电压表征
作者:
Y. Xuan
;
H. C. Lin
;
P. D. Ye
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
28.
Towards the Fabrication of Ultra-thin SOI on Si (001) Using Epitaxial Oxide and Epitaxial Semiconductor Growth Processes
机译:
使用外延氧化物和外延半导体生长方法在Si(001)上的超薄SOI制造
作者:
Daniel J. Lichtenwalner
;
Jennifer M. Hydrick
;
Viera Vankova
;
Veena Misra
;
Jon-Paul Maria
;
Angus I. Kingon
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
29.
Work Function Characterization of TaSiN and TaCN Electrodes Using CV, IV, IPE and SKPM
机译:
使用CV,IV,IPE和SKPM的Tasin和TACN电极的工作功能表征
作者:
H. D. Xiong
;
N. V. Nguyen
;
J. J. Kopanski
;
J. S. Suehle
;
E. M. Vogel
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
30.
Thermal Stability of Stack Structures of Aluminum Nitride and Lanthanum Oxide Thin Films
机译:
氮化铝和氧化镧薄膜堆叠结构的热稳定性
作者:
Dail Eom
;
Cheol Seong Hwang
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
31.
The Improvement in Dielectric Characteristics and Reliability of Atomic-Layer-Deposited HfO{sub}2 Thin Films by In-situ NH{sub}3 Injection
机译:
通过原位NH {Sub} 3喷射改善原子层沉积的原子层沉积HFO {Sub} 2薄膜的可靠性
作者:
Jeong Hwan Kim
;
Tae Joo Park
;
Moonju Cho
;
Jae Hyuck Jang
;
Minha Seo
;
Cheol Seong Hwang
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
32.
Electronic Structure of Bulk and Defected CaCu{sub}3Ti{sub}4O{sub}12
机译:
散装电子结构和缺陷Cacu {Sub} 3Ti {Sub} 4o {sub} 12
作者:
P. Alippi
;
V. Fiorentini
;
A. Filippetti
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
33.
Metal/high-k Interface Interactions Upon High Temperature Annealing - Are They Cause Of Work Function Changes
机译:
金属/高K接口相互作用在高温退火时 - 它们是原因工作功能的变化
作者:
T. Conard
;
T. Schram
;
A. Akeyar
;
K. Arstila
;
G. Zschatzsch
;
V. Paraschiv
;
W. Vandervorst
;
B. Brijs
;
S. De Gendt
;
Z. X. Jiang
;
V. Kaushik
;
J. Lerma
;
L. Ragnarsson
;
D. P. Brunco
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
34.
Mixed Oxide High-K Gate Dielectrics - Interface Layer Structure, Breakdown Mechanism, and New Memories
机译:
混合氧化物高k栅极电介质 - 界面层结构,击穿机制和新存储器
作者:
Yue Kuo
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
35.
Effect of Oxygen for Ultra-Thin La{sub}2O{sub}3 Film Deposition
机译:
氧气对超薄LA {SUB} 2O {SUB} 3膜沉积的影响
作者:
K. Tachi
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
N. Sugii
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
36.
Structural and Chemical Investigation of Annealed Al{sub}2O{sub}3 Films for Interpoly Dielectric Application in Flash Memories
机译:
用于闪存中的退火Al {Sub} 2O {Sub} 3薄膜的结构和化学研究
作者:
R. Piagge
;
M. Caniatti
;
A. Del Vitto
;
C. Wiemer
;
G. Pavia
;
S. Alberici
;
E. Bellandi
;
A. Nale
;
M. Alessandri
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
37.
Advanced Metal Gate Electrode Options Compatible with ALD and AVD HfSiOx-based Gate Dielectrics
机译:
高级金属栅电极选项与ALD和AVD HFSIOX的栅极电介质兼容
作者:
Zia Karim
;
Olivier Boissiere
;
Christoph Lohe
;
Zhihong Zhang
;
Christian Manke
;
Peer Lehnen
;
Peter K. Baumann
;
Jeremie Dalton
;
Woong Park
;
Sasangan Ramanathan
;
Johannes Lindner
;
Tom Seidel
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
38.
Correlation Between The High-k Properties And The Interfacial Chemical Structure of ALD HfO{sub}2 Thin Films on Si, Si{sub}(1-x)Ge{sub}x, And Ge Substrates
机译:
高k特性与Si,Si {sub}(1-x)Ge {sub} X和GE基板上的ALD HFO {Sub} 2薄膜界面化学结构的相关性
作者:
Tae Joo Park
;
Jeong Hwan Kim
;
Jae Hyuck Jang
;
Minha Seo
;
Cheol Seong Hwang
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
39.
A Combinatorial Study of Metal Gate/HfO{sub}2 MOSCAPS
机译:
金属栅极/ HFO {Sub} 2晶片的组合研究
作者:
M. L. Green
;
K. S. Chang
;
I. Takeuchi
;
T. Chikyow
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
40.
La{sub}2O{sub}3 Gate Dielectric Thin Film with Sc{sub}2O{sub}3 Buffer Layer for High Temperature Annealing
机译:
LA {SUB} 2O {SUB} 3栅极介电薄膜,具有SC {SUB} 2O {SUB} 3缓冲层,用于高温退火
作者:
Yasuhiro SHIINO
;
Kuniyuki KAKUSHIMA
;
Parhat AHMET
;
Kazuo TSUTSUI
;
Nobuyuki SUGII
;
Takeo HATTORI
;
Hiroshi IWAI
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
41.
Analysis of Electronic Structure of High-k Films by Using STEM-EELS
机译:
用茎鳗分析高k薄膜的电子结构
作者:
Nobuyuki Ikarashi
;
Kenzo Manabe
;
Kensuke Takahashi
;
Motofumi Saitoh
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
42.
Evaluation of Trisilylamine for HfSiO{sub}x Atomic Layer Deposition
机译:
HFSIO {Sub} x原子层沉积评价曲硅卷曲
作者:
C. Dussarrat
;
I. Suzuki
;
K. Yanagita
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
43.
Significance of Nitrogen and Aluminum Depth Profile Control in HfAlON Gate Insulators
机译:
Hfalon栅极绝缘子中氮气和铝深度曲线控制的意义
作者:
H. OTA
;
A. Ogawa
;
M. Kadoshima
;
K. Iwamoto
;
K. Okada
;
H. Satake
;
T. Nabatame
;
A. Toriumi
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
44.
The Present Status and Recent Advancements in Corona-Kelvin Non-contact Electrical Metrology of Dielectrics for IC-manufacturing
机译:
IC制造电介质电介质 - 开尔文非接触电气计量的现状及最新进展
作者:
Marshall Wilson
;
Dmitriy Marinskiy
;
Anton Byelyayev
;
John DAmico
;
Andrew Findlay
;
Lubek Jastrzebski
;
Jacek Lagowski
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
45.
Development of a Selective Tantalum Carbide (TaC) Etchant
机译:
开发一种选择性钽碳化物(TAC)蚀刻剂
作者:
John S. Starzynski
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
46.
Electrically Active Interface Defects in the (100)Si/SiO{sub}x/HfO{sub}2/TiN System: Origin, Instabilities and Passivation
机译:
(100)Si / SiO {sub} x / hfo {sub} 2 / tin系统中的电源活动界面缺陷:原点,不稳定性和钝化
作者:
P. K. Hurley
;
K. Cherkaoui
;
A. W. Groenland
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
47.
Electronic Structure Of Defects In Dielectrics With Electronic Correlation
机译:
电子相关电介质缺陷的电子结构
作者:
A. Filippetti
;
V. Fiorentini
;
G. M. Lopez
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
48.
ULTRA-THIN HFON FILMS FORMED WITH HE/FG PLASMA JET ASSISTED PVD PROCESS
机译:
用HE / FG等离子体喷射辅助PVD工艺形成的超薄HFON薄膜
作者:
Yanxiang Liu
;
X.W. Wang
;
T.P. Ma
;
Lurng-Shehng Lee
;
Ming-Jinn Tsai
;
Yu-Wei Chou
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
interfacial states;
HfON films;
He/FG Plasma Jet Assisted PVD Process;
49.
DETERMINATION OF THE CHANNEL DOPING DENSITY IN MOS DEVICES WITH HIGH-K GATE DIELECTRICS
机译:
具有高k栅极电介质的MOS装置中的沟道掺杂密度的确定
作者:
Dharmendar Reddy
;
Samares Kar
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HIGH-K GATE DIELECTRICS;
MOS DEVICES;
CHANNEL DOPING DENSITY;
50.
High-K Materials for Nonvolatile Memories
机译:
用于非易失性存储器的高K材料
作者:
M.Specht
;
M.Grieb
;
F.Hofmann
;
M.Stadele
;
H.Reisinger
;
L.Risch
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
High-K Materials;
Nonvolatile Memories;
NAND array architecture;
51.
QUALITY IMPROVEMENT AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HIGH-K FILMS AFTER RECEIVING DIRECT SUPERIMPOSED WITH ALTERNATIVE CURRENT ANODIC OXIDATION COMPENSATION
机译:
接受直接叠加后的高k薄膜的质量改进和电气特性,具有替代电流阳极氧化补偿
作者:
Chia-Hua Chang
;
Tsung-Miau Wang
;
Jenn-Gwo Hwu
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
ELECTRICAL CHARACTERISTICS;
HIGH-K FILMS AFTER RECEIVING DIRECT SUPERIMPOSED;
QUALITY IMPROVEMENT;
52.
FORMATION OF PEDESTAL OXYNITRIDE LAYER BY EXTREMELY SHALLOW NITROGEN IMPLANTATION IN PLANAR R.F. PLASMA REACTOR
机译:
平面下浅氮植入基座氮化物层的形成。等离子体反应器
作者:
T. Bieniek
;
R. B. Beck
;
A. Jakubowski
;
P.Hoffmann
;
D. Schmeisser
;
P. Konarski
;
M. Cwil
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
NITROGEN IMPLANTATION;
PEDESTAL OXYNITRIDE LAYER;
FORMATION;
53.
CHARGE TRAPPING – A MAJOR RELIABILITY CHALLENGE FOR HIGH-K GATE DIELECTRICS
机译:
电荷捕获 - 高k门电介质的主要可靠性挑战
作者:
X.W. (Sharon) Wang
;
Liyang Song
;
Huiming Bu
;
T.P. Ma
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
CHARGE TRAPPING;
HIGH-K GATE DIELECTRICS;
MAJOR RELIABILITY CHALLENGE;
54.
EFFICIENT CALCULATION OF LIFETIME BASED DIRECT TUNNELING THROUGH STACKED DIELECTRICS
机译:
基于堆叠电介质的寿命直接隧道的高效计算
作者:
M. Karner
;
A. Gehring
;
S. Holzer
;
H. Kosina
;
S. Selberherr
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
EFFICIENT CALCULATION;
TUNNELING THROUGH STACKED DIELECTRICS;
LIFETIME;
55.
EFFECT OF NITRIDATION ON 1/F NOISE IN N-MOSFETS WITH HFO_2 DIELECTRIC
机译:
HFO_2电介质对N-MOSFET中1 / F噪声的影响对N-MOSFET的影响
作者:
P. Sfinivasan
;
E. Simoen
;
L. Pantisano
;
Z. M. Rittersma
;
C. Claeys
;
D. Misra
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
NITRIDATION;
N-MOSFETS;
HFO_2 DIELECTRIC;
56.
COMPOSITION DEPENDENCE OF PHYSICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF HfSiON FILMS AS ALTERNATIVE GATE DIELECTRICS
机译:
HFSION膜的物理和电性能作为替代栅极电介质的构成依赖性
作者:
Akira Nishiyama
;
Masahiro Koike
;
Masamichi Suzuki
;
Tsunehiro Ino
;
Yuuichi Kamimuta
;
Masato Koyama
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HfSiON FILMS;
ALTERNATIVE GATE DIELECTRICS;
COMPOSITION DEPENDENCE;
57.
IMPLICATIONS OF NON-LINEAR POOLE-FRENKEL PLOTS ON HIGH-k DIELECTRIC LEAKAGE
机译:
非线性Poole-Frenkel Plots对高k介电泄漏的影响
作者:
William R. Harrell
;
Thomas H. Cordella
;
Kelvin F. Poole
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HIGH-k DIELECTRIC LEAKAGE;
NON-LINEAR POOLE-FRENKEL PLOTS;
IMPLICATIONS;
58.
SALIENT FEATURES IN THE CAPACITANCE CHARACTERISTICS OF ULTRATHIN HIGH-K DEVICES
机译:
超超高k器件电容特性中的突出特征
作者:
Samares Kar
;
Dharmendar Reddy
;
Surendra Rawat
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
SALIENT FEATURES;
CAPACITANCE CHARACTERISTICS;
ULTRATHIN HIGH-K DEVICES;
59.
HIGH-TEMPERATURE PROCESSING EFFECTS ON LANTHANUM SILICATE GATE DIELECTRIC MIS DEVICES
机译:
镧硅酸盐栅极电介质MES装置的高温处理效果
作者:
Daniel J. Lichtenwalner
;
Jesse S. Jur
;
Naoya Inoue
;
Angus I. Kingon
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HIGH-TEMPERATURE PROCESSING;
MIS DEVICES;
LANTHANUM SILICATE;
60.
WET ETCH CHARACTERISTICS OF HAFNIUM SILICATE LAYERS
机译:
铪硅酸盐层的湿法蚀刻特性
作者:
M. Claes
;
V. Paraschiv
;
D. Dictus
;
T. Conard
;
A. Delabie
;
S. Van Elshocht
;
C. Zhao
;
J-L. Everaert
;
W. Boullart
;
S. Vanhaelemeersch
;
S. De Gendt
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
WET ETCH CHARACTERISTICS;
HAFNIUM SILICATE LAYERS;
various CVD deposition processes;
61.
ASYMMETRIC DISTRIBUTION OF CHARGE TRAP IN HfO2-BASED HIGH-K GATE DIELECTRICS
机译:
基于HFO2高k栅极电介质的电荷阱的不对称分布
作者:
K. Higuchi
;
T. Naito
;
A. Uedono
;
K.Shiraishi
;
K.Torii
;
M.Boero
;
T.Chikyow
;
S.Yamasaki
;
K.Yamada
;
R. Hasunuma
;
K.Yamabe
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
ASYMMETRIC DISTRIBUTION;
CHARGE TRAP;
HfO2-BASED HIGH-K GATE DIELECTRICS;
62.
EVALUATION OF ATOMIC LAYER DEPOSITED NBN AND NBSIN AS METAL GATE MATERIALS
机译:
原子层沉积NBN和NBSin的评价为金属栅极材料
作者:
N. Van Hoornick
;
H. De Witte
;
T. Witters
;
C. Zhao
;
T. Conard
;
H. Huotari
;
J. Swerts
;
T. Schram
;
J.W. Maes
;
S. De Gendt
;
M. Heyns
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
METAL GATE MATERIALS;
ATOMIC LAYER DEPOSITED;
NBSIN;
63.
Study of Charge and Inversion Layer Mobility in Hafnium Oxide Stacks
机译:
氧化铪堆中电荷和反转层迁移率研究
作者:
Zhihong Zhang
;
Min Li
;
Stephen A. Campbell
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
Charge;
Inversion Layer Mobility;
Hafnium Oxide Stacks;
64.
BAND EDGE TRAPS AT SPECTROSCOPICALLY-DETECTED O-ATOM VACANCIES IN NANOCRYSTALLINE ZrO2 and HfO2:AN ENGINEERING SOLUTION FOR ELIMINATION OF 0-ATOM VACANCY DEFECTS IN NON-CRYSTALLINE TERNARY SILICATE ALLOYS
机译:
在纳米晶ZrO2和HFO2中的光谱检测O-原子空位的带边阱:用于消除非结晶三元硅酸盐合金中的0-原子空位缺陷的工程解决方案
作者:
G. Lucovsky
;
J. Luning
;
N.A. Stoute
;
H. Seo
;
C.L. Hinkle
;
B. Ju
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
SILICATE ALLOYS;
BAND EDGE TRAPS;
NANOCRYSTALLINE ZrO2;
65.
POST METALLIZATION ANNEAL EFFECTS IN HfO_2 BASED CAPACITORS WITH VARIOUS GATE ELECTROIDES
机译:
在基于HFO_2的电容器中的金属化退火效应,各种栅极电源
作者:
Y. Lu
;
O. Buiu
;
I. Z. Mitrovic
;
S. Hall
;
P. Chalker
;
R. Potter
;
A. Nazarov
;
V. Lysenko
;
I. Tyagulskii
;
I. Osiyuk
;
Ya.Vovk
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
VARIOUS GATE ELECTROIDES;
METALLIZATION ANNEAL EFFECTS;
HfO_2 BASED CAPACITORS;
66.
A RADAR FOR ULTRA-THIN HIGH-K DIELECTRIC FILM: ZERO-BIAS THERMALLY STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY (ZBTSC)
机译:
超薄高k介电薄膜的雷达:零偏置热刺激的电流光谱(ZBTSC)
作者:
W. S. Lau
;
G. Zhang
;
P. W. Qian
;
L.L. Leong
;
T. Han
;
S.T. Che
;
Parry Wong
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
ULTRA-THIN HIGH-K DIELECTRIC FILM;
CURRENT SPECTROSCOPY (ZBTSC);
RADAR;
67.
PROBING POINT DEFECTS IN STACKS OF ULTRATHIN HIGH-K METAL OXIDES ON SEMICONDUCTORS BY ELECTRON SPIN RESONANANCE: THE Si/HfO_2 vs THE Ge/HfO_2 SYSTEM
机译:
电子旋转共振叠层超薄高k金属氧化物堆中的探测点缺陷:Si / Hfo_2对GE / HFO_2系统
作者:
A. Stesmans
;
V. V. Afanasev
;
K. Clemer
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
PROBING POINT DEFECTS;
Ge/HfO_2 SYSTEM;
SEMICONDUCTORS;
68.
GROWTH STUDIES AND REACTION MECHANISM OF THE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HAFNIUM OXIDE
机译:
氧化铪原子层沉积的生长研究与反应机理
作者:
Annelies Delabie
;
Matty Caymax
;
Bert Brijs
;
David Brunco
;
Thierry Conard
;
Erik Sleeckx
;
Sven Van Elshocht
;
Lars-Ake Ragnarsson
;
Stefan De Gendt
;
Marc Heyns
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
GROWTH STUDIES;
REACTION MECHANISM;
HAFNIUM OXIDE;
69.
NEW INSIGHTS IN Hf BASED HIGH-k GATE DIELECTRICS IN MOSFETs
机译:
MOSFET中基于HF高k栅极电介质的新见解
作者:
Ming-Fu Li
;
Chunxiang Zhu
;
C.Shen
;
X.F.Yu
;
X.P.Wang
;
Y.P.Feng
;
A.Y.Du
;
Y.C.Yeo
;
G.Samudra
;
Albert Chin
;
D.L.Kwong
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
NEW INSIGHTS;
Hf BASED HIGH-k GATE DIELECTRICS;
MOSFETs;
70.
HIGH-K MATERIALS FOR TUNNEL BARRIER ENGINEERING IN FUTURE MEMORY TECHNOLOGIES
机译:
未来内存技术隧道屏障工程的高K材料
作者:
Pieter Blomme
;
Bogdan Govoreanu
;
Maarten Rosmeulen
;
Amal Akheyar
;
Luc Haspeslagh
;
Joeri De Vos
;
Martino Lorenzini
;
Jan Van Houdt
;
Kristin De Meyer
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HIGH-K MATERIALS;
TUNNEL BARRIER ENGINEERING;
MEMORY TECHNOLOGIES;
71.
DOPED HfO_2 FOR HIGHER-k DIELECTRICS
机译:
掺杂HFO_2用于更高k电介质
作者:
A. Toriumi
;
K. Kita
;
K. Tomida
;
Y. Yamamoto
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
DOPED HfO_2;
HIGHER-k DIELECTRICS;
72.
CHARGE TRAPPING NBTI IN HIGH K GATE DIEECTRIC STACKS
机译:
高k门芯片堆中的电荷陷阱和NBTI
作者:
Sufi Zafar
;
A. Callegari
;
J. Stathis
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
CHARGE TRAPPING;
NBTI;
HIGH K GATE DIEECTRIC STACKS;
73.
HIGH-K MATERIALS IN FLASH MEMORIES
机译:
闪存中的高K材料
作者:
M. Alessandri
;
R.Piagge
;
S.Alberici
;
E.Bellandi
;
M.Caniatti
;
G.Ghidini
;
A. Modelli
;
G.Pavia
;
E. Ravizza
;
A.Sebastiani
;
C.Wiemer
;
S.Spiga
;
M.Fanciulli
;
E. Cadelano
;
G. M. Lopez
;
V.Fiorentini
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HIGH-K MATERIALS;
FLASH MEMORIES;
inter-poly dielectric;
74.
Prospects of Hf-based Gate Dielectrics by PVD with FUSI Gate for LSTP Application
机译:
用于LSTP应用的PVD对HF基栅电介质的前景
作者:
M. Niwa
;
R. Mitsuhashi
;
S. Hayashi
;
K. Yamamoto
;
Y. Harada
;
M. Kubota
;
A. Rothchild
;
T. Hoffmann
;
S. Kubicek
;
A. Lauwers
;
J. A. Kittl
;
S. De Gendt
;
M. Heyns
;
S. Biesemans
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
LSTP Application;
FUSI Gate;
Hf-based Gate Dielectrics;
75.
THEORETICAL STUDIES ON THE PHYSICAL PROPERTIES OF POLY-SI AND METAL GATES/HfO_2 RELATED HIGH-K DIELECTRICS INTERFACES
机译:
聚-Si和金属门物理性质的理论研究/ HFO_2相关高k电介质接口
作者:
Kenji Shiraishi
;
Kazuyoshi Torii
;
Yasushi Akasaka
;
Takashi Nakayama
;
Takashi Nakaoka
;
Seiichi Miyazaki
;
Toyohiro Chikyow
;
Keisaku Yamada
;
Yasuo Nara
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
THEORETICAL STUDIES;
PHYSICAL PROPERTIES;
HIGH-K DIELECTRICS INTERFACES;
76.
RARE-EARTH METAL SCANDATE HIGH-K LAYERS
机译:
稀土金属剥离高k层
作者:
C. Zhao
;
T. Heeg
;
M. Wagnar
;
J. Schubert
;
T. Witters
;
B. Brijs
;
H. Bender
;
O. Richard
;
V.V. Afanasev
;
M. Houssa
;
M. Caymax
;
S. De Gendt
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
pulsed laser deposition;
HT-XRD;
DyScO_3;
77.
HIGH PERFORMANCE METAL GATE CMOSFETS WITH AGGRESSIVELY SCALED HF-BASED HIGH-K
机译:
高性能金属栅极CMOSFET,具有积极缩放的HF高k
作者:
S. C. Song
;
Z. Zhang
;
S. H Bae
;
P. Kirsch
;
P. Majhi
;
R. Choi
;
B. H. Lee
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
PERFORMANCE METAL GATE CMOSFETS;
AGGRESSIVELY SCALED HF-BASED HIGH-K;
MOSFET;
78.
ADVANCED HIGH K DIELECTRICS FOR NANO-ELECTRONICS —SCIENCE AND TECHNOLOGIES
机译:
用于纳米电子-SCOIENCE和Technologies的先进高k电介质
作者:
M. Hong
;
J. Kwo
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
TECHNOLOGIES;
NANO-ELECTRONICS;
HIGH K DIELECTRICS;
79.
A CHEMISTS VIEW OF PRECURSORS AND PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF HAFNIUM-BASED HIGH-K DIELECTRICS
机译:
生产铪基高k电介质生产前体和工艺的化学家介绍
作者:
Robert D. Clark
;
Arthur K. Hochberg
;
Tingfung Kok
;
Kirk S. Cuthill
;
Matthias J. Jahl
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
CHEMISTS VIEW;
HIGH-K DIELECTRICS;
PRODUCTION;
80.
CHARACTERIZATION OF CHARGE STORAGE IN ALD NANOLAMINATES
机译:
ALD纳米胺储存的表征
作者:
Tom Seidel
;
Zhihong Zhang
;
Anuranjan Srivastava
;
Tatiana Dimitrova
;
Ana R. Londergan
;
Zia Karim
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
CHARACTERIZATION;
CHARGE STORAGE;
NANOLAMINATES;
81.
IMPACT OF AL, NI, AND TIN METAL GATES ON ZRO_2 -MOS CAPACITORS
机译:
Al,Ni和锡金属门对ZrO_2-MOS电容器的影响
作者:
Abermann S
;
Efavi J.
;
Lugstein A.
;
Auer E.
;
Gottlob H.
;
Schmidt M.
;
Lemme M.
;
Bertagnolli E.
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
IMPACT;
TIN METAL GATES;
ZRO_2 -MOS CAPACITORS;
82.
WORKFUNCTION TUNING OF NICKEL SILICIDE BY VARYING NICKEL AND SILICON COMPOSITION
机译:
通过改变镍和硅组成的镍硅化物的工作障碍调整
作者:
Nivedita Biswas
;
Steven Novak
;
Bongmook Lee
;
Bei Chen
;
Veena Misra
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
NICKEL SILICIDE;
VARYING NICKEL;
SILICON COMPOSITION;
83.
EFFECT OF A SE MONOLAYER ON INTERFACE PROPERTIES BETWEEN AL_2O_3 AND N-TYPE SI(100)
机译:
SE Monolayer对Al_2O_3和N型Si(100)之间的界面性质的影响
作者:
G. Larrieu
;
G. Song
;
N. Moumen
;
E. Maldonado
;
W. P. Kirk
;
M. Tao
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
SE MONOLAYER;
INTERFACE PROPERTIES BETWEEN AL_2O_3;
N-TYPE SI(100);
84.
Evidence of Deep Energy States from Low Temperature Measurements and Their Role in Charge Trapping in Metal Gate/Hf-silicate Gate Stacks
机译:
低温测量的深度能量状态的证据及其在金属浇口/ HF-硅酸盐栅极堆中的电荷诱捕中的作用
作者:
N. A. Chowdhury
;
P. Srinivasan
;
D. Misra
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
Metal Gate/Hf-silicate Gate Stacks;
Charge Trapping;
Low Temperature Measurements;
85.
CHARGE CAPTURE KINETICS OF NITRIDE TRAPS IN OXIDE-NITRIDE OXIDE(ONO) STRUCTURES
机译:
在氧化物 - 氮化物氧化物(ONO)结构中捕获氮化物阱的捕获动力学
作者:
H. Y. Cho
;
C.J. Park
;
H.T. Oh
;
D.W. Kwak
;
Y.H. Lee
;
W.-C. Yang
;
C.-W. Kim
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
NITRIDE TRAPS;
CHARGE CAPTURE KINETICS;
OXIDE-NITRIDE OXIDE(ONO) STRUCTURES;
86.
Al/La_2O_3 Analysis of Post Metallization Annealed MISFETs by XPS
机译:
Al / La_2O_3 XPS的金属化退火MISFET分析
作者:
Yusuke Kuroki
;
Jin-Aun Ng
;
Kuniyuki Kakushima
;
Nobuyuki Sugii
;
Kazuo Tsutsui
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
Al/La_2O_3 Analysis;
Post Metallization Annealed MISFETs;
XPS;
87.
CMOS INTEGRATION ISSUES WITH HIGH-K/METAL GATE STACK
机译:
CMOS集成与高K /金属栅极堆栈的一体化问题
作者:
Dim-Lee Kwong
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HIGH-K/METAL GATE STACK;
CMOS INTEGRATION ISSUES;
Continual CMOS scaling;
88.
ADVANCED NANO-ANALYSIS OF HIGH-K DIELECTRIC STACKS
机译:
高k介电堆叠的先进纳米分析
作者:
M. MacKenzie
;
A. J. Craven
;
D. W. McComb
;
S. De Gendt
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
ADVANCED NANO-ANALYSIS;
HIGH-K DIELECTRIC STACKS;
89.
CRYSTALLIZATION AND WET ETCHING CHARACTERISTICS OF ATOMIC LAYER DEPOSITED HfO_2 FILMS USING Hf(N(CH_3)(C_2H_5)_3OC(CH_3)_3) AS PRECURSOR AND O3 AS OXIDANT
机译:
使用HF(N(CH_3)(C_2H_5) _ 3 OC(CH_3) _ 3 OC(CH_3)作为前体和O3作为氧化剂的原子层沉积HFO_2膜的结晶和湿法蚀刻特性。
作者:
Minha Seo
;
Seong Keun Kim
;
Kyung-Min Kim
;
Tae Joo Park
;
Jeong Hwan Kim
;
Cheol Seong Hwang
;
Ho Jin Cho
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
CRYSTALLIZATION;
WET ETCHING CHARACTERISTICS;
LAYER DEPOSITED HfO_2 FILMS;
90.
ANNEALING EFFECT AND SUPPRESSION OF HYDRATION OF La_2O_3 THIN FILMS
机译:
退火效应和抑制La_2O_3薄膜水合的抑制
作者:
Dail Eom
;
Sang Young No
;
Cheol Seong Hwang
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
ANNEALING EFFECT;
SUPPRESSION;
La_2O_3 THIN FILMS;
91.
BULK AND INTERFACE MATERIAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF HAFNIUM-DOPED TANTALUM OXIDE HIGH-K FILMS
机译:
铪掺杂钽氧化物高k薄膜的散装和界面材料和电气性质
作者:
Jiang Lu
;
Yue Kuo
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
ELECTRICAL PROPERTIES;
INTERFACE MATERIAL;
TANTALUM OXIDE HIGH-K FILMS;
92.
INFLUENCE OF Ta(N) MICROSTRUCTURE ON ITS ETCH PROPERTIES
机译:
TA(n)微观结构对其蚀刻性能的影响
作者:
D. Shamiryan
;
V. Paraschiv
;
Z. Mei
;
W. Boullart
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
INFLUENCE;
Ta(N) MICROSTRUCTURE;
ITS ETCH PROPERTIES;
93.
RECENT DEVELOPMENTS IN ALD TECHNOLOGY FOR 50nm TRENCH DRAM APPLICATIONS
机译:
50nm Trench DRAM应用中ALD技术的最新发展
作者:
Uwe Schroeder
;
Stefan Jakschik
;
Elke Erben
;
Alejandro Avellan
;
Stephan Kudelka
;
Martin Kerber
;
Angela Link
;
Alfred Kersch
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
RECENT DEVELOPMENTS;
ALD TECHNOLOGY;
50nm TRENCH DRAM APPLICATIONS;
94.
Compatibility of High K Dielectrics with TiCl_4-based TiN for MIS Storage Capacitors for sub 70 nm DT DRAM Technology and beyond
机译:
高k电介质与基于TiCL_4的锡的兼容性,用于MIS 70 NM DT DR DRAM技术及超越的MIS存储电容
作者:
X. Gay
;
B. Hintze
;
H. Bernhardt
;
E. Erben
;
S. Kudelka
;
C.Goupil
;
B.Mercey
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
High K Dielectrics;
TiCl_4-based TiN;
MIS Storage Capacitors;
95.
HfSiON GATE DIELECTRICS FOR hp45 NODE AND BEYOND
机译:
HP45节点及超频的HFSION栅极电介质
作者:
Yasuo Nara
;
Seiji Inumiya
;
Kazuyoshi Torii
;
Kunio Nakamura
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HfSiON GATE DIELECTRICS;
hp45 NODE;
BEYOND;
96.
Effect of Surface Nitridation on the Ge/HfO_2 Interface
机译:
表面氮化对GE / HFO_2接口的影响
作者:
R. Garg
;
D. Misra
;
S. Guha
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
Effect;
Surface Nitridation;
Ge/HfO_2 Interface;
97.
STRUCTURAL EFFECTS IN THE DIELECTRIC CONSTANT OF RARE EARTH OXIDES: Nd_2O_3
机译:
稀土氧化物介电常数的结构效应:ND_2O_3
作者:
T. Busani
;
R.A.B. Devine
;
P. Gonon
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
STRUCTURAL EFFECTS;
DIELECTRIC CONSTANT;
RARE EARTH OXIDES;
98.
THE INFLUENCE OF NH_3 ANNEAL ON THE CRYSTALLIZATION KINETICS OF HfO_2 GATE DIELECTRIC FILMS
机译:
NH_3退火对HFO_2栅电介质膜结晶动力学的影响
作者:
Patrick S. Lysaght
;
J. C. Woicik
;
Brendan Foran
;
Joel Barnett
;
Gennadi Bersuker
;
Byoung-Hun Lee
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
NH_3 ANNEAL;
CRYSTALLIZATION KINETICS;
HfO_2 GATE DIELECTRIC FILMS;
99.
INFLUENCE OF AN IN-SITU FORMED INTERFACIAL SINK LAYER ON THE ELECTRICAL PERFORMANCE AND THERMAL STABILITY OF HIGH-K HFO_2 FILMS
机译:
原位形成界面沉降层对高k HFO_2薄膜电性能和热稳定性的影响
作者:
S. H. Hong
;
T. J. Park
;
J. H. Kim
;
S. K. Kim
;
M. J. Cho
;
J. Y. Won
;
R. J. Jeong
;
C. S. Hwang
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HIGH-K HFO_2 FILMS;
THERMAL STABILITY;
ELECTRICAL PERFORMANCE;
100.
DIELECTRIC EVOLUTION CHARACTERISTICS OF HfCN METAL ELECTRODE GATED MOS STACKS
机译:
HFCN金属电极门控MOS叠层的介电演化特性
作者:
Wenwu Wang
;
Toshihide Nabatame
;
Yukihiro Shimogaki
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
DIELECTRIC EVOLUTION CHARACTERISTICS;
HfCN METAL;
LECTRODE GATED MOS STACKS;
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